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n형 반도체층과 p형 반도체층 사이의 활성층에서 생성된 광을 반사하는 반사막층을 포함하는 발광 다이오드를 제조하는 방법으로서,상기 반사막층의 제조는,제 1 반사막층을 형성하는 단계;상기 제 1 반사막층 상에 상기 제 1 반사막 층과 다른 성분의 중간층을 형성하는 단계; 및상기 중간층상에 제 2 반사막층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 중간층은 열처리시 제 2 반사막층으로 확산하는 성분의 물질인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 제 2 반사막층의 성분은 은(Ag)인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 중간층의 물질은 아연(Zn), 인듐(In), 로듐(Rh), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 중간층의 물질은 아연(Zn), 인듐(In), 로듐(Rh), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 화합물인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 중간층의 물질은 TCO(Transparent Conducting Oxide)인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
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제 3항에 있어서,상기 중간층의 성분은 아연(Zn)인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 제 1 반사막층의 두께는 100nm 이상인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
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제 7항에 있어서,상기 제 1 반사막층과 제 2 반사막층의 두께의 합은 200nm 이상인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 중간층의 두께는 미리 설정된 온도 이하에서 더 두껍게 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
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제 9항에 있어서,상기 미리 설정된 온도는 섭씨 300도보다 크고 섭씨 500도보다 작은 온도인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
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제 9항에 있어서,상기 중간층의 두께는 상기 미리 설정된 온도 이하에서는 5nm보다 크게 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
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제 9항에 있어서,상기 중간층의 두께는 상기 미리 설정된 온도보다 큰 온도에서는 20nm보다 작게 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
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