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신규한 발광 덴드리머, 이의 중간체 및 이의 제조 방법.

  • 기술번호 : KST2015134442
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광 덴드리머, 이의 중간체 및 이들의 제조방법에 관한 것으로, 발광 덴드리머는 광을 발생시키는 발광체 화합물의 주변에 집광기능을 가지는 아진계 유도체, 카바졸계 유도체 및 이들의 혼합물 중 어느 하나로 이루어진 덴드론을 구비함으로써, 유기발광다이오드 소자의 발광 효율을 향상시킬뿐만 아니라, 유기발광다이오드 소자의 유기발광층을 습식공정으로 형성할 수 있다.덴드리머, 발광, 유기전계발광다이오드, 효율, 적색
Int. CL C09K 11/06 (2006.01) C07D 401/14 (2006.01)
CPC C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01)
출원번호/일자 1020060134596 (2006.12.27)
출원인 엘지디스플레이 주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0783273-0000 (2007.11.30)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071206) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.27)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성희 대한민국 서울 동작구
2 최동훈 대한민국 서울 성북구
3 진정일 대한민국 서울 광진구
4 조민주 대한민국 서울 성북구
5 유영준 대한민국 충북 충주시
6 김고운 대한민국 서울 성북구
7 채기성 대한민국 인천 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허용록 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 현죽빌딩)(선영특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0967833-84
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043540-16
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.06.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2007-0038265-14
5 등록결정서
Decision to grant		 2007.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0632003-29
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
아진계 유도체, 카바졸계 유도체 및 이들의 혼합물 중 어느 하나를 포함하며, 하기 화학식 1 및 화학식 2 중 어느 하나로 표시되는 발광 덴드리머의 중간체
2 2
(a) 하기 화학식 3의 화합물을 브롬화시켜 하기 화학식 4의 화합물을 형성하는 단계;(b) 상기 화학식 4의 화합물을 3,5-디하이드록시-벤조익에시드메틸에스터와 반응시켜 하기 화학식 5의 화합물을 형성하는 단계; 및(c) 상기 화학식 5의 화합물을 카르복실화시키는 단계를 포함하는 발광 덴드리머의 중간체의 제조 방법
3 3
제 2 항에 있어서,(a) 단계 이전에 하기 화학식 6의 화합물을 하이드록실화시켜 상기 화학식 3의 화합물을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 덴드리머의 중간체 화합물의 제조 방법
4 4
발광체 화합물로 이루어진 코아; 및상기 코아를 감싸며, 아진계 유도체, 카바졸계 유도체 및 이들의 혼합물 중 어느 하나로 이루어진 덴드론을 포함하는 발광 덴드리머
5 5
제 4 항에 있어서,상기 발광 덴드리머는 하기 화학식 7로 표시되는 것을 특징으로 하는 발광 덴드리머
6 6
제 4 항에 있어서,상기 발광 덴드리머는 하기 화학식 8로 표시되는 것을 특징으로 하는 발광 덴드리머
7 7
제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 발광체 화합물은 하기 화학식 9로 표시된 화합물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 덴드리머
8 8
하기 화학식 2로 표시된 화합물 및 하기 화학식 10으로 표시된 화합물을 축중합시키는 단계를 포함하는 발광 덴드리머의 제조 방법
9 9
하기 화학식 2로 표시된 화합물 및 하기 화학식 11로 표시된 화합물을 축중합시키는 단계를 포함하는 발광 덴드리머의 제조 방법
10 10
제 4항의 발광 덴드리머로부터 제조된 유기발광다이오드 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.