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RF 정류기에 있어서,입력 신호를 교류-커플링(AC coupling)하는 커플링 캐패시터(coupling capacitor);상기 커플링 캐패시터 및 상기 RF 정류기의 출력단에 연결되어, 상기 입력 신호를 정류하는 제 1 정류부;상기 커플링 캐패시터 및 접지단에 연결되어, 상기 입력 신호를 정류하는 제 2 정류부;상기 RF 정류기의 출력단에 연결되는 로드 캐패시터; 및누설 전류를 도통시켜 상기 제 1 정류부 및 상기 제 2 정류부 중 적어도 하나의 문턱 전압 값을 상쇄하는, 적어도 하나의 오프(off)된 트랜지스터를 포함하고,상기 제 1 정류부 또는 상기 제 2 정류부는, 교류 형태의 입력 신호를 직류 형태로 정류하는 정류 트랜지스터;상기 정류 트랜지스터의 게이트와 드레인을 연결하는 내부 캐패시터; 및상기 내부 캐패시터와 병렬 연결된 내부 트랜지스터를 포함하는, RF 정류기
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제1항에 있어서,상기 제1 정류부의 정류 트랜지스터의 드레인단은, 상기 제1 정류부의 내부 캐패시터의 일단 및 상기 제1 정류부의 내부 트랜지스터의 소스단과 연결되고,상기 제1 정류부의 정류 트랜지스터의 게이트 단은, 상기 제1 정류부의 내부 캐패시터의 타단 및 상기 제1 정류부의 내부 트랜지스터의 게이트 단 및 드레인단과 연결되는, RF 정류기
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제1항에 있어서,상기 제2 정류부의 정류 트랜지스터의 게이트 단은, 상기 제2 정류부의 내부 캐패시터의 일단 및 상기 제2 정류부의 내부 트랜지스터의 게이트 단 및 드레인단과 연결되고,상기 제2 정류부의 정류 트랜지스터의 소스단은, 상기 제2 정류부의 내부 캐패시터의 타단 및 상기 제2 정류부의 내부 트랜지스터의 소스단과 연결되는, RF 정류기
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 정류부의 정류 트랜지스터 및 내부 트랜지스터는 PMOS(P-channel metal oxide semiconductor)이며,상기 제 2 정류부의 정류 트랜지스터 및 내부 트랜지스터는 NMOS(N-channel metal oxide semiconductor)인 RF 정류기
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제 1 항에 있어서,상기 내부 트랜지스터는, 상기 정류 트랜지스터의 문턱 전압을 상쇄하도록 하는 제 1 전압을 생성하는 RF 정류기
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제 6 항에 있어서,상기 내부 캐패시터는, 상기 내부 트랜지스터에서 생성된 상기 제 1 전압을 인가하여, 상기 정류 트랜지스터의 문턱 전압을 상쇄하는 RF 정류기
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제 1 항에 있어서,상기 내부 캐패시터의 충전 시간을 단축시키는 피드백(feedback) 캐패시터를 더 포함하는 RF 정류기
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제8항에 있어서,상기 피드백 캐패시터는 상기 제 1 정류부와 병렬 연결되고, 상기 제 2 정류부 및 상기 출력단을 연결하는 RF 정류기
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 오프 트랜지스터는 PMOS인 RF 정류기
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제10항에 있어서,상기 적어도 하나의 오프 트랜지스터의 게이트단은 상기 출력단과 연결되는 RF 정류기
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