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발광 다이오드

기술번호 : KST2015133451
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	중간층을 이용한 반사막을 포함하는 발광 다이오드 제조 방법, 및 상기 방법으로 제조한 발광 다이오드가 개시된다. 발광 다이오드 제조 방법은, n형 반도체층과 p형 반도체층 사이의 활성층에서 생성된 광을 반사하는 반사막층을 포함하는 발광 다이오드를 제조하는 방법으로서, 반사막층의 제조는, 제 1 반사막 층을 형성하는 단계, 제 1 반사막층 상에 제 1 반사막층과 다른 성분의 중간층을 형성하는 단계, 및 중간층상에 제 2 반사막 층을 형성하는 단계를 포함하며, 중간층은 열처리시 제 2 반사막층으로 확산하는 성분의 금속이다. 이와 같이, 반사막층 사이에 반사막층으로 확산하는 금속 성분의 중간층을 삽입하는 경우, 반사막의 열안정성을 향상시킬 수 있게 된다.
Int. CL	H01L 33/10 (2010.01) H01L 33/32 (2010.01)
CPC	H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01)
출원번호/일자	1020130070193 (2013.06.19)
출원인	엘지이노텍 주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-1448842-0000 (2014.10.01)
공개번호/일자	10-2014-0000634 (2014.01.03) 문서열기
공고번호/일자	(20141013) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자	10-2012-0067148 (2012.06.22)
관련 출원번호	1020120067148
심사청구여부/일자	Y (2013.06.19)
심사청구항수	9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지이노텍 주식회사	대한민국	서울특별시 강서구
2	고려대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	성태연	대한민국	서울 서초구
2	전준우	대한민국	서울 동대문구
3	염웅선	대한민국	인천 계양구
4	한재천	대한민국	서울 중구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김용인	대한민국	서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2	박영복	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지이노텍 주식회사		서울특별시 강서구
2	고려대학교 산학협력단		서울특별시 성북구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[분할출원]특허출원서 [Divisional Application] Patent Application	2013.06.19	수리 (Accepted)	1-1-2013-0545087-85
2	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.08.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0608941-19
3	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2013.10.24	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0962717-66
4	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2013.10.24	수리 (Accepted)	1-1-2013-0962715-75
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.02.11	수리 (Accepted)	4-1-2014-5018243-16
6	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2014.02.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0149002-18
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2014.04.08	수리 (Accepted)	1-1-2014-0333787-00
8	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2014.04.08	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0333786-54
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.04.22	수리 (Accepted)	4-1-2014-5049934-62
10	등록결정서 Decision to grant	2014.08.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0593594-62
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.10.27	수리 (Accepted)	4-1-2014-0093826-77
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.03.08	수리 (Accepted)	4-1-2017-5035901-08
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.07.18	수리 (Accepted)	4-1-2018-5136723-03
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.10.10	수리 (Accepted)	4-1-2019-5210941-09
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.01.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5011221-01

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 n형 반도체층과 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 질화 갈륨 반도체층; 및상기 질화 갈륨 반도체층 상에 배치된 반사막층을 포함하고,상기 반사막층은 제1 반사막층과 제2 반사막층 및, 상기 제1 반사막층과 제2 반사막층 사이에 배치되고 상기 제1 반사막층과 다른 성분의 중간층을 포함하고, 상기 중간층의 성분이 상기 제1 반사막층 방향과 제2 반사막층 방향 중 적어도 하나의 방향으로 확산되고, 상기 확산된 중간층의 성분은 상기 중간층의 표면에서 산화물을 이루는 발광 다이오드
2	2 삭제
3	3 삭제
4	4 제1 항에 있어서,상기 제2 반사막층은 은(Ag)을 포함하는 발광 다이오드
5	5 제1 항에 있어서,상기 중간층은 아연(Zn), 인듐(In), 로듐(Rh), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속 또는 금속 화합물을 포함하는 발광 다이오드
6	6 제1 항에 있어서,상기 산화물은 산화아연인 발광 다이오드
7	7 제1 항에 있어서,상기 중간층은 TCO(Transparent Conducting Oxide) 또는 아연(Zn)을 포함하는 발광 다이오드
8	8 제1 항에 있어서,상기 제1 반사막층의 두께는 100 나노미터 이상인 발광 다이오드
9	9 제1 항에 있어서,상기 제1 반사막층과 제2 반사막층의 두께의 합은 200 나노미터 이상인 발광 다이오드
10	10 제1 항에 있어서,상기 중간층은 5 나노미터의 두께로 형성되고, 섭씨 500도 이상에서 열처리되는 발광 다이오드
11	11 제1 항에 있어서,상기 중간층은 10 나노미터의 두께로 형성되고, 섭씨 300도의 온도의 열처리되는 발광 다이오드

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	KR101294246	KR	대한민국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다

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법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1448842-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20130619 출원 번호 : 1020130070193 공고 연월일 : 20141013 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140828 청구범위의 항수 : 9 유별 : H01L 33/10 발명의 명칭 : 발광 다이오드 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구...
1	(권리자) 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	396,000 원	2014년 10월 02일	납입
제 4 년분	금 액	238,000 원	2017년 09월 05일	납입
제 5 년분	금 액	238,000 원	2018년 09월 10일	납입
제 6 년분	금 액	238,000 원	2019년 09월 16일	납입
제 7 년분	금 액	442,000 원	2020년 09월 14일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[분할출원]특허출원서	2013.06.19	수리 (Accepted)	1-1-2013-0545087-85
2	의견제출통지서	2013.08.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0608941-19
3	[명세서등 보정]보정서	2013.10.24	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0962717-66
4	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2013.10.24	수리 (Accepted)	1-1-2013-0962715-75
5	출원인정보변경(경정)신고서	2014.02.11	수리 (Accepted)	4-1-2014-5018243-16
6	의견제출통지서	2014.02.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0149002-18
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2014.04.08	수리 (Accepted)	1-1-2014-0333787-00
8	[명세서등 보정]보정서	2014.04.08	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0333786-54
9	출원인정보변경(경정)신고서	2014.04.22	수리 (Accepted)	4-1-2014-5049934-62
10	등록결정서	2014.08.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0593594-62
11	출원인정보변경(경정)신고서	2014.10.27	수리 (Accepted)	4-1-2014-0093826-77
12	출원인정보변경(경정)신고서	2017.03.08	수리 (Accepted)	4-1-2017-5035901-08
13	출원인정보변경(경정)신고서	2018.07.18	수리 (Accepted)	4-1-2018-5136723-03
14	출원인정보변경(경정)신고서	2019.10.10	수리 (Accepted)	4-1-2019-5210941-09
15	출원인정보변경(경정)신고서	2020.01.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5011221-01

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