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제1 전하를 수용하도록 구비되며, 제1 나노 패턴을 구비한 제1 반도체 박막 및 상기 제1 반도체 박막 상에 형성되며 제2 나노 패턴을 갖는 제2 반도체 박막을 구비하는 제1 전하 수용층; 및상기 제1 전하 수용층 상에 배치되며, 상기 제1 전하에 반대되는 제2 전하를 수용하도록 구비된 제2 전하 수용층을 포함하고,상기 제2 나노 패턴은 덴드라이트 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 광 활성층 구조물
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제1항에 있어서, 상기 제1 나노 패턴은 필러 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 광 활성층 구조물
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제1항에 있어서, 상기 제2 반도체 박막은 제1형 및 제2형 반도체 물질들이 상분리 공정을 통하여 상기 제1 반도체 박막의 상부 표면에서 형성된 것을 특징으로 하는 광 활성층 구조물
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제1 전하를 수용하도록 구비되며, 제1 나노 패턴을 구비한 제1 반도체 박막 및 상기 제1 반도체 박막 상에 형성되며 제2 나노 패턴을 갖는 제2 반도체 박막을 구비하는 제1 전하 수용층을 형성하는 단계; 및상기 제1 전하 수용층 상에 상기 제1 전하에 대응되는 제2 전하 수용층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제2 반도체 박막은 제1형 및 제2형 반도체 물질들이 상분리 공정을 통하여 형성된 것을 특징으로 하는 광 활성층 구조물의 형성 방법
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제5항에 있어서, 상기 제1 전하 수용층을 형성하는 단계는,대상체 상에 제1형 및 제2형 반도체 물질들이 혼합된 유기 용액으로 코팅하여 블렌딩 고분자층을 형성하는 단계;상기 제1 나노 패턴에 대응되는 요철이 형성되는 몰드를 이용하여 상기 블렌딩 고분자층에 대하여 임프린팅 공정 및 상분리 공정을 수행하여, 상기 제1형 반도체 물질로 이루어진 상기 제1 반도체 박막 및 상기 제2형 반도체 물질로 이루어진 상기 제2 반도체 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 활성층 구조물의 형성 방법
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제6항에 있어서, 상기 몰드 및 상기 제2형 반도체 물질은 상호 대응되는 표면 에너지를 갖고, 상기 제1형 반도체 물질 및 상기 대상체는 상호 대응되는 표면 에너지를 갖는 것을 특징으로 하는 광 활성층 구조물의 형성 방법
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제5항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전하 수용층들을 형성하는 단계는,대상체 상에 제1형 반도체 물질들이 해리된 유기 용액으로 코팅하여 제1 예비 반도체 박막을 형성하는 단계;상기 제1 예비 반도체 박막에 대하여 상기 제1 나노 패턴에 대응되는 요철이 형성되는 몰드로 임프린팅 공정을 수행하여, 상기 제1 나노 패턴이 상부에 형성된 제1 반도체 박막을 형성하는 단계;상기 제1 반도체 박막 상에 제1형 및 제2형 반도체 물질들이 혼합된 유기 용액으로 코팅하여 블렌딩 고분자층을 형성하는 단계;상기 블렌딩 고분자층에 대하여 상분리 공정을 수행하여, 상기 제1 반도체 박막 상에 상기 제1형 반도체 물질로 이루어진 상기 제2 반도체 박막 및 상기 제2 반도체 박막 상에 상기 제2형 반도체 물질로 이루어진 상기 제2 전하 수용층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 활성층 구조물의 형성 방법
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제8항에 있어서, 상기 블렌딩 고분자층에 대하여 상분리 공정을 수행하는 단계는, 상기 제2형 반도체 물질에 대응되는 표면 에너지를 갖는 템플릿을 이용하여 상기 블렌딩 고분자층을 열압착하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 활성층 구조물의 형성 방법
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기판 상에 제1 전하를 수송하는 제1 전하 수송층;상기 제1 전하를 수용하도록 구비되며, 제1 나노 패턴을 구비한 제1 반도체 박막 및 상기 제1 반도체 박막 상에 형성되며 제2 나노 패턴을 갖는 제2 반도체 박막을 구비하는 제1 전하 수용층 및 상기 제1 전하 수용층 상에 배치되며, 상기 제1 전하에 대응되는 제2 전하를 수용하도록 구비된 제2 전하 수용층을 구비한 광활성층 구조물; 및상기 제2 전하 수용층 상에 배치되며, 상기 제2 전하를 수송하는 제2 전하 수송층을 포함하고,상기 제2 나노 패턴은 덴드라이트 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기태양전지
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