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삼상 이상의 반도체 재료로 구성되는 다성분계 반도체 발광 나노입자로서,상기 나노입자는 IB족, IIB족, Ⅲ족, Ⅵ족 및 Ⅷ족의 원소에서 3종 이상 선택한 코어 물질; 및상기 코어 물질표면에 형성하는 ZnS, ZnO, ZnSe 및 ZnTe 중에서 선택되는 어느 하나의 쉘 물질;을 포함하는 코어-쉘 구조인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 나노입자
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제 1 항에 있어서,상기 코어 물질은 IB-Ⅲ-Ⅵ-Ⅵ족 화합물, IB-IIB-Ⅷ-Ⅵ족 화합물, IB-Ⅲ-Ⅷ-Ⅵ족 화합물, IB-Ⅷ-Ⅵ-Ⅵ족 화합물, IB-IIB-Ⅵ-Ⅵ족 화합물 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 나노입자
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제 2 항에 있어서,상기 코어 물질은 CuInS2, ZnXCu1-XInS, CuInXGa1-XS, CuInSXSe1-X, CuFeS2 및 CuFeSe2 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 나노입자
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제 3 항에 있어서,상기 코어 물질의 입자 크기는 2-10 ㎚인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 나노입자
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제 1 항에 있어서,상기 코어물질에 Mn; 또는 Eu, Ce, Dy, Ho, Sm, Y 및 Sc 중에서 선택되는 어는 하나의 희토류;를 도핑한 코어-도핑-쉘 구조인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 나노입자
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제 1 항에 있어서,상기 코어-쉘 구조의 나노입자에 폴리메탈메타크릴레이트, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 및 실리카 중에서 선택되는 어느 하나로 캡핑한 것을 특징으로 하는 반도체 발광 나노입자
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제 5 항에 있어서,상기 코어-도핑-쉘 구조의 나노입자에 폴리메탈메타크릴레이트, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 및 실리카 중에서 선택되는 어느 하나로 캡핑한 것을 특징으로 하는 반도체 발광 나노입자
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제 1 항에 따른 반도체 발광 나노입자를 포함하는 백색 LED용 형광체
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제 8 항에 있어서,상기 반도체 발광 나노입자는 코어-쉘 구조로서, CuInS2-ZnS 화합물인 것을 특징으로 하는 백색 LED용 형광체
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제 8 항에 있어서,상기 백색 LED용 형광체는 폴리[{9,9-디옥틸-2,7-디비닐렌-플루오레닐렌}-alt-co-{2-메톡시-5-(2-에틸헥실옥시)-1,4-페닐렌}] (PFPV) 고분자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 LED용 형광체
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제 9 항에 있어서,상기 CuInS2-ZnS 화합물은 상기 PFPV 중량 대비 1-10 중량%인 것을 특징으로 하는 백색 LED용 형광체
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제 10 항에 있어서,상기 백색 LED용 형광체는 연색 지수(CRI)가 90
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