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식각액 및 상기 식각액 내에 이온화 가능한 금속을 포함하는 금속 전구체를 포함하는 용액을 준비하는 단계;상기 용액 내에 알루미늄 기재를 딥핑하여 상기 알루미늄 기재의 표면을 무전해 식각하는 동시에 상기 표면에 상기 금속을 무전해 증착함으로써 상기 알루미늄 기재의 표면 거칠기를 증가시키는 단계; 및상기 용액 내에 알루미늄 기재를 딥핑한 후, 상기 알루미늄 기재의 표면에 소수성 자기조립 단분자막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 표면 처리 방법
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식각액 및 상기 식각액 내에 이온화 가능한 금속을 포함하는 금속 전구체를 포함하는 용액을 준비하는 단계;상기 용액 내에 알루미늄 기재를 딥핑하여 상기 알루미늄 기재의 표면을 무전해 식각하는 동시에 상기 표면에 상기 금속을 무전해 증착함으로써 상기 알루미늄 기재의 표면 거칠기를 증가시키는 단계; 및상기 용액 내에 알루미늄 기재를 딥핑한 후, 상기 알루미늄 기재의 표면을 플라즈마 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 표면 처리 방법
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제1항 및 제2항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 식각액은 황산, 질산, 염산, 인산, 구연산, 개미산이 이루는 산성 용매 중 적어도 하나 또는 수산화나트륨, 수산화칼슘, 암모니아수, 수산화갈륨이 이루는 염기성 용매 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 표면 처리 방법
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제1항 및 제2항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 금속 전구체는 금속 질산염, 금속 황산염, 금속 아세트 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 표면 처리 방법
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삭제
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제1항 및 제2항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 알루미늄 기재의 일부를 커버하는 마스크를 배치하는 단계; 및상기 마스크가 상기 일부를 커버하는 상태에서, 상기 알루미늄 기재의 표면상에 자외선을 조사하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 표면 처리 방법
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