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나노입자를 이용한 배선 및 전극패턴 형성 방법 및 이를이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015133989
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 나노입자를 이용한 배선 및 전극패턴 형성 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기존의 배선을 형성하는 방법에 있어서 포토리소그래피를 이용한 금속 패턴 형성방식을 대신하여 잉크젯 방식의 패턴 형성 및 특정 파장대의 레이저 빔 조사를 통한 광학 열처리를 통해 투명 기판의 손상을 줄이고 전도성을 향상시킬 수 있는 배선 및 전극패턴 형성 방법 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다. 레이저, 나노입자, 잉크젯, 액정표시장치, 어레이기판, 광학열처리
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) G02F 1/1343 (2006.01)
CPC G02F 1/1343(2013.01) G02F 1/1343(2013.01) G02F 1/1343(2013.01) G02F 1/1343(2013.01)
출원번호/일자 1020080046075 (2008.05.19)
출원인 엘지디스플레이 주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1466787-0000 (2014.11.24)
공개번호/일자 10-2009-0120171 (2009.11.24) 문서열기
공고번호/일자 (20141128) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.30)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강한샘 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 주병권 대한민국 서울특별시 종로구
3 김상식 대한민국 서울특별시 송파구
4 윤정권 대한민국 경상남도 창원시 의창구
5 조경아 대한민국 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
2 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0352206-99
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0384835-81
3 보정요구서
Request for Amendment
2008.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0072017-69
4 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2008.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0405262-67
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
10 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0380640-54
11 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.12.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
13 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0009884-17
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
15 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0297755-51
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0612224-39
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.06.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0612225-85
18 등록결정서
Decision to grant
2014.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0795368-32
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 나노입자를 형성하는 단계와; 상기 금속 나노입자를 용매와 혼합하여 분산액을 형성하는 단계와;상기 금속 나노입자를 포함하는 분산액의 흡광도를 측정하여 플라즈몬 공명으로 인한 최대 빛 흡수 파장대를 추출하는 단계와;상기 금속 나노입자를 포함하는 분산액을 잉크젯 방식으로 기판 상에 프린팅하여 원하는 배선 및 전극패턴을 형성하는 단계와;상기 배선 및 전극패턴이 형성된 기판 전면에 대해 레이저 장치를 통해 상기 분산액의 상기 최대 빛 흡수 파장대와의 차이가 18nm 이내인 파장대의 레이저 빔을 조사하여 상기 배선 및 전극패턴에 대해서 광학 열처리를 실시하는 단계를 포함하며,상기 금속 나노입자는 그 직경이 1nm 내지 100nm인 금속 나노입자를 이용한 배선 및 전극패턴 형성방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 금속 나노입자는, 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt) 원소 중 선택된 어느 하나의 금속 또는 2개 이상의 금속이 합금된 형태로 형성되는 것을 특징으로 금속 나노입자를 이용한 배선 및 전극패턴 형성방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 레이저 장치는 200nm 내지 500nm 파장대의 레이저 빔 조사가 가능한 Ar 레이저, InGaN 레이저, He-Ni 레이저, He-Cd 레이저 중 선택된 어느 하나인 금속 나노입자를 이용한 배선 및 전극패턴 형성방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 레이저 장치는, 20mW 내지 450mW의 파워를 갖는 레이저 빔을 조사하는 금속 나노입자를 이용한 배선 및 전극패턴 형성방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 레이저 빔의 조사는 상기 배선 및 전극패턴의 내부 저항이 10μΩ·㎝ 내지 200μΩ·㎝가 되도록 조사시간 및 상기 파워를 조절하는 것이 특징인 금속 나노입자를 이용한 배선 및 전극패턴 형성방법
8 8
기판 상에 제 1 금속 나노입자를 포함하는 제 1 분산액을 잉크젯 장치를 통해 프린팅함으로써 일방향으로 연장하는 게이트 배선 패턴과, 상기 게이트 배선 패턴과 연결된 게이트 전극 패턴을 형성하는 단계와;상기 게이트 배선 패턴 및 게이트 전극 패턴이 형성된 기판에 대해 레이저 장치를 통해 상기 제 1 분산액의 최대 빛 흡수 파장대와의 차이가 18nm 이내인 파장대의 레이저 빔을 전면에 조사하여 상기 게이트 배선 패턴 및 게이트 전극 패턴에 대해서 선택적으로 제 1 광학 열처리를 실시함으로써 제 1 금속 나노입자로 이루어진 게이트 배선과 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 금속 나노입자로 이루어진 상기 게이트 배선과 게이트 전극 위로 게이트 절연막을 형성하는 단계와;상기 게이트 절연막 위로 상기 게이트 전극에 대응하여 반도체층을 형성하는 단계와;상기 반도체층 위로 제 2 금속 나노입자를 포함하는 제 2 분산액을 잉크젯 장치를 통해 프린팅함으로써 상기 게이트 배선과 교차하는 데이터 배선 패턴과 상기 반도체층 위로 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극 패턴을 형성하는 단계와;상기 데이터 배선 패턴과 소스 및 드레인 전극 패턴이 형성된 기판에 대해 레이저 장치를 통해 상기 제 2 분산액의 최대 빛 흡수 파장대와의 차이가 18nm 이내인 파장대의 레이저 빔을 전면에 조사하여 상기 데이터 배선 패턴과 소스 및 드레인 전극 패턴에 대해서 제 2 광학 열처리를 실시함으로써 제 2 금속 나노입자로 이루어진 데이터 배선과 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와;상기 제 2 금속 나노입자로 이루어진 제 2 광학 열처리 된 데이터 배선과 소스 및 드레인 전극 위로 상기 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 갖는 보호층을 형성하는 단계와;상기 보호층 위로 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 제 1 및 제 2 금속 나노입자는 그 직경이 1nm 내지 100nm인 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 광학 열처리를 위한 상기 레이저 빔의 조사는 상기 게이트 및 데이터 배선과 게이트 전극과, 소스 및 드레인 전극의 내부 저항이 10μΩ·㎝ 내지 200μΩ·㎝가 되도록 상기 레이저 빔의 조사시간 및 파워를 조절하는 것이 특징인 액정 표시장치용 어레이 기판의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.