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초음파를 이용한 무기 입자의 선택적인 물리적 증착 방법 및 이로부터 제조된 기질 상의 씨드 균일층으로부터 성장된 카바자이트 제올라이트 분리막 및 이에 사용되는 판상의 실리카 카바자이트 제올라이트 입자 및 이를 제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2015133278
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초음파를 이용한 무기 입자의 선택적인 물리적 증착 방법 및 이로부터 제조된 기질 상의 씨드 균일층으로부터 성장된 카바자이트 제올라이트 분리막 및 이에 사용되는 판상의 실리카 카바자이트 제올라이트 입자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 선택적으로 얇은 입자들을 기질 또는 지지대 위에 증착시킬 수 있고 또한 물리적 결합만으로도 높은 표면 범위(surface coverage)를 얻을 수 있어 이차 성장을 통해 재현성 있게 제올라이트와 같은 무기 재료 분리막을 제조하는데 큰 역할을 하는 균일한 층을 형성할 수 있는 초음파를 이용한 무기 입자의 선택적인 물리적 증착 방법 및 이로부터 제조된 기질 상의 씨드 균일층으로부터 성장된 카바자이트 제올라이트 분리막 및 이에 사용되는 판상의 실리카 카바자이트 제올라이트 입자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
Int. CL B01J 29/06 (2006.01) B01J 20/18 (2006.01) B01D 71/02 (2006.01) C01B 39/02 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130044411 (2013.04.22)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1460322-0000 (2014.11.04)
공개번호/일자 10-2014-0127386 (2014.11.04) 문서열기
공고번호/일자 (20141113) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020140111055;
심사청구여부/일자 Y (2013.04.22)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최정규 대한민국 서울 성북구
2 김은주 대한민국 서울 성북구
3 카이 완 중국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 신지 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 ***호실(역삼동, 청원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0353107-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0461757-54
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.06.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0047147-77
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0432177-50
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0807781-66
9 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2014.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0807731-94
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.08.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0807792-68
11 등록결정서
Decision to grant		 2014.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0738336-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
초음파를 이용한 무기 입자의 선택적인 물리적 증착 방법에 있어서,판상 무기 입자와 상기 판상 무기 입자 보다 많은 양의 입방체 무기 입자로 분산된 무기 입자 중 판상 무기 입자를 우선적으로 기질 또는 지지체에 도달케 하는 제1단계와,상기 기질 또는 지지체에 상기 도달한 판상 무기 입자가 균일하게 증착되도록 초음파 처리하는 제2단계와,상기 균일하게 증착되는 판상 무기 입자는 상기 기질 또는 지지체와 물리적 결합력으로 결합되는 제3단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 초음파를 이용한 무기 입자의 선택적인 물리적 증착 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 판상 무기 입자는 하기 수학식을 모두 만족하되,(수학식 1)(수학식 2)여기서, x는 입자의 평균 길이, y는 입자의 평균 폭, z는 입자의 평균 높이인 것을 특징으로 하는, 초음파를 이용한 무기 입자의 선택적인 물리적 증착 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 제1단계는 기질 또는 지지체와 이를 샌드위치하고 있는 글래스 사이의 공간을 통해 상기 판상 무기 입자가 우선적으로 접근하도록 접근성을 조절함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는, 초음파를 이용한 무기 입자의 선택적인 물리적 증착 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 기질 또는 지지체는 평판형 또는 원통형인 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는, 초음파를 이용한 무기 입자의 선택적인 물리적 증착 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 무기 입자는 실리카 카바자이트(Si-CHA) 입자, 금속 입자 또는 금속 산화물이고, 상기 기질 또는 지지체는 실리콘, 글래스, 알루미나 또는 알파 알루미나(α-Al2O3) 디스크인 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는, 초음파를 이용한 무기 입자의 선택적인 물리적 증착 방법
6 6
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 증착 방법으로 제조된 기질 상의 씨드 균일층으로부터 성장된 카바자이트 제올라이트 분리막으로서,상기 무기 입자는 실리카 카바자이트(Si-CHA) 입자, 금속 입자 또는 금속 산화물이고, 상기 기질 또는 지지체는 알파 알루미나 디스크로서, 상기 기질 상의 씨드 균일층으로부터 수열 성장을 통해 2차 성장된 것을 특징으로 하는, 씨드 균일층으로부터 성장된 카바자이트 제올라이트 분리막
7 7
제6항에 있어서,상기 수열 성장은 100℃~190℃의 오토클레이브에서 24시간 이상 처리된 것을 특징으로 하는, 씨드 균일층으로부터 성장된 카바자이트 제올라이트 분리막
8 8
제6항에 있어서,상기 기질 상의 씨드 균일층을 몰 비율 100 SiO2: 10 Na2O: 2
9 9
제6항에 있어서,상기 제올라이트 분리막은 하소단계를 거친 것을 특징으로 하는, 씨드 균일층으로부터 성장된 카바자이트 제올라이트 분리막
10 10
제9항에 있어서,상기 하소단계는 100~500 cc·min-1 공기 또는 산소의 흐름 하에서 0
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 고려대학교 Korea CCS 2020 사업 이산화탄소 선택적인 실리카 제올라이트 분리막 제조