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투명기판;상기 투명기판 상면에 나노입자인 색변환 발광물질이 코팅되어 상기 색변환 발광물질들 사이사이에 공극이 형성된 색변환 발광층; 및원자층 증착법(ALD; Atomic Layer Deposition)으로 상기 색변환 발광물질의 표면을 둘러싸도록 코팅하여 색변환 발광물질들 사이의 공극을 채운 무기 코팅층;을 포함하며,상기 무기 코팅층은 색변환 발광물질 표면을 둘러싸도록 코팅됨으로써, 상기 무기 코팅층 내부에 색변환 발광물질들이 구비되는 것을 특징으로 하는 색변환 필름
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제1항에 있어서, 상기 무기 코팅층 상면에 고분자 코팅층을 추가로 형성하는 것을 특징으로 하는 색변환 필름
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제1항에 있어서, 상기 투명기판은 투명도가 30%이상인 것을 특징으로 하는 색변환 필름
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제1항에 있어서, 상기 투명기판은 플라스틱기판, 쿼츠(quartz)기판 및 유리기판으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 색변환 필름
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제1항에 있어서, 상기 색변환 발광물질은 양자점(QD), 무기형광물질, 유기형광물질, 유기발광물질 및 인광물질로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 색변환 필름
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제1항에 있어서, 상기 색변환 발광층의 두께는 10 내지 1000 nm인 것을 특징으로 하는 색변환 필름
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제1항에 있어서, 상기 무기 코팅층은 알루미늄 산화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화질화물, 마그네슘 산화물, 인듐 산화물, 하프늄산화물, 아연산화물, 주석산화물, 타니타늄산화물, 망간 산화물, 텅스텐산화물 및 마그네슘 불화물로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 색변환 필름
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제1항에 있어서, 상기 무기 코팅층의 두께는 0
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제2항에 있어서, 상기 고분자 코팅층은 실리콘계 수지, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 폴리우레탄계 수지 및 폴리이미드계 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자 수지로 형성된 것을 특징으로 하는 색변환 필름
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제2항에 있어서, 상기 고분자 코팅층의 두께는 50 nm 내지 50 ㎛인 것을 특징으로 하는 색변환 필름
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투명기판을 구비하는 단계;상기 투명기판을 필름의 상변화 온도이하로 가열하면서 투명기판의 상면에 용매에 분산된 나노입자인 색변환 발광물질을 코팅하여 상기 색변환 발광물질들 사이사이에 공극이 형성된 색변환 발광층을 형성하는 단계; 및원자층 증착법(ALD; Atomic Layer Deposition)으로 상기 색변환 발광물질의 표면을 둘러싸도록 코팅하여 상기 색변환 발광물질들 사이의 공극을 채움으로써 내부에 상기 색변환 발광물질들을 구비하는 무기 코팅층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 색변환 필름의 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 무기 코팅층 상면에 1종 이상의 고분자 수지를 혼합한 후 혼합한 고분자 물질을 코팅하여 고분자 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 색변환 필름의 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 색변환 발광물질은 양자점(QD), 무기형광물질, 유기형광물질, 유기발광물질 및 인광물질로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 색변환 필름의 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 무기 코팅층은 알루미늄 산화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화질화물, 마그네슘 산화물, 인듐 산화물, 하프늄산화물, 아연산화물, 주석산화물, 타니타늄산화물, 망간 산화물, 텅스텐산화물 및 마그네슘 불화물로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 색변환 필름의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 고분자 수지는 실리콘계 수지, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 폴리우레탄계 수지 및 폴리이미드계 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 색변환 필름의 제조방법
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제1항 내지 제6항, 제8항 내지 제10항 및 제11항 중 어느 한 항의 색변환 필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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