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수직형 발광 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015133924
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 수직형 발광 소자의 제조 방법에 따르면, 단결정 기판 및 반도체 적층체를 갖는 반도체 발광 구조물을 형성하고, 상기 반도체 발광 구조물 상에 에어로졸 증착 공정을 통하여 상기 반도체 적층체를 지지하도록 금속 지지층을 형성한다. 상기 단결정 기판을 상기 반도체 적층체로부터 분리한다.
Int. CL H01L 33/12 (2010.01) H01L 33/36 (2010.01)
CPC H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01)
출원번호/일자 1020140047325 (2014.04.21)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1568580-0000 (2015.11.05)
공개번호/일자 10-2015-0121458 (2015.10.29) 문서열기
공고번호/일자 (20151111) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.04.21)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성태연 대한민국 서울특별시 서초구
2 김성기 대한민국 서울특별시 동대문구
3 윤석구 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이동건 대한민국 서울특별시 강남구 논현로***길 *, *층 ***호 (논현동)(차암특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0376118-27
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2015-0018916-36
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0191540-24
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-0501721-84
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.06.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0605768-24
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0605779-26
8 등록결정서
Decision to grant		 2015.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0746459-96
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
단결정 기판 및 반도체 적층체를 갖는 반도체 발광 구조물을 형성하는 단계;상기 반도체 발광 구조물 상에 에어로졸 증착 공정을 통하여 상기 반도체 적층체를 지지하며 상기 반도체 적층체와 전기적으로 연결된 전극 및 상기 반도체 적층체로부터 발생하는 열을 방출하는 방열체로 기능할 수 있는 금속 지지층을 형성하는 단계: 및상기 단결정 기판을 상기 반도체 적층체로부터 분리하는 단계를 포함하고,상기 에어로졸 증착 공정은 Au, Cu, Ni, Ag, Mo, Al, Nb, W, Ti, Cr, Ta, Al, Pd, Pt, Si 중 적어도 하나의 성분을 포함하는 금속, 합금 또는 고용체를 이용하고, 상기 반도체 적층체에 대하여 스캐닝 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 에어로졸 증착 공정 전, 상기 반도체 발광 구조물 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 단결정 기판을 상기 반도체 적층체로부터 분리하기 전, 상기 금속 지지층에 대하여 어닐링하는 어닐링 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 어닐링 공정은 300 내지 500°C 온도에서 수행되는 것은 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 단결정 기판을 상기 반도체 적층체로부터 분리하는 단계는 레이저 리프트 오프 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조 방법
6 6
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1 미래창조과학부 포항공과대학교산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발 180lm/W급 고효율 나노기반 LED 개발