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대면적의 단결정 실리콘 웨이퍼 제조방법

  • 기술번호 : KST2015134180
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 리본 스트링법으로 실리콘 웨이퍼를 제조하는 방법에 있어서, 도가니에 벌크(bulk) 상태의 실리콘이 용융된 융액을 공급하는 단계; 상기 도가니에 스트링을 통과시키고, 스트링 사이에 단결정 실리콘 시드층을 용융된 실리콘과 접촉시키는 단계; 상기 스트링을 끌어올려 이동시켜 스트링 사이에 리본 결정을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 리본결정에서 스트링을 제거하는 단계;를 포함하는 대면적의 단결정 실리콘 웨이퍼 제조방법이 제공된다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) C30B 15/36 (2006.01) C30B 35/00 (2006.01) C30B 15/34 (2006.01)
CPC C30B 15/34(2013.01) C30B 15/34(2013.01) C30B 15/34(2013.01) C30B 15/34(2013.01) C30B 15/34(2013.01) C30B 15/34(2013.01)
출원번호/일자 1020110088323 (2011.09.01)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0025046 (2013.03.11) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.08.25)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동환 대한민국 서울특별시 서초구
2 탁성주 대한민국 서울특별시 노원구
3 김수민 대한민국 서울특별시 성북구
4 박성은 대한민국 부산광역시 남구
5 김현호 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이지 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-***

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0682832-49
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0829355-14
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0083717-01
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0406753-09
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2017-0773759-33
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.08.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0773827-40
10 등록결정서
Decision to grant		 2017.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0894615-74
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
리본 스트링법으로 실리콘 웨이퍼를 제조하는 방법에 있어서,도가니에 벌크(bulk) 상태의 실리콘이 용융된 융액을 공급하는 단계;상기 도가니에 스트링을 통과시키고, 스트링 사이에 용융된 실리콘을 단결정 실리콘 시드층과 접촉시키는 단계;상기 스트링을 끌어올려 단결정 실리콘 시드층을 이동시켜 스트링 사이에 리본 결정을 형성하는 단계; 를 포함하며,상기 도가니 및 리본 결정이 성장하는 공간은 단열부로 둘러싸여 있고, 상기 단결정 시드층 상부에는 이동식 히트싱크를 배치하여 온도를 조절하며, 상기 온도 조절은 실리콘 융점에서 1680K까지의 온도 범위로 리본 결정 성장 방향의 온도구배를 유지하는 것을 특징으로 하는 대면적의 단결정 실리콘 웨이퍼 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서,상기 리본 결정이 성장하는 공간에 하나 이상의 히트싱크를 배치하여 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는 대면적의 단결정 실리콘 웨이퍼 제조방법
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서,상기 단결정 실리콘 시드층의 가로길이는 3 내지 24 인치(inch)이고, 두께는 60 내지 320 μm인 것을 특징으로 하는 대면적의 단결정 실리콘 웨이퍼 제조방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 단결정 실리콘 시드층은 초크랄스키법(Czochralski method) 또는 플로팅존법(Floting zone method)으로 제조된 것을 특징으로 하는 대면적의 단결정 실리콘 웨이퍼 제조방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 대면적의 단결정 실리콘 웨이퍼의 가로길이는 3 내지 24 인치(inch)이고, 세로길이는 24 내지 48 인치(inch)이며, 두께는 60 내지 320 μm인 것을 특징으로 하는 대면적의 단결정 실리콘 웨이퍼 제조방법
8 8
제 1항, 제 3항, 및 제 5항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 따라 제조된 대면적의 단결정 실리콘 웨이퍼
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 고려대학교 산학협력단 지식경제기술혁신사업 고효율 실리콘 태양전지 원천기술 연구센터