| 1 |
1
유연 기판 가스 보호층을 형성하는 방법으로서, (a) 기판 표면에 음이온이 형성되도록, 기판 표면에 표면 처리를 수행하는 단계;(b) 상기 기판을 양이온 고분자 용액에 침적하는 단계;(c) 상기 기판을 상기 양이온 고분자 용액으로부터 꺼내어 건조시키는 단계;(d) 상기 기판을 나노클레이가 포함된 음이온 고분자 용액에 침적하는 단계; 및(e) 상기 기판을 상기 음이온 고분자 용액으로부터 꺼내어 건조시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유연 기판 가스 보호층 형성 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 (c) 단계 및 상기 (e) 단계는기판에 대해서 탈이온수로 린싱(rinsing)을 수행한 후, 상기 기판을 건조시키는 것을 특징으로 하는 유연 기판 가스 보호층 형성 방법
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서, 상기 (a) 단계는 상기 기판에 O2 플라즈마 처리 또는 UV-Ozone 처리를 수행하여 상기 기판 표면에 음이온을 형성하는 것을 특징으로 하는 유연 기판 가스 보호층 형성 방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서, 상기 양이온 고분자 용액은, 양이온을 포함하는 고분자 물질을 탈이온수에 혼합시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 기판 가스 보호층 형성 방법
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 음이온 고분자 용액은 음이온 성질은 나타내는 나노클레이를 탈이온수에 혼합시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 기판 가스 보호층 형성 방법
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 음이온 고분자 용액은 상기 나노클레이와 함께 Polyvinylalcohol (PVA)을 탈이온수에 혼합하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 기판 가스 보호층 형성 방법
|
| 7 |
7
제 5 항에 있어서,상기 음이온 고분자 용액은 음이온을 포함하는 고분자 물질을 탈이온수에 더 혼합시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 기판 가스 보호층 형성 방법
|
| 8 |
8
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 (b) 단계 내지 제 (e) 단계는 복수회 반복 수행되는 것을 특징으로 하는 유연 기판 가스 보호층 형성 방법
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서, 상기 (b) 단계 내지 상기 (e) 단계는, 2회째 수행될 때부터는, 1회째 수행될때보다 짧은 시간동안 상기 양이온 고분자 용액 및 상기 음이온 고분자 용액에 침적되는 것을 특징으로 하는 유연 기판 가스 보호층 형성 방법
|
| 10 |
10
표면 처리에 의해서 유연 기판 표면에 형성된 음이온들과 전기적 인력에 의해서 결합하는 양이온 고분자 물질들로 상기 유연 기판 위에 형성된 양이온 고분자 물질층; 및음이온 고분자 물질들이 상기 양이온 고분자 물질층의 양이온과 전기적 인력에 의해서 결합하여, 상기 양이온 고분자 물질층 위에 형성된 음이온 고분자 물질층을 포함하되,상기 음이온 고분자 물질층은 다수의 나노클레이들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유연 기판 가스 보호층
|
| 11 |
11
제 10 항에 있어서, 상기 음이온 고분자 물질층 위에, 서로 간의 전기적 인력에 의해서 결합되는 복수의 양이온 고분자 물질층 및 음이온 고분자 물질층은 서로 교대로 형성된 것을 특징으로 하는 유연 기판 가스 보호층
|
| 12 |
12
제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,상기 다수의 나노클레이들은 상기 음이온 고분자 물질층 내에서 상기 유연 기판과 평행하게 배치되는 것을 특징으로 하는 유연 기판 가스 보호층
|
