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제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 및상기 발광 구조물과 접하는 플라즈몬층(plasmon layer)을 포함하며,상기 플라즈몬층은,상기 활성층으로부터 발생하는 빛을 흡수하고, 상기 발광 구조물과 상기 플라즈몬층 사이에서 일어나는 표면 플라즈몬 공명에 의하여 빛을 방출하는 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 플라즈몬층은,아일랜드들(islands)을 포함하는 구조인 발광 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 플라즈몬층은,Al, Pt, Cu, Cr, Pd, Ag, 또는 Au 중 어느 하나인 발광 소자
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제2항에 있어서,상기 플라즈몬층은 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되고, 상기 제1 도전형 반도체층의 일부는 노출되며, 상기 노출되는 제1 도전형 반도체층 일부 상에 배치되는 제1 전극;상기 플라즈몬층 및 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 전도층; 및상기 전도층 상에 배치되는 제2 전극을 더 포함하는 발광 소자
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제2항에 있어서,상기 플라즈몬층은 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되고,상기 제2 도전형 반도체층 아래에 배치되는 제2 전극층;상기 플라즈몬층 및 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 전극을 더 포함하는 발광 소자
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제4항 또는 제5항에 있어서,상기 플라즈몬층은 표면에 거칠기를 갖는 발광 소자
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제4항 또는 제5항에 있어서,상기 아일랜드의 평균 직경은 10nm ~ 100nm이고, 상기 아일랜드의 두께는 1nm ~ 100nm인 발광 소자
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