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고상성장을 이용한 태양전지 도핑층 형성방법

  • 기술번호 : KST2015133296
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 전극 소성 공정시 에미터 또는 전면전계 및 후면전계를 동시 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 제조된 태양전지는 p-n 접합 면적이 확대되어 태양광 수광 능력이 향상되고, 높은 표면 재결합 방지 효과를 나타내어 광전기 변환 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/202(2013.01) H01L 31/202(2013.01) H01L 31/202(2013.01) H01L 31/202(2013.01) H01L 31/202(2013.01)
출원번호/일자 1020130050291 (2013.05.03)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1300803-0000 (2013.08.21)
공개번호/일자 10-2013-0069678 (2013.06.26) 문서열기
공고번호/일자 (20130829) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2011-0069601 (2011.07.13)
관련 출원번호 1020110069601
심사청구여부/일자 Y (2013.05.03)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동환 대한민국 서울 서초구
2 탁성주 대한민국 서울 노원구
3 박효민 대한민국 서울 성북구
4 김영도 대한민국 서울 서초구
5 박성은 대한민국 부산 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이지 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-***

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2013.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2013-0394791-12
2 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0573743-76
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
결정질 실리콘 기판 전면에 에미터 또는 전면전계로 작용하는 불순물이 도핑된 비정질 층을 PECVD법으로 증착하는 단계;상기 불순물이 도핑된 비정질 층 상에 반사방지막을 증착하는 단계;상기 반사방지막 상 및 결정질 실리콘 기판 후면에 금속 페이스트를 인쇄하는 단계; 및 상기 금속 페이스트가 인쇄된 결정질 실리콘 기판을 소성하는 단계;를 포함하고, 상기 금속 페이스트가 인쇄된 결정질 실리콘 기판을 소성하는 단계에서, 소성으로 인해 상기 불순물이 도핑된 비정질 층은 고상성장하게 되고 상기 비정질층의 불순물을 결정질 실리콘 기판으로 확산시켜 에미터 또는 전면전계를 형성함과 동시에 전면전극은 오믹접촉을 하게 되고 후면전극 물질은 결정질 실리콘 기판으로 도핑되어 후면전계가 형성되는 것을 특징으로 하는 고상성장을 이용한 태양전지 도핑층 형성방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 비정질 층에 도핑된 에미터 또는 전면전계로 작용하는 불순물의 농도는 1018 cm-3 내지 1021 cm-3인 것을 특징으로 하는 고상성장을 이용한 태양전지 도핑층 형성방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 에미터 또는 전면전계로 작용하는 불순물은 인(P), 비소(As) 및 안티몬(Sb)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고상성장을 이용한 태양전지 도핑층 형성방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 결정질 기판 전면에 증착된 에미터 또는 전면전계로 작용하는 불순물이 도핑된 비정질 층은 0
5 5
제 1항에 있어서,상기 반사방지막은 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiO2)인 것을 특징으로 하는 고상성장을 이용한 태양전지 도핑층 형성방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 금속 페이스트는 은(Ag) 페이스트 또는 알루미늄(Al) 페이스트인 것을 특징으로 하는 고상성장을 이용한 태양전지 도핑층 형성방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 금속 페이스트가 인쇄된 결정질 실리콘 기판을 소성하는 단계는 600 내지 750℃의 온도에서 수행함으로써, 결정질 실리콘 기판 전면의 도핑층 및 전극을 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 고상성장을 이용한 태양전지 도핑층 형성방법
8 8
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 고상성장을 이용한 태양전지 도핑층 형성방법으로 제조된 태양전지
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1 KR1020130008913 KR 대한민국 FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국에너지기술평가원 고려대학교 산학협력단 지식경제기술혁신사업 고효율 결정질 실리콘 태양전지