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태양전지의 반사방지막 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015134393
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지의 반사방지막 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 (a)나노패턴이 형성된 템플릿으로 열가소성 고분자 필름을 스탬핑하여 상기 열가소성 고분자 필름 표면에 반대패턴을 형성한 후, 상기 템플릿을 분리하는 단계; (b)상기 열가소성 고분자 필름 표면에 접착방지막을 형성하는 단계; (c)나노패턴이 형성될 기판 표면에 용융상태의 레진을 드롭하는 단계; 및 (d)상기 열가소성 고분자 필름 표면의 반대패턴 내부에 상기 레진이 충진되도록 상기 열가소성 고분자 필름을 프레싱한 상태에서 상기 레진을 경화시킨 후, 상기 열가소성 고분자 필름을 분리하는 단계를 포함하여 이루어진다. 본 발명에 따른 태양전지의 반사방지막 제조 방법은 간단한 임프린트 방법 또는 엠보싱 방법으로 태양전지의 표면이나 보호층에 저반사를 위한 나노패턴을 형성할 수 있으며, 본 발명에 의해 제조된 반사방지막은 태양전지 표면에서의 빛의 반사를 감소시켜 광투과 효율을 높일 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) B82Y 40/00 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01)
출원번호/일자 1020080103898 (2008.10.22)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0986911-0000 (2010.10.04)
공개번호/일자 10-2010-0044673 (2010.04.30) 문서열기
공고번호/일자 (20101008) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.22)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이헌 대한민국 서울특별시 노원구
2 한강수 대한민국 서울 도봉구
3 홍성훈 대한민국 서울특별시 성북구
4 홍은주 대한민국 경기도 고양시 일산구
5 배병주 대한민국 인천 남동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)휴넷플러스 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0734591-01
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0428698-77
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.08.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0058114-80
7 등록결정서
Decision to grant		 2010.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0429065-25
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
11 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2020.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2020-1181255-87
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a)나노패턴이 형성된 템플릿으로 열가소성 고분자 필름을 스탬핑(stamping)하여 상기 열가소성 고분자 필름 표면에 반대패턴을 형성한 후, 상기 템플릿을 분리하는 단계; (b)상기 열가소성 고분자 필름 표면에 접착방지막을 형성하는 단계; (c)나노패턴이 형성될 기판 표면에 상기 기판을 이루는 물질의 굴절률의 80~120%의 굴절률을 갖는 용융상태의 레진을 드롭(drop)하는 단계; 및 (d)상기 열가소성 고분자 필름 표면의 반대패턴 내부에 상기 레진이 충진되도록 상기 열가소성 고분자 필름을 프레싱(pressing)한 상태에서 상기 레진을 경화시켜 상기 기판 표면에 나노패턴을 형성한 후, 상기 열가소성 고분자 필름을 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 제조 방법
2 2
(a)나노패턴이 형성된 템플릿으로 열가소성 고분자 필름을 스탬핑하여 상기 열가소성 고분자 필름 표면에 반대패턴을 형성한 후, 상기 템플릿을 분리하는 단계; (b)상기 열가소성 고분자 필름 표면에 접착방지막을 형성하는 단계; (c)나노패턴이 형성될 기판 표면에 용융상태의 레진을 드롭하는 단계; (d)상기 열가소성 고분자 필름 표면의 반대패턴 내부에 상기 레진이 충진되도록 상기 열가소성 고분자 필름을 프레싱한 상태에서 상기 레진을 경화시킨 후, 상기 열가소성 고분자 필름을 분리하는 단계; (e)O2가스를 반응가스로 하는 반응성 이온 에칭(RIE)을 이용하여, 상기 기판 표면이 노출될 때까지 상기 레진을 식각하는 단계; 및 (f)드라이 에칭(Dry Etching)을 이용하여 상기 레진이 제거될 때까지 상기 기판을 식각하여 기판 표면에 나노패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 제조 방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 기판 양면에 상기 나노패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 제조 방법
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (a)단계는, (a1)상기 템플릿을 상기 열가소성 고분자 필름 상부에 준비하는 단계; (a2)상기 열가소성 고분자 필름의 유리온도(Tg)보다 높은 온도에서 스탬핑하는 단계; 및 (a3)상기 열가소성 고분자 필름의 유리온도(Tg)보다 낮은 온도에서 상기 템플릿을 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 제조 방법
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (b)단계는 상기 열가소성 고분자 필름의 표면에 5~20nm 정도의 두께로 SiO2층을 형성한 후, SiO2층 위에 (heptadecafluoro-1,1,2,2-tetra-hydrodecyl)trichlorosilane 또는 Cl3Si(C2H4)C8F17 중에서 어느 하나의 물질을 SAM(Self Assembled Monolayer) 코팅하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 제조 방법
6 6
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 열가소성 고분자 필름은 에틸렌비닐아세테이트(EVA), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리올레핀, 폴리염화비닐(PVC), 폴리 메틸 메타크릴레이트, 폴리 메틸 아크릴레이트, 폴리스티렌, 니트로셀룰로오스, 아세틸셀룰로오스, 폴리카보네이트, 폴레에틸렌 테레프탈레이트, ABS 수지, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리 에테르 술폰, 폴리비닐 아세탈, 폴리 에테르 케톤 및 폴리우레탄 중에서 적어도 하나의 물질로 된 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 제조 방법
7 7
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 유리 및 에틸렌비닐아세테이트(EVA) 중에서 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 제조 방법
8 8
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 레진은 열 경화형 또는 UV 경화형 레진인 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 제조 방법
9 9
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 템플릿은 SiC, SiO2, Si3N4, Al2O3, MgO, Si 및 Ni 중에서 어느 하나의 물질로 된 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 제조 방법
10 10
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 템플릿은 표면에 그라파이트(Graphite)가 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 제조 방법
11 11
(a)열가소성 고분자 기판 상부에 형성하고자 하는 나노패턴의 반대패턴이 형성된 템플릿을 준비하는 단계; (b)상기 템플릿으로 상기 열가소성 고분자 기판을 스탬핑하여 상기 열가소성 고분자 기판 표면에 나노패턴을 형성하는 단계; 및 (c)상기 템플릿을 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 제조 방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 열가소성 고분자 기판 양면에 상기 나노패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 제조 방법
13 13
제11항에 있어서, 상기 (b)단계는 상기 열가소성 고분자 기판의 유리온도(Tg)보다 높은 온도에서 이루어지고, 상기 (c)단계는 상기 열가소성 고분자 기판의 유리온도(Tg)보다 낮은 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 제조 방법
14 14
제11항에 있어서, 상기 템플릿은 SiC, SiO2, Si3N4, Al2O3, MgO, Si 및 Ni 중에서 어느 하나의 물질로 된 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 제조 방법
15 15
제11항에 있어서, 상기 열가소성 고분자 기판은 에틸렌비닐아세테이트(EVA), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리올레핀, 폴리염화비닐(PVC), 폴리 메틸 메타크릴레이트, 폴리 메틸 아크릴레이트, 폴리스티렌, 니트로셀룰로오스, 아세틸셀룰로오스, 폴리카보네이트, 폴레에틸렌 테레프탈레이트, ABS 수지, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리 에테르 술폰, 폴리비닐 아세탈, 폴리 에테르 케톤 및 폴리우레탄 중에서 적어도 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 제조 방법
16 16
제11항에 있어서, 상기 템플릿은 표면에 그라파이트가 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 제조 방법
17 17
제1항, 제2항 및 제11항 중 어느 하나의 제조 방법을 이용하여 제조된 반사방지막이, 표면에 형성되어 있는 태양전지
18 18
제1항, 제2항 및 제11항 중 어느 하나의 제조 방법을 이용하여 제조된 반사방지막이, 보호층에 형성되어 있는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 에너지관리공단 고려대학교 산학협력단 신재생에너지기술개발사업 유연 폴리머 기판을 사용한 유-무기 복합 태양전지의 제작