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(a) 제1 기판, 제1 도전형을 갖는 제1 반도체층, 활성층, 상기 제1 도전형과 반대의 제2 도전형을 갖는 제2 반도체층
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제1항에 있어서,상기 다공성층은 SiO2, ITO, Si3N4, AZO, ZnO, TiO2 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계는,소정의 패턴을 가지는 몰드를 이용하여 제2 기판 상에 패턴층을 형성하는 단계; 상기 투명 전극층과 상기 패턴층을 대응시키는 단계; 및상기 투명 전극층 상에 상기 패턴층을 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 패턴층은 상기 제2 기판 상에 형성된 희생층 상에 형성되고, 상기 희생층이 제거됨으로써 상기 패턴층이 상기 투명 전극층 상에 전사되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 희생층은 열가소성 고분자 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 투명 전극층 상에 상기 패턴층을 전사하기 이전에 상기 투명 전극층 상에 산소 플라즈마 처리 공정, 세정 공정, 자외선 공정, 접착층을 형성하는 공정 중에 적어도 하나의 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 접착층은 패턴층과 동일한 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 다이오드의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 몰드의 상기 패턴의 크기를 제어하여 상기 다공성층의 미세 기공 크기를 제어하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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순차적으로 적층된 제1 기판, 제1 도전형을 갖는 제1 반도체층, 활성층, 상기 제1 도전형과 반대의 제2 도전형을 갖는 제2 반도체층, 및 투명 전극층을 포함하고, 나노 임프린팅법을 이용하여 상기 투명 전극층 상에 형성된 다공성층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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