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절연막에 대해서 수직 방향으로 길게 형성된 활성층,상기 활성층에 접촉하도록 상기 활성층의 양측에, 상기 절연막에 대해서 수직 방향으로 길게 각각 형성된 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층,상기 제 1 반도체층 및 상기 제 2 반도체층 중 상기 활성층에 접촉하지 않은 면에 접촉하도록, 상기 절연막에 대해서 수직 방향으로 길게 형성된 한 쌍의 측면 반사층,상기 활성층, 상기 제 1 반도체층, 상기 제 2 반도체층, 및 상기 한 쌍의 반사층의 하면에 접촉하도록 형성된 상기 절연막, 및상기 절연막의 다른 일 면에 접촉하도록 형성된 하부 반사층을 포함하는 반도체 발광 소자;상기 하부 반사층과 접촉하여 열을 외부로 방출하는 히트 슬러그; 및상기 한 쌍의 측면 반사층의 전체 면적에 오믹 접촉하여 열을 외부로 방출하는 리드프레임을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 장치
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제 1 항에 있어서,상기 한 쌍의 측면 반사층은 반도체층의 전체 영역에 접촉하도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 반도체 발광 소자는상기 한 쌍의 측면 반사층의 반도체층에 접촉하지 않은 면에 접촉하도록 각각 형성된 한 쌍의 전극을 더 포함하고, 상기 한 쌍의 리드프레임은 상기 한 쌍의 전극의 전체 면적에 오믹 접촉하여 열을 외부로 방출하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 장치
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제 3 항에 있어서,상기 한 쌍의 전극은 각각 상기 측면 반사층의 전체 영역과 접촉하도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광 장치
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제 1 항에 있어서,상기 한 쌍의 측면 반사층은 상기 리드프레임과 오믹 접촉을 이루는 반사 전극으로 구현되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 장치
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(a) 지지 기판 위에 제 1 반사층, 상기 제 1 반사층 내부에 서로 이격되어 형성된 복수의 제 1 절연막, 제 1 반도체층, 활성층, 및 제 2 반도체층이 차례로 적층된 기판을 형성하는 단계;(b) 상기 제 1 절연막이 드러나도록 상기 제 1 절연막 위에 형성된 상기 제 2 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제 1 반도체층을 식각하여 복수의 발광 구조물을 형성하는 단계;(c) 상기 복수의 발광 구조물의 일 측면(제 1 측면)에만 접촉하도록 제 2 절연막 및 하부 반사층을 형성하고, 상기 제 2 반도체층 위에 제 2 반사층을 형성하는 단계; 및(d) 상기 하부 반사층과 인접한 발광 구조물 사이의 제 1 반사층 영역을 절단하여 발광 소자를 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 (a) 단계는(a1) 임시 기판위에 상기 제 2 반도체층, 상기 활성층, 및 상기 제 1 반도체층을 순차적으로 형성하고, 상기 제 2 반도체층 위에 서로 이격된 상기 복수의 제 1 절연막을 형성하는 단계; (a2) 상기 제 2 반도체층 및 상기 복수의 제 1 절연막 위에 상기 제 1 반사층을 형성하는 단계; 및(a3) 상기 제 1 반사층과 상기 지지 기판을 접합시키고, 상기 임시 기판을 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 (c) 단계는(c1) 상기 발광 구조물의 다른 일 측면(제 2 측면)과 상기 제 2 반도체층의 상부를 덮고, 상기 제 1 절연막의 일부가 노출되도록 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;(c2) 상기 제 1 절연막위에 상기 제 1 측면에 접촉하도록 제 2 절연막을 형성하고 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;(c3) 상기 발광 구조물의 상기 제 2 측면과 상기 제 2 반도체층 및 상기 제 2 절연막의 상부를 덮고, 상기 제 1 절연막의 일부가 노출되도록 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;(c5) 상기 제 1 절연막위에 상기 제 2 절연막과 접촉하도록 하부 반사층을 형성하고, 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및(c6) 상기 제 2 반도체층 위에 상기 제 2 반사층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 (c3) 단계 내지 상기 (c5) 단계 사이에(c4) 상기 제 1 절연막 위에 상기 제 2 절연막과 접촉하도록 접착층을 형성하고, 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;를 더 포함하고, 상기 (c5) 단계는 상기 발광 구조물의 상기 제 2 측면과, 상기 제 2 반도체층, 상기 제 2 절연막, 및 상기 접착층의 상부를 덮고, 상기 제 1 절연막의 일부가 노출되도록 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 제 1 절연막 위에 상기 접착층과 접촉하도록 하부 반사층을 형성하고, 포토레지스트 패턴을 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법
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