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편광 발광다이오드

  • 기술번호 : KST2015133763
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 편광 발광다이오드에 관한 것으로, 특히 양자우물층 상부에 제1 그레이팅(grating)층을 형성시키고, 기판 상부에도 제2 그레이팅(grating)층을 형성시킴으로써, 편광된 많은 광을 전면으로 방사시킬 수 있는 편광 발광다이오드에 관한 것이다.본 발명인 편광 발광다이오드를 이루는 구성수단은, 발광다이오드에 있어서, 기판 상에 형성된 질화물 박막층과, 상기 질화물 박막층 상에 형성된 양자우물층을 포함하여 구성되되, 상기 양자우물층 상에 형성되어, 상기 양자우물층에서 발생한 광을 일부는 통과시키고 일부는 반사시키는 제1 그레이팅(grating)층과, 상기 기판 상부에 형성되어, 상기 제1 그레이팅층에서 반사된 광을 상기 제1 그레이팅층에서 통과될 수 있도록 회전시키기는 제2 그레이팅(grating)층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.발광다이오드, 편광
Int. CL H01L 33/20 (2014.01) H01L 33/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020070049604 (2007.05.22)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0863210-0000 (2008.10.07)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20081013) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.22)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박규환 대한민국 서울 강남구
2 최원준 대한민국 서울 동대문구
3 전헌수 대한민국 경기 군포시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0374311-55
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0221393-15
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0446787-19
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.06.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0446789-11
6 등록결정서
Decision to grant
2008.10.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0512688-26
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
발광다이오드에 있어서,기판 상에 형성된 질화물 박막층과, 상기 질화물 박막층 상에 형성된 양자우물층을 포함하여 구성되되, 상기 양자우물층 상에 형성되어, 상기 양자우물층에서 발생한 광을 일부는 통과시키고 일부는 반사시키는 제1 그레이팅(grating)층과, 상기 기판 상부에 형성되어, 상기 제1 그레이팅층에서 반사된 광을 상기 제1 그레이팅층에서 통과될 수 있도록 회전시키기는 제2 그레이팅(grating)층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 편광 발광다이오드
2 2
청구항 1에 있어서,상기 제1 그레이팅(grating)층과 상기 제2 그레이팅(grating)층은 서로 다른 그레이팅 패턴 방향을 가지는 것을 특징으로 하는 편광 발광다이오드
3 3
청구항 2에 있어서,상기 제1 그레이팅(grating)층은 상면의 대각선 방향으로 패턴화된 그레이팅 패턴을 가지는 것을 특징으로 하는 편광 발광다이오드
4 4
청구항 1에 있어서,상기 기판 상부와 질화물박막층 및 제2 그레이팅(grating)층 하부 사이에 반사층이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 편광 발광다이오드
5 5
청구항 1에 있어서,상기 질화물 박막층은 질화 갈륨, 질화 인지움(인듐) 및 질화 알루미늄 중 적어도 하나의 성분으로 이루어진 것을 특징으로 하는 편광 발광다이오드
6 6
청구항 1에 있어서,상기 기판은 사파이어인 것을 특징으로 하는 편광 발광다이오드
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07816699 US 미국 FAMILY
2 US20080290336 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2008290336 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7816699 US 미국 DOCDBFAMILY
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