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써모파일 센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015134361
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 써모파일 센서 및 그 제조방법이 제공된다.본 발명에 따른 써모파일 센서는 기판(1); 상기 기판위에 형성되어 있는 단일층의 다이아프레임 막(10); 상기 다이아프레임 막(10) 상의 소정영역에 형성되어 온도를 감지하며, 하부에는 등방성 동공(13)이 형성되어 마이크로 브릿지 구조를 가지는 복수의 열전쌍(4); 상기 열전쌍(4) 상부에 형성되어 있는 절연막(5); 및 흑체(6)로 구성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 써모파일 센서는 제조공정효율이 높고, 소자의 크기를 대폭 감소시킬 수 있으며, 감도 및 출력이 우수하다는 장점이 있고, 본 발명에 따른 써모파일 센서의 제조방법은 공정수가 대폭 감소되기 때문에 제조공정효율이 우수하고 제조단가를 절감시킬 수 있다.써모파일 센서
Int. CL G01K 15/00 (2006.01) H01L 31/09 (2006.01)
CPC G01K 7/02(2013.01) G01K 7/02(2013.01) G01K 7/02(2013.01) G01K 7/02(2013.01)
출원번호/일자 1020050039545 (2005.05.12)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0894500-0000 (2009.04.15)
공개번호/일자 10-2006-0116930 (2006.11.16) 문서열기
공고번호/일자 (20090422) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.02.09)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민남기 대한민국 서울특별시 서초구
2 강문식 대한민국 서울 성북구
3 유금표 대한민국 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 현종철 대한민국 서울특별시 중구 다산로 **, *층 특허법인충현 (신당동, 두지빌딩)
2 권혁성 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 ***, *층 (서초동, 신한국빌딩)(특허법인 이노)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2005-0247903-59
2 대리인해임신고서
Report on Dismissal of Agent
2006.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2006-0164518-49
3 출원심사청구서
Request for Examination
2007.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0124062-39
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043540-16
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.09.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0062122-02
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0022610-72
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0191631-03
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.03.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0191637-76
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0381197-81
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0664206-73
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0042048-14
14 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2009.02.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0009352-19
15 등록결정서
Decision to grant
2009.04.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0144158-08
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판위에 형성되어 있는 단일층의 다이아프레임 막; 상기 다이아프레임 막 상의 소정영역에 형성되어 온도를 감지하며, 하부에는 등방성 동공이 형성되어 마이크로 브릿지 구조를 가지는 복수의 열전쌍; 상기 열전쌍 상부에 형성되어 있는 절연막; 및 흑체로 구성되고,상기 단일층의 다이아프레임 막은 저응력 질화막(SixNx)이며, 응력이 150MPa 이하인 것을 특징으로 하는 써모파일 센서
2 2
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3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 절연막은 폴리이미드로 이루어진 것을 특징으로 하는 써모파일 센서
5 5
제 1항에 있어서, 상기 흑체는 산화크롬으로 이루어진 것을 특징으로 하는 써모파일 센서
6 6
제 1항에 있어서, 상기 열전쌍은 온접점에서, 하부의 지벡계수가 큰 제1 열전물질 패턴의 상부에 적층되어 있는 제2 열전물질 패턴에 홀이 뚫려 있어서, 상기 제1 열전물질이 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 써모파일 센서
7 7
(a) 실리콘 기판위에 단일층의 다이아프레임 막을 형성하는 단계;(b) 상기 다이아프레임 막 위의 소정영역에 열전쌍을 형성하는 단계;(c) 상기 열전쌍의 상부에 절연막을 형성하는 단계;(d) 상기 절연막의 상부에 흑체를 형성하는 단계; (e) 포토레지스트를 이용하여 마스크를 형성하고, 반응성 이온 에처를 이용하여 소정의 소정의 절연막 및 다이아프레임 막을 제거하는 단계; 및(f) XeF2를 이용하여 상기 다이아프레임 막이 제거된 영역에 있는 상기 실리콘 기판을 건식식각함으로써 등방성 동공을 형성하여 마이크로 브릿지 구조를 가지도록 하는 단계를 포함하는 써모파일 센서의 제조방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 단일층의 다이아프레임 막은 저응력 질화막(SixNx)이며, 상기 다이아프레임 막을 형성하는 단계는 디클로로실란 기체와 암모니아 기체의 유량비를 5:1로 하여 저압화학증착법을 통해 증착시키는 것을 특징으로 하는 써모파일 센서의 제조방법
9 9
제 7항에 있어서, 상기 열전쌍을 형성하는 단계는 제1 열전물질로서 p-타입 폴리실리콘을 저압 화학기상증착법을 이용하여 증착하고, 제2 열전물질로서 알루미늄을 물리기상증착법을 이용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 써모파일 센서의 제조방법
10 10
제 7항에 있어서, 상기 흑체를 형성하는 단계는 산화크롬을 스퍼터링하는 것을 특징으로 하는 써모파일 센서의 제조방법
11 11
제 7항에 있어서, 상기 열전쌍을 형성하는 단계는, 온접점에서, 지벡계수가 큰 제1 열전물질 패턴의 상부에 적층되어 있는 제2 열전물질 패턴을 식각하여 홀을 형성함으로써, 상기 제1 열전물질이 노출되도록 하는 것을 특징으로 하는 써모파일 센서의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.