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절연 게이트 바이폴라 트랜지스터에 있어서:
상기 트랜지스터의 게이트의 하단에 P형 쉴딩 영역(P-type shielding layer)을 포함하는 것을 특징으로 하는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터
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2
제 1 항에 있어서,
기판의 상면 일부에 상기 게이트가 형성될 부분이 트렌치 식각(trench etching)되고, 상기 식각된 곳에 P형 불순물(P-type dopant)이 주입되며, 상기 주입된 불순물이 확산되어(drive-in) 상기 P형 쉴딩 영역이 형성된 것을 특징으로 하는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터
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3
제 1 항에 있어서,
상기 P형 쉴딩 영역의 두께는 0
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4
제 2 항에 있어서,
상기 P형 쉴딩 영역은 열 공정을 통해 상기 트랜지스터의 베이스 영역과 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터
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5
제 2 항에 있어서, 상기 불순물의 주입은
열 확산법, 이온 주입법 중 어느 하나에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터
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6
절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 제조 방법에 있어서:
상기 트랜지스터의 게이트의 하단에 P형 쉴딩 영역(P-type shielding layer)을 형성하는 단계를 포함하는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 제조 방법
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7
제 6 항에 있어서,
(a)기판의 상면 일부에 상기 게이트가 형성될 부분을 트렌치 식각(trench etching)하는 단계;
(b)상기 식각된 곳에 P형 불순물(P-type dopant)을 주입하는 단계; 및
(c)상기 주입된 불순물을 확산시켜(drive-in) 상기 P형 쉴딩 영역을 형성시키는 단계를 포함하는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 제조 방법
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8
제 6 항에 있어서,
상기 P형 쉴딩 영역의 두께는 0
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9
제 7 항에 있어서,
상기 (c)단계는 열 공정을 통해 상기 트랜지스터의 베이스 영역의 형성과 동시에 진행되는 것을 특징으로 하는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 제조 방법
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10
제 7 항에 있어서, 상기 (b)단계는
열 확산법, 이온 주입법 중 어느 하나에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 제조 방법
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11
제 6 항 내지 제 10 항의 어느 한 항의 방법을 컴퓨터에서 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체
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