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발광 소자

  • 기술번호 : KST2015133191
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시 예는 기판 상에 제1 반도체층, 활성층, 및 제2 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 형성하는 단계, 상기 제2 반도체층 상에 복수의 나노 구조물을 형성하는 단계; 상기 나노 구조물을 마스크로 이용하여 상기 제2 반도체층을 식각하여 제1 요철을 형성하는 단계, 상기 나노 구조물의 크기를 감소시키는 단계, 및 상기 크기가 감소된 나노 구조물을 마스크로 이용하여 상기 제1 요철이 형성된 상기 제2 반도체층을 식각하여 계단 구조의 제2 요철을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020120093056 (2012.08.24)
출원인 엘지이노텍 주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0026092 (2014.03.05) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.07.25)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김지현 대한민국 서울 강남구
2 김병재 대한민국 서울 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영복 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
2 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0682934-32
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
5 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-1214059-01
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0713371-37
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-0713372-83
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.06.01 수리 (Accepted) 9-1-2018-0025496-29
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0411320-06
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-0820082-69
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.08.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0820080-78
15 등록결정서
Decision to grant
2018.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0888387-07
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 제1 반도체층, 활성층, 및 제2 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 형성하는 단계;상기 제2 반도체층 상에 복수의 나노 구조물들을 형성하는 단계;상기 나노 구조물들을 마스크로 이용하여 상기 제2 반도체층을 식각하는 제1 식각 공정을 수행하여 제1 요철을 형성하는 단계;상기 복수의 나노 구조물들을 식각하는 제2 식각 공정을 수행하여 상기 복수의 나노 구조물들의 크기를 감소시키는 단계; 및상기 크기가 감소된 나노 구조물들을 마스크로 이용하여 상기 제1 요철이 형성된 상기 제2 반도체층을 식각하는 제3 식각 공정을 수행하여, 계단 구조의 제2 요철을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 식각 공정은 ICP(Inductively Coupled Plasma) 식각 공정을 이용하고, 상기 제1 식각 공정에서 상기 복수의 나노 구조물들과 상기 제2 반도체층 사이의 식각 선택비는 1:1 ~ 1:3이고,상기 제2 식각 공정은 반응성 이온 식각 공정을 이용하고, 상기 제2 식각 공정에서 상기 제2 반도체층은 식각되지 않고,상기 제3 식각 공정은 상기 ICP 식각 공정을 이용하고, 상기 제3 식각 공정에서 상기 복수의 나노 구조물들과 상기 제2 반도체층 사이의 식각 선택비는 1:1 ~ 1:3이고,상기 제2 식각 공정 완료 후 상기 복수의 나노 구조물들 각각의 직경은 제1 직경의 1/10 ~ 9/10이고, 상기 제1 직경은 상기 제1 식각 공정 이전의 상기 제2 반도체층 상에 형성된 상기 복수의 나노 구조물들 각각의 직경인 발광 소자의 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 복수의 나노 구조물들은 산화물, 폴리머, 또는 이들의 조합으로 이루어지는 발광 소자의 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 복수의 나노 구조물들은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZrO2, Y2O3-ZrO2, CuO, Cu2O, Ta2O5, PZT(Pb(Zr,Ti)O3), Nb2O5, Fe3O3, 및 GeO2 중에서 선택된 1종 이상을 포함하여 형성되고,딥 코팅(dip coating) 또는 스핀 코팅(spin coating)을 이용하여 상기 복수의 나노 구조물들을 형성하는 발광 소자의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 제2 반도체층 상에 형성되는 상기 나노 구조물들 각각의 직경은 50nm~ 10㎛이고,상기 제1 요철의 오목부의 깊이는 상기 제2 반도체층의 두께의 1/20 ~ 2/3이고,상기 제2 요철의 제1단의 높이는 10nm ~ 150nm이고, 상기 제2 요철의 제2단의 높이는 10nm ~ 50nm인 발광 소자의 제조 방법
6 6
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7 7
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8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제1항에 있어서,상기 제2 요철을 형성하는 단계 이후에 습식 식각을 이용하여 상기 크기가 감소된 나노 구조물들을 제거하는 단계를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법
11 11
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12 12
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13 13
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14 14
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15 15
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16 16
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17 17
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18 18
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19 19
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.