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발광 소자

  • 기술번호 : KST2015133247
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시 예는 제1 반도체층, 제2 반도체층, 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광 구조물, 상기 제2 반도체층 상에 배치되는 그래핀층, 상기 그래핀층의 일 영역 상에 배치되는 전극, 및 상기 그래핀층의 다른 일 영역 상에 배치되는 산화 방지층을 포함한다.
Int. CL H01L 33/44 (2010.01.01) H01L 29/16 (2006.01.01) H01L 33/38 (2010.01.01)
CPC H01L 33/44(2013.01) H01L 33/44(2013.01) H01L 33/44(2013.01)
출원번호/일자 1020120147163 (2012.12.17)
출원인 엘지이노텍 주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0078142 (2014.06.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.11.30)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김지현 대한민국 서울 강남구
2 김병재 대한민국 서울 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영복 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-1045846-27
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
5 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-1214060-47
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.11.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1195337-12
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2017-1195338-57
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.01.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0007754-10
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2019-0194480-00
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.02.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0194479-53
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0191567-05
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2019-0472680-78
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.05.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0472679-21
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0550446-55
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 반도체층, 제2 반도체층, 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광 구조물;상기 제2 반도체층 상에 배치되는 그래핀층;상기 그래핀층의 일 영역 상에 배치되는 전극; 및상기 그래핀층의 다른 일 영역 상에 배치되는 산화 방지층을 포함하는 발광 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 산화 방지층은 투광성 절연층인 발광 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 산화 방지층은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물인 발광 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 그래핀층은 단일 또는 복수의 층인 발광 소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 산화 방지층은 상기 그래핀층의 측면을 덮는 발광 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 산화 방지층의 두께는 10nm ~ 100nm인 발광 소자
7 7
제1항에 있어서,상기 발광 소자는 200nm ~ 375nm의 파장을 갖는 빛을 발생하는 발광 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.