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발광 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015133815
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시 예는 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 형성하는 단계, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 그래핀층(graphene layer)을 형성하는 단계, 상기 그래피층에 자외선을 조사하여 상기 그래핀층에 결함을 형성하는 자외선 처리 단계, 및 상기 결함이 형성된 그래핀층에 전도성을 향상시키기 위한 도펀트를 도핑하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 33/02 (2010.01.01) H01L 29/16 (2006.01.01)
CPC H01L 33/025(2013.01) H01L 33/025(2013.01) H01L 33/025(2013.01)
출원번호/일자 1020130121006 (2013.10.11)
출원인 엘지이노텍 주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2099440-0000 (2020.04.03)
공개번호/일자 10-2015-0042409 (2015.04.21) 문서열기
공고번호/일자 (20200515) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.09.18)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김지현 대한민국 서울 강남구
2 김병재 대한민국 서울 양천구
3 양광석 대한민국 서울 중구
4 정영훈 대한민국 서울 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영복 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
2 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0918256-43
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
5 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-1214061-93
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-0927346-48
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.10.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0715566-06
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-1178715-93
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.11.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1178714-47
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
14 등록결정서
Decision to grant
2020.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0176587-24
15 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2020.04.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-5009338-93
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 형성하는 단계;상기 제2 도전형 반도체층 상에 그래핀층(graphene layer)을 형성하는 단계;공기 중에서 상기 그래핀층에 자외선을 조사하여 상기 그래핀층에 결함을 형성하고 상기 그래핀층 내에 댕글링 본드들(dangling bonds)을 생성시키는 자외선 처리 단계;상기 자외선 처리 단계 이후에, 질산 또는 AuCl3 용액을 이용하여 상기 결함이 형성된 그래핀층에 p형 도펀트를 도핑하고, 도핑된 p형 도펀트를 상기 생성된 댕글링 본드들과 결합시키는 도핑 단계;상기 p형 도펀트가 도핑된 상기 그래핀층의 상부면의 제1 영역 상에 전극을 형성하는 단계; 및상기 p형 도펀트가 도핑된 상기 그래핀층의 상부면의 제2 영역 상에 투광성 절연 물질로 이루어진 산화 방지층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 자외선의 파장은 100nm ~ 375nm이고, 상기 제2 영역은 상기 제1 영역을 제외한 상기 그래핀층의 상부면의 나머지 영역인 발광 소자의 제조 방법
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.