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순차적으로 형성된 제 1 도전형 반도체층, 활성층 및 제 2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조체를 준비하는 발광 구조체 준비 단계;상기 제 2 도전형 반도체층의 상부를 요철 패턴을 가지는 광 추출층으로 형성하는 광 추출층 형성 단계;상기 광 추출층이 형성된 상기 발광 구조체를 나노 물질들이 분산된 용액에 디핑하는 디핑 단계; 및상기 발광 구조체를 용액으로부터 꺼내고 용액을 증발시켜 상기 나노 물질들을 상기 광 추출층 상에 흡착시키는 흡착 단계를 포함하며,상기 흡착 단계에서 상기 나노 물질들이 상기 광 추출층에 부분적으로 흡착되어 상기 광 추출층 상에 복수의 요철을 형성하는 나노 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 흡착 단계는 열처리 방법에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 디핑 단계는 상기 나노 물질들로 투명 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 나노 물질들은 탄소 나노 튜브 또는 그라핀(graphene)인 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 요철 패턴의 철 부분은 삼각뿔 형상인 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 흡착 단계 후 상기 광 추출층 상에 전극을 형성하는 전극 형성 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 1 도전형 반도체층;상기 제 1 도전형 반도체층 상에 형성되는 활성층;상기 활성층 상에 형성되며, 상부에 요철 패턴을 가지는 광추출층을 포함하는 제 2 도전형 반도체층; 및상기 광 추출층 상에 나노 물질들이 부분적으로 흡착되어 형성되는 나노 패턴을 포함하며, 상기 나노 패턴은 상기 광 추출층 상에 복수의 요철을 형성하고,상기 나노 물질들은 탄소 나노 튜브 또는 그라핀(graphene)인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 9 항에 있어서,상기 요철 패턴의 철 부분은 삼각뿔 형상인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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13
제 9 항에 있어서,상기 광 추출층 상에 형성되는 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 13 항에 있어서,상기 제 1 도전형 반도체층 중 상기 활성층이 형성된 면의 반대 면으로 차례대로 형성되는 투명 도전층과 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 14 항에 있어서,상기 반사층 중 상기 투명 도전층이 형성된 면의 반대 면으로 차례대로 형성되는 접착층과 지지 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 9 항에 있어서,상기 제 1 도전형은 p형이며, 상기 제 2 도전형은 n형인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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