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탄소 나노 물질을 이용한 반도체 소자, 및 그 제조 방법

기술번호 : KST2015134187
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	탄소 나노 물질을 이용한 반도체 소자, 및 그 제조 방법이 개시된다. 탄소 나노 물질을 이용한 반도체 소자는 기판 상에 형성된 미리 설정된 형태를 가지는 패턴층, 패턴층상에 형성된 절연막층, 및 절연막층상에 형성된 미리 설정된 탄소 나노 물질층을 포함한다. 게이트 시그널(Gate signal)을 가하는 게이트 패턴(gate pattern)만을 미리 설정된 형태로 제작함으로써, 탄소 나노 물질이 반도체 성질을 띠게 할 수 있으므로 탄소 나노 물질을 이용하여 우수한 특성의 반도체 소자의 제조가 가능하게 된다.
Int. CL	H01L 29/778 (2006.01) H01L 21/335 (2006.01)
CPC	H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01)
출원번호/일자	1020110007973 (2011.01.26)
출원인	고려대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-1173115-0000 (2012.08.06)
공개번호/일자	10-2012-0086618 (2012.08.03) 문서열기
공고번호/일자	(20120814) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2011.01.26)
심사청구항수	10

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	고려대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 성북구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이종권	대한민국	경기도 안양시 만안구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인주원	대한민국	서울특별시 강남구 언주로 **, 층(논현동, 건설회관)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	고려대학교 산학협력단		서울특별시 성북구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2011.01.26	수리 (Accepted)	1-1-2011-0065227-86
2	[출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2011.02.25	수리 (Accepted)	1-1-2011-0140449-08
3	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2011.10.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2011.11.18	수리 (Accepted)	9-1-2011-0092128-40
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2012.01.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0039317-13
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.03.19	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0218998-37
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2012.03.19	수리 (Accepted)	1-1-2012-0218986-90
8	등록결정서 Decision to grant	2012.08.02	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0451021-68
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.02.11	수리 (Accepted)	4-1-2014-5018243-16
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.04.22	수리 (Accepted)	4-1-2014-5049934-62
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.10.10	수리 (Accepted)	4-1-2019-5210941-09

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판 상에 형성된 미리 설정된 형태를 가지는 패턴층;상기 패턴층상에 형성된 절연막층; 및상기 절연막층상에 형성된 미리 설정된 탄소 나노 물질층을 포함하는 탄소 나노 물질을 이용한 반도체 소자로서,상기 탄소 나노 물질층은 상기 패턴층의 형태에 대해 미리 설정된 방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 물질을 이용한 반도체 소자
2	2 제 1항에 있어서,상기 패턴층과 기판 사이에 형성된 절연막층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 물질을 이용한 반도체 소자
3	3 삭제
4	4 제 1항에 있어서,상기 탄소 나노 물질은 그래핀인 것을 특징으로 하는 탄소 나노 물질을 이용한 반도체 소자
5	5 제 1항에 있어서,상기 탄소 나노 물질은 탄소 나노 튜브인 것을 특징으로 하는 탄소 나노 물질을 이용한 반도체 소자
6	6 제 1항에 있어서,상기 탄소 나노 물질층상의 미리 설정된 영역에 형성된 전극층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 물질을 이용한 반도체 소자
7	7 기판 상에 미리 설정된 형태를 가지는 패턴층을 형성하는 단계;상기 패턴층상에 절연막층을 형성하는 단계; 및상기 절연막층상에 미리 설정된 탄소 나노 물질층을 형성하는 단계를 포함하는 탄소 나노 물질을 이용한 반도체 소자 제조 방법으로서,상기 탄소 나노 물질층은 상기 패턴층의 형태에 대해 미리 설정된 방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 물질을 이용한 반도체 소자 제조 방법
8	8 제 7항에 있어서,상기 패턴층과 기판 사이에 절연막층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 물질을 이용한 반도체 소자 제조 방법
9	9 삭제
10	10 제 7항에 있어서,상기 탄소 나노 물질은 그래핀인 것을 특징으로 하는 탄소 나노 물질을 이용한 반도체 소자 제조 방법
11	11 제 7항에 있어서,상기 탄소 나노 물질은 탄소 나노 튜브인 것을 특징으로 하는 탄소 나노 물질을 이용한 반도체 소자 제조 방법
12	12 제 7항에 있어서,상기 탄소 나노 물질층상의 미리 설정된 영역에 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 물질을 이용한 반도체 소자 제조 방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	KR101150270	KR	대한민국	FAMILY
2	KR101297434	KR	대한민국	FAMILY
3	WO2012102559	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	FAMILY
4	WO2012102559	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
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순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	한국과학재단	고려대학교산학협력단	세계적 수준의 연구중심대학 육성사업	플렉서블 나노시스템 기반기술

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1173115-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20110126 출원 번호 : 1020110007973 공고 연월일 : 20120814 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120802 청구범위의 항수 : 10 유별 : H01L 29/778 발명의 명칭 : 탄소 나노 물질을 이용한 반도체 소자, 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20180807

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	217,500 원	2012년 08월 07일	납입
제 4 년분	금 액	198,380 원	2015년 11월 03일	납입
제 5 년분	금 액	182,000 원	2016년 06월 15일	납입
제 6 년분	금 액	182,000 원	2017년 07월 07일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2011.01.26	수리 (Accepted)	1-1-2011-0065227-86
2	[출원서등 보정]보정서	2011.02.25	수리 (Accepted)	1-1-2011-0140449-08
3	선행기술조사의뢰서	2011.10.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서	2011.11.18	수리 (Accepted)	9-1-2011-0092128-40
5	의견제출통지서	2012.01.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0039317-13
6	[명세서등 보정]보정서	2012.03.19	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0218998-37
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2012.03.19	수리 (Accepted)	1-1-2012-0218986-90
8	등록결정서	2012.08.02	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0451021-68
9	출원인정보변경(경정)신고서	2014.02.11	수리 (Accepted)	4-1-2014-5018243-16
10	출원인정보변경(경정)신고서	2014.04.22	수리 (Accepted)	4-1-2014-5049934-62
11	출원인정보변경(경정)신고서	2019.10.10	수리 (Accepted)	4-1-2019-5210941-09


과제고유번호	1345142624
세부과제번호	R32-2010-000-10082-0
연구과제명	플렉서블 나노시스템 기반기술
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	고려대학교
성과제출연도	2010
연구기간	200812~201308
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)


과제고유번호	1345142624
세부과제번호	R32-2010-000-10082-0
연구과제명	플렉서블 나노시스템 기반기술
성과구분	등록
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	고려대학교
성과제출연도	2010
연구기간	200812~201308
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

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