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나노 사이즈를 갖는 미세 패턴이 형성된 투명 기판 상에 용매를 포함하는 에스오지(SOG)층을 형성하는 단계;상기 에스오지층에 대하여 상기 용매가 투과 가능한 몰드로 가압하여, 상기 투명 기판 상에 평탄화층을 형성하는 단계; 및상기 몰드를 상기 평탄화층으로부터 분리하는 단계를 포함하는 기판 구조물의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 에지오지층은 실록산(siloxane), 메틸 실세퀴옥산 (methylsilsequioxane(MSQ)), 하이드로겐 실세퀴옥산(hydrogen silsequioxane(HSQ)), 퍼하이드로폴리실라잔(perhydropolysilazane ((SiH2NH)n)), 폴리실라잔(polysilazane), 디비닐 실록산 비스벤조클로로부탄(divinyl siloxane bis-benzocyclobutane), 페르프루오로사이클로부탄(perfluorocyclobutane; PFCB), SiLKMTM 제품 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 용질로 하는 용액을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 기판 구조물의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 에지오지층은 상기 투명 기판보다 높은 굴절율을 갖는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 구조물의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 에스오지층에 대하여 상기 용매를 투과 가능한 몰드로 가압하는 단계는 1-5 기압의 압력에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 구조물의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 몰드는 PDMS(polydimethylesiloxane) 또는 h-PDMS(h-polydimethylesiloxane)로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 구조물의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 에스오지층에 대하여 상기 용매를 투과 가능한 몰드로 가압하는 단계는 상기 용매의 끊는점 이하의 온도로 상기 에스오지층을 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 구조물의 형성 방법
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나노 사이즈를 갖는 미세 패턴이 형성된 투명 기판 상에 용매를 포함하는 에스오지(SOG)층을 형성하는 단계;상기 에스오지층에 대하여 상기 용매를 투과 가능한 몰드로 가압하여, 상기 투명 기판 상에 평탄화층을 형성하는 단계;상기 몰드를 상기 평탄화층으로부터 분리하는 단계; 및상기 평탄화층 상에 투명 전극을 형성하는 것을 포함하는 투명 전극체의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 에지오지층은 실록산(siloxane), 메틸 실세퀴옥산 (methylsilsequioxane(MSQ)), 하이드로겐 실세퀴옥산(hydrogen silsequioxane(HSQ)), 퍼하이드로폴리실라잔(perhydropolysilazane ((SiH2NH)n)), 폴리실라잔(polysilazane), 디비닐 실록산 비스벤조클로로부탄(divinyl siloxane bis-benzocyclobutane), 페르프루오로사이클로부탄(perfluorocyclobutane; PFCB), SiLKMTM 제품 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 용질로 하는 용액을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 투명 전극체의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 에지오지층은 상기 투명 기판보다 높고 상기 투명 전극보다 낮은 굴절율을 갖는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극체의 제조 방법
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