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유리 기판 상에 형성된 투명전도 산화막;상기 투명전도 산화막 상에 형성된 광투과층;상기 광투과층 상에 형성된 광흡수층; 및상기 광흡수층 상에 형성된 금속이 도핑된 CdS층;을 포함하는 CdTe 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 광투과층은 n형의 CdS인 것을 특징으로 하는 CdTe 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 광흡수층은 p형의 CdTe인 것을 특징으로 하는 CdTe 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 CdS층에 도핑되는 금속은 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 나트륨(Na), 비스무스(Bi), 안티몬(Sb), 비소(As) 및 인(P)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나인 것을 특징으로 하는 CdTe 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 금속이 도핑된 CdS층의 두께는 10 내지 200nm인 것을 특징으로 하는 CdTe 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 금속이 도핑된 CdS층은 금속이 0
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유리 기판 상에 투명전도 산화막을 형성하는 단계;상기 투명전도 산화막 상에 광투과층을 형성하는 단계;상기 광투과층 상에 광흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광흡수층 상에 금속이 도핑된 CdS층을 형성하는 단계;를 포함하는 CdTe 태양전지 제조방법
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8
제 7항에 있어서,상기 CdS층에 도핑된 금속은 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 나트륨(Na), 비스무스(Bi), 안티몬(Sb), 비소(As) 및 인(P)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나인 것을 특징으로 하는 CdTe 태양전지 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 광흡수층 상에 금속이 도핑된 CdS층을 형성하는 단계는,상기 금속이 도핑된 CdS층을 10 내지 200nm로 형성하는 것을 특징으로 하는 CdTe 태양전지 제조방법
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10
제 7항에 있어서,상기 광흡수층 상에 금속이 도핑된 CdS층을 형성하는 단계는,CdS 박막에 0
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제 7항에 있어서,상기 광흡수층 상에 금속이 도핑된 CdS층을 형성하는 단계는,용액성장법(CBD)으로 CdS 박막 형성과 동시에 금속을 도핑하는 것을 특징으로 하는 CdTe 태양전지 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 광흡수층 상에 금속이 도핑된 CdS층을 형성하는 단계는,진공증착법 또는 스퍼터링법으로 CdS 박막을 형성한 뒤 금속을 도핑하는 것을 특징으로 하는 CdTe 태양전지 제조방법
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제 7항 또는 제 11항에 있어서,상기 광흡수층 상에 금속이 도핑된 CdS층을 형성하는 단계는, 카드뮴(Cd) 공급원, 황(S) 공급원 및 금속 공급원, 초순수용액(DI water) 및 완충용액을 포함하는 혼합용액을 제조하는 단계; 및상기 혼합용액에 투명전도 산화막, 광투과층 및 광흡수층이 순차적으로 형성된 유리기판을 담지시켜 55 내지 85℃로 가열하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 CdTe 태양전지 제조방법
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제 7항 또는 제 12항에 있어서,상기 광흡수층 상에 금속이 도핑된 CdS층을 형성하는 단계는,진공증착법 또는 스퍼터링법으로 CdS 박막을 형성하는 단계;상기 형성된 CdS 박막에 금속을 증착하는 단계; 및상기 금속이 증착된 CdS 박막을 100 내지 350℃에서 5 내지 60분간 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 CdTe 태양전지 제조방법
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