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제1 및 제2 채널을 통해 각각 신호를 송신하며, 상기 제1 채널에 실리는 신호와 상기 제2 채널에 실리는 신호가 지연제어신호에 대응하는 위상 차이를 갖도록 제어하는 송신부; 및상기 제1 또는 제2 채널을 통해 전송된 신호를 조절신호로서 수신하고, 상기 조절신호의 주파수를 기준으로 복원클록을 생성하며, 상기 복원클록과 상기 조절신호의 스큐를 감지한 결과에 따라 상기 지연제어신호의 값을 조절하는 수신부를 구비하며,상기 수신부는, 상기 복원클록과 상기 조절신호의 스큐 차이를 감지하기 위한 스큐 감지부를 구비하고,상기 스큐 감지부는, 설정된 주기를 기준으로, 상기 복원클록을 설정된 지연량만큼 지연시킨 클록과 상기 조절신호의 위상차이를 검출한 결과 및 상기 조절신호를 상기 설정된 지연량만큼 지연시킨 클록과 상기 복원클록의 위상차이를 검출한 결과에 응답하여 상기 지연제어신호를 생성하는 반도체 시스템
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제1항에 있어서,상기 송신부는,제1 및 제2 내부신호를 생성하는 내부신호 생성부;상기 지연제어신호에 응답하여 그 값이 조절되는 지연제어코드를 생성하기 위한 지연제어코드 생성부;제1 내부신호를 상기 지연제어코드에 대응하는 제1 지연량만큼 지연시킨 뒤, 상기 제1 채널을 통해 송신하는 제1 송신부; 및제2 내부신호를 상기 지연제어코드에 대응하는 제2 지연량만큼 지연시킨 뒤, 상기 제2 채널을 통해 송신하는 제2 송신부를 구비하며,상기 제1 지연량의 크기와 상기 제2 지연량의 크기 차이는 상기 지연제어코드에 따라 조절되는 반도체 시스템
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3
제1항에 있어서,상기 수신부는,상기 조절신호의 주파수를 검출하고, 검출결과에 대응하는 주파수로 상기 복원클록을 발진하는 복원클록 생성부를 더 구비하는 반도체 시스템
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4
제3항에 있어서,상기 복원클록 생성부는,상기 조절신호와 상기 복원클록의 주파수 차이를 검출하기 위한 주파수 검출부;상기 주파수 검출부의 출력신호에 응답하여 그 전압레벨이 조절되는 차지전압을 생성하는 차지전압 생성부; 및상기 차지전압의 레벨에 대응하여 그 주파수가 조절되는 상기 복원클록을 발진하기 위한 발진부를 구비하는 반도체 시스템
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5
제3항에 있어서,상기 스큐 감지부는,상기 복원클록을 설정된 지연량만큼 지연시킨 클록과 상기 조절신호의 위상차이를 검출하기 위한 제1 검출부;상기 조절신호를 상기 설정된 지연량만큼 지연시킨 클록과 상기 복원클록의 위상차이를 검출하기 위한 제2 검출부; 및설정된 주기를 기준으로 상기 제1 및 제2 검출부의 출력신호에 응답하여 상기 지연제어신호를 생성하는 지연제어신호 생성부를 구비하는 반도체 시스템
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제1항에 있어서,상기 수신부는,상기 제1 및 제2 채널을 통해 전송된 신호를 수신하고, 수신된 신호를 상기 복원클록을 기준으로 샘플링하여 제1 및 제2 복원신호를 생성하는 신호복원부를 더 구비하는 반도체 시스템
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7
제1항에 있어서,상기 제1 채널에 실리는 신호와 상기 제2 채널에 실리는 신호는 동작클록의 에지를 기준으로 각각 설정된 패턴을 갖는 반도체 시스템
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8
제7항에 있어서,상기 제1 채널에 실리는 신호와 상기 제2 채널에 실리는 신호는 서로 상반되는 논리레벨을 가지며, 상기 동작클록의 에지마다 각각 그 논리레벨이 천이하는 반도체 시스템
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9
제1항에 있어서,상기 수신부는 반도체 장치이고, 상기 송신부는 반도체 장치 컨트롤러인 반도체 시스템
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10
제1항에 있어서,상기 수신부는 반도체 장치 컨트롤러이고, 상기 송신부는 반도체 장치인 반도체 시스템
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다수의 비트로 이루어진 신호를 비트단위로 다수의 채널을 통해 각각 송신하되, 홀수 번째 채널에 실리는 신호와 짝수 번째 채널에 실리는 신호가 지연제어신호에 대응하는 위상 차이를 갖도록 제어하는 송신부; 및상기 다수의 채널 중 어느 하나의 채널을 통해 전송된 신호를 조절신호로서 수신하고, 상기 조절신호의 주파수를 기준으로 복원클록을 생성하며, 상기 복원클록과 상기 조절신호의 스큐를 감지한 결과에 따라 상기 지연제어신호의 값을 조절하는 수신부를 구비하며,상기 수신부는, 상기 복원클록과 상기 조절신호의 스큐 차이를 감지하기 위한 스큐 감지부를 구비하고,상기 스큐 감지부는, 설정된 주기를 기준으로, 상기 복원클록을 설정된 지연량만큼 지연시킨 클록과 상기 조절신호의 위상차이를 검출한 결과 및 상기 조절신호를 상기 설정된 지연량만큼 지연시킨 클록과 상기 복원클록의 위상차이를 검출한 결과에 응답하여 상기 지연제어신호를 생성하는 반도체 시스템
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12
제11항에 있어서,상기 송신부는,다수의 내부신호를 생성하는 내부신호 생성부;상기 지연제어신호에 응답하여 그 값이 조절되는 지연제어코드를 생성하기 위한 지연제어코드 생성부;상기 다수의 내부신호 중 홀수 번째 내부신호를 상기 지연제어코드에 대응하는 제1 지연량만큼 지연시킨 뒤, 상기 홀수 번째 채널을 통해 송신하는 제1 송신부; 및상기 다수의 내부신호 중 짝수 번째 내부신호를 상기 지연제어코드에 대응하는 제2 지연량만큼 지연시킨 뒤, 상기 짝수 번째 채널을 통해 송신하는 제2 송신부를 구비하며,상기 제1 지연량의 크기와 상기 제2 지연량의 크기 차이는 상기 지연제어코드에 따라 조절되는 반도체 시스템
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제11항에 있어서,상기 수신부는,상기 조절신호의 주파수를 검출하고, 검출결과에 대응하는 주파수로 상기 복원클록을 발진하는 복원클록 생성부를 더 구비하는 반도체 시스템
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제13항에 있어서,상기 복원클록 생성부는,상기 조절신호와 상기 복원클록의 주파수 차이를 검출하기 위한 주파수 검출부;상기 주파수 검출부의 출력신호에 응답하여 그 전압레벨이 조절되는 차지전압을 생성하는 차지전압 생성부; 및상기 차지전압의 레벨에 대응하여 그 주파수가 조절되는 상기 복원클록을 발진하기 위한 발진부를 구비하는 반도체 시스템
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제14항에 있어서,상기 스큐 감지부는,상기 복원클록을 설정된 지연량만큼 지연시킨 클록과 상기 조절신호의 위상차이를 검출하기 위한 제1 검출부;상기 조절신호를 상기 설정된 지연량만큼 지연시킨 클록과 상기 복원클록의 위상차이를 검출하기 위한 제2 검출부; 및설정된 주기를 기준으로 상기 제1 및 제2 검출부의 출력신호에 응답하여 상기 지연제어신호를 생성하는 지연제어신호 생성부를 구비하는 반도체 시스템
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제11항에 있어서,상기 수신부는,상기 다수의 채널을 통해 전송된 신호를 수신하고, 수신된 신호를 상기 복원클록을 기준으로 샘플링하여 다수의 복원신호를 생성하는 신호복원부를 더 구비하는 반도체 시스템
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제11항에 있어서,상기 홀수 번째 채널에 실리는 신호와 상기 짝수 번째 채널에 실리는 신호는 동작클록의 에지를 기준으로 각각 설정된 패턴을 갖는 반도체 시스템
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제17항에 있어서,상기 홀수 번째 채널에 실리는 신호와 상기 짝수 번째 채널에 실리는 신호는 서로 상반되는 논리레벨을 가지며, 상기 동작클록의 에지마다 각각 그 논리레벨이 천이하는 반도체 시스템
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제11항에 있어서,상기 수신부는 반도체 장치이고, 상기 송신부는 반도체 장치 컨트롤러인 반도체 시스템
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제11항에 있어서,상기 수신부는 반도체 장치 컨트롤러이고, 상기 송신부는 반도체 장치인 반도체 시스템
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