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양극 전극과 음극 전극 사이에 전자 수용체(electron acceptor)와 정공 수용체(hole acceptor)가 혼합되어 벌크 이종접합(bulk heterojunction) 구조를 갖는 광전변환층이 형성되어 있는 적층 구조물을 준비하는 단계;
상기 적층 구조물을 열처리하는 단계;
상기 정공 수용체는 상기 양극 전극 방향으로 상대적으로 많이 분포되고, 상기 전자 수용체는 상기 음극 전극 방향으로 상대적으로 많이 분포되도록, 상기 열처리된 적층 구조물을 급냉(quenching)하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 급냉하는 단계는
상기 열처리된 적층구조물을 액화 질소를 이용하여 급냉하는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 전자 수용체는 P3HT(poly-(3hexylthiophene))이고, 상기 정공 수용체는 PCBM([6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester)인 것을 특징으로 하는 유기 태양전지 제조방법
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4
기판;
상기 기판 상에 형성되어 있는 양극 전극과 음극 전극; 및
상기 양극 전극과 상기 음극 전극 사이에 형성되고, 전자 수용체(electron acceptor)와 정공 수용체(hole acceptor)가 혼합되어 있는 벌크 이종접합(bulk heterojunction) 구조를 갖되, 상기 정공 수용체는 상기 양극 전극 방향으로 상대적으로 많이 분포되고, 상기 전자 수용체는 상기 음극 전극 방향으로 상대적으로 많이 분포되어 있는 광전변환층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
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제4항에 있어서,
상기 정공 수용체와 상기 전자 수용체의 상대적인 분포는 상기 기판 상에 순차적으로 적층되어 있는 양극 전극, 광전변환층 및 음극 전극으로 이루어진 적층구조물을 열처리 후, 급냉(quenching)하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
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6
제5항에 있어서,
상기 급냉은 액화 질소가 이용되는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
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제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 광전변환층에는,
빛에 의해 생성된 전자-정공 쌍(electron-hole pair) 중 전자는 상기 음극 전극으로, 정공은 상기 양극 전극으로 이동할 수 있는 퍼컬레이션(percolation) 경로가 상기 적층구조물을 열처리 후 자연 냉각시킨 경우에 비해 많이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
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제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전자 수용체는 P3HT(poly-(3hexylthiophene))이고, 상기 정공 수용체는 PCBM([6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester)인 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
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제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 양극 전극과 상기 광전변환층 사이에는 정공수송층이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
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