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스트레인 게이지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015133209
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 스트레인 게이지가 개시된다. 스트레인 게이지는 절연 기판, 제1 전극 패드, 제2 전극 패드 및 저항체를 구비한다. 절연 기판은 유연성을 갖는다. 제1 및 제2 전극 패드는 절연 기판 상에 형성되고 서로 이격된다. 저항체는 제1 전극 패드와 전기적으로 연결된 제1 단부 및 제2 전극 패드와 전기적으로 연결된 제2 단부를 구비하고, 복수의 절곡부를 가지며, 랜덤하게 배향된 탄소나노튜브의 네트워크로 이루어진다. 이러한 스트레인 게이지는 현저하게 향상된 게이지율을 가질 수 있다.
Int. CL G01B 7/16 (2006.01)
CPC G01B 7/18(2013.01) G01B 7/18(2013.01) G01B 7/18(2013.01)
출원번호/일자 1020120086541 (2012.08.08)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1387236-0000 (2014.04.14)
공개번호/일자 10-2014-0021123 (2014.02.20) 문서열기
공고번호/일자 (20140425) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.08.08)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민남기 대한민국 서울특별시 서초구
2 이동일 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이동건 대한민국 서울특별시 강남구 논현로***길 *, *층 ***호 (논현동)(차암특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 세종산학협력단 세종특별자치시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0632400-68
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.04.25 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.06.07 수리 (Accepted) 9-1-2013-0044018-36
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0676353-11
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-1092050-27
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.11.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1092042-62
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
8 등록결정서
Decision to grant
2014.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0225780-72
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
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베이스 기판 상부에 산화막을 형성하는 단계;상기 산화막 상부에 수지 절연층을 형성하는 단계;상기 수지 절연층 상부에 금속 전극 패드를 형성하는 단계;상기 금속 전극 패드가 형성된 상기 수지 절연층 상부에 탄소나노튜브 분산 용액을 스프레이 분사하여 탄소나노튜브 박막을 형성하는 단계;상기 탄소나노튜브 박막을 패터닝하여 저항체를 형성하는 단계; 및상기 수지 절연층을 상기 베이스 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하고,상기 수지 절연층을 형성하는 단계는,상기 산화막 상부에 폴리이미드 액상을 스핀 코팅의 방법으로 도포하는 단계; 및상기 도포된 폴리이미드 액상을 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지의 제조방법
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베이스 기판 상부에 산화막을 형성하는 단계;상기 산화막 상부에 수지 절연층을 형성하는 단계;상기 수지 절연층 상부에 금속 전극 패드를 형성하는 단계;상기 금속 전극 패드가 형성된 상기 수지 절연층 상부에 탄소나노튜브 분산 용액을 스프레이 분사하여 탄소나노튜브 박막을 형성하는 단계;상기 탄소나노튜브 박막을 패터닝하여 저항체를 형성하는 단계; 및상기 수지 절연층을 상기 베이스 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하고,상기 탄소나노튜브 박막을 패터닝하는 단계는,상기 탄소나노튜브 박막 상에 상기 저항체에 대응하는 형상을 갖는 마스크를 형성하는 단계; 및상기 마스크가 형성된 탄소나노튜브 박막에 산소 플라즈마를 방사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 산소 플라즈마는 10sccm의 속도로 3분 이상 10분 이하의 시간동안 방사되는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지의 제조방법
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베이스 기판 상부에 산화막을 형성하는 단계;상기 산화막 상부에 수지 절연층을 형성하는 단계;상기 수지 절연층 상부에 금속 전극 패드를 형성하는 단계;상기 금속 전극 패드가 형성된 상기 수지 절연층 상부에 탄소나노튜브 분산 용액을 스프레이 분사하여 탄소나노튜브 박막을 형성하는 단계;상기 탄소나노튜브 박막을 패터닝하여 저항체를 형성하는 단계; 및상기 수지 절연층을 상기 베이스 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하고,상기 베이스 기판은 실리콘 웨이퍼 또는 글라스 웨이퍼를 포함하고, 상기 산화막은 이산화규소막을 포함하며,상기 수지 절연층을 상기 기판으로부터 분리하는 단계는 B
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 고려대학교 산학협력단 핵심연구지원사업(협동) 마이크로 에너지 수확 소자 통합 무선 센서 노드에 관한 연구