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트랜스듀서를 이용한 터널 막장의 전방 탐사 방법

  • 기술번호 : KST2015133666
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 터널 막장의 전방(前方) 탐사 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 트랜스듀서를 이용하여 터널 막장의 전방으로 탄성파를 발생시키고 지반으로부터 반사된 탄성파를 수신하여 터널 전방의 단층대, 파쇄대 등을 알아낼 수 있는 탐사 방법에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명인 터널 막장의 전방 탐사 방법은, (a) 탄성파를 발생시키는 소스부와, 지반으로부터 반사된 탄성파를 수신하는 리시버부를 터널 막장면에 설치하는 단계; 및 (b) 소스부와 리시버부를 함께 회전시키면서 소스부를 통하여 탄성파를 발생시키고, 리시버부를 통하여 지반으로부터 반사된 탄성파를 수신하는 단계;를 포함한다.터널 막장, 탐사, 트랜스듀서, 지질 상태
Int. CL G01V 3/08 (2006.01)
CPC G01V 3/08(2013.01) G01V 3/08(2013.01) G01V 3/08(2013.01)
출원번호/일자 1020060102174 (2006.10.20)
출원인 지에스건설 주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0035751 (2008.04.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.10.20)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 지에스건설 주식회사 대한민국 서울특별시 종로구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이훈연 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 이상필 대한민국 서울 구로구
3 김동현 대한민국 서울특별시 관악구
4 김욱영 대한민국 서울 구로구
5 전일수 대한민국 서울 관악구
6 이인모 대한민국 서울 중랑구
7 이종섭 대한민국 서울 노원구
8 김승선 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 제갈혁 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2006-0757458-40
2 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
2007.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0225119-34
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043540-16
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.07.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.08.10 수리 (Accepted) 9-1-2007-0045213-15
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0527881-48
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0857932-38
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.11.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0857931-93
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2008.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0166470-19
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.05.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2008-0372122-10
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0372124-12
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0499664-80
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.03.03 수리 (Accepted) 4-1-2010-5036043-54
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5015493-98
18 출원인정보변경(경정)신고서
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2014.02.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5015497-70
19 출원인정보변경(경정)신고서
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2014.02.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5017368-35
20 출원인정보변경(경정)신고서
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2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
21 출원인정보변경(경정)신고서
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2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018394-91
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
23 출원인정보변경(경정)신고서
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2015.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5046619-15
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 탄성파를 발생시키는 소스부와, 지반으로부터 반사된 탄성파를 수신하는 리시버부를 터널 막장면에 설치하는 단계; 및(b) 소스부와 리시버부를 함께 회전시키면서 소스부를 통하여 탄성파를 발생시키고, 리시버부를 통하여 지반으로부터 반사된 탄성파를 수신하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 터널 막장의 전방 탐사 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 (a) 단계 이전에 터널 막장면에 그 단면이 원호인 홈을 굴착하는 단계를 더 포함하고,소스부와 리시버부는 홈을 따라 이동되면서 탄성파를 발생시키고 지반으로부터 반사된 탄성파를 수신하는 것을 특징으로 하는 터널 막장의 전방 탐사 방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,소스부로부터 발생된 탄성파가 터널 막장면에서 반사되는 것을 최소화하기 위하여 소스부와 터널 막장면 사이에 커플링 물질을 채우는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 터널 막장의 전방 탐사 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 (a) 단계 이전에 터널 막장면을 그라인더를 이용하여 평탄하게 하는 것을 특징으로 하는 터널 막장의 전방 탐사 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 (a) 단계 이전에 터널 막장면을 충진부재를 이용하여 평탄하게 하는 것을 특징으로 하는 터널 막장의 전방 탐사 방법
6 6
제1항 또는 제2항에 있어서,소스부는 30 내지 200kHz의 탄성파를 발생시키는 것을 특징으로 하는 터널 막장의 전방 탐사 방법
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