맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

발광 다이오드의 사파이어 기판 패터닝 방법

  • 기술번호 : KST2015134192
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노스피어 리소그래피 공정을 이용하여 LED의 사파이어 기판에 서브 마이크론급 패턴을 형성하는 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 방법은 기판(11) 상에 실리콘 산화막(12)을 형성하는 단계, 실리콘 산화막(12) 상에 나노스피어(13)를 배치하는 단계; 나노스피어(13)를 식각하는 단계, 실리콘 산화막(12) 및 나노스피어(14)를 어닐링 하는 단계, 및 나노스피어(14)를 식각 마스크로 하여 실리콘 산화막(12)을 식각하는 단계를 포함한다. 따라서, 본 발명은 LED의 사파이어 기판에 저비용으로 고품위의 미세 패턴을 형성할 수 있어 고효율 LED의 양산화 공정에 적용 가능하다.LED, GaN, 사파이어 기판, 나노스피어 리소그래피
Int. CL H01L 33/02 (2010.01.01) H01L 33/20 (2010.01.01) H01L 33/44 (2010.01.01)
CPC H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01)
출원번호/일자 1020070063281 (2007.06.26)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0871649-0000 (2008.11.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20081203) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.06.26)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이헌 대한민국 서울 노원구
2 변경재 대한민국 서울 노원구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 (주)휴넷플러스 충청남도 천안시 서북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0465815-66
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.04.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0028564-16
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0294666-74
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0540927-09
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.07.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0540931-82
8 등록결정서
Decision to grant		 2008.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0579645-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
14 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2020.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2020-0268616-05
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노스피어 리소그래피를 이용한 질화물계 발광 다이오드의 기판 제조 방법으로서,기판 상에 프리미어층을 형성하는 제1 단계;상기 프리미어층 상에 나노스피어(nanosphere)를 배치하는 제2 단계;상기 나노스피어의 직경을 줄이기 위하여 상기 나노스피어를 식각하는 제3 단계;상기 프리미어층 및 상기 제3 단계에서 식각된 나노스피어를 어닐링하는 제4 단계; 및상기 제4 단계에서 어닐링된 나노스피어를 식각 마스크로 하여 상기 프리미어층을 식각하는 제5 단계를 포함하고,상기 제5 단계 후에 상기 기판 상에 배치된 나노스피어는 발광 다이오드의 광방출 효율을 향상시키는 역할을 하는 나노 스케일의 패턴이 되는 것을 특징으로 하는 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 기판은 사파이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 프리미어층은 실리콘 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 나노스피어의 재질은 실리콘 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 제2 단계에서 상기 나노스피어가 분산된 용액을 스핀 코팅하여 상기 나노스피어를 상기 프리미어층 상에 배치하는 것을 특징으로 하는 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 제3 단계에서 상기 나노스피어의 식각 방법은 반응성 이온 식각 방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 제3 단계에서 상기 나노스피어의 직경은 200 내지 400nm로 조절되는 것을 특징으로 하는 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 제5 단계에서 상기 프리미어층의 식각 방법은 반응성 이온 식각 방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
10 10
삭제
11 11
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.