맞춤기술찾기

이전대상기술

태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015134290
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지가 개시된다. 태양전지는 기판, 기판 상부에 형성된 투명전극, 투명전극 상부에 형성된 윈도우층, 윈도우층 표면 상에 배열된 복수의 금속 분말들, 금속 분말들이 배열된 위도우층 표면 상에 형성되고, 텔루화 카드뮴으로 이루어진 광흡수층 및 광흡수층 표면 상에 형성된 후면전극을 구비한다. 이러한 태양전지는 표면이 평탄화된 광흡수층을 구비하여 후면전극의 전기적 안정성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/073 (2012.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/042 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120031727 (2012.03.28)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1281330-0000 (2013.06.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130703) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.28)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김지현 대한민국 서울 강남구
2 김동환 대한민국 서울 서초구
3 양광석 대한민국 경기 부천시 원미구
4 정영훈 대한민국 서울 성북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 이동건 대한민국 서울특별시 강남구 논현로***길 *, *층 ***호 (논현동)(차암특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0248834-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.05.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.06.07 수리 (Accepted) 9-1-2013-0044326-94
4 등록결정서
Decision to grant
2013.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0422257-91
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0620576-93
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상부에 형성된 투명전극;상기 투명전극 상부에 형성된 윈도우층;상기 윈도우층 표면 상에 배열된 복수의 금속 분말들; 상기 금속 분말들이 배열된 상기 위도우층 표면 상에 형성되고, 텔루화 카드뮴으로 이루어진 광흡수층; 및상기 광흡수층 표면 상에 형성된 후면전극을 포함하는 태양전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속 분말들은 은(Ag), 금(Au) 및 백금(Pt)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 태양전지
3 3
제1항에 있어서, 상기 금속 분말들은 상기 윈도우층 표면 상에 단층으로 배열되고, 서로 이격된 것을 특징으로 하는 태양전지
4 4
제1항에 있어서, 상기 금속 분말들은 50 내지 330nm의 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 태양전지
5 5
제4항에 있어서, 상기 광흡수층은 5 내지 7㎛의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 태양전지
6 6
기판 상부에 투명전극을 형성하는 단계;상기 투명전극 상부에 윈도우층을 형성하는 단계;상기 윈도우층 표면 상부에 금속 박막을 형성하는 단계;열처리를 통하여 상기 금속 박막을 금속 분말들로 변화시키는 단계;상기 금속 분말들이 형성된 상기 윈도우층 표면 상부에 텔루화 카드뮴(CdTe) 박막으로 이루어진 광흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광흡수층 표면 상부에 후면 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 금속 박막은 5 내지 10nm의 두께를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 금속 박막은 은(Ag) 박막이고, 상기 금속 박막의 열처리는 700 내지 800℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 고려대학교산학협력단 신재생에너지융합원천기술개발(전력기금) 고효율 CdTe 태양전지의 신공정 개발
2 지식경제부 고려대학교산학협력단 에너지인력양성(기금)[명칭변경] 태양전지 기반기술 고급트랙