맞춤기술찾기
이전대상기술
투명전극을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조방법
- 기술번호 : KST2015134475
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 이미지 센서용 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 일측면과 상기 일측면으로부터 이격되는 타측면을 가지며, 상기 일측면에 패드가 구비된 웨이퍼; 상기 패드 상에 형성되는 캐비티 격벽층; 및 상기 캐비티 격벽층과 결합되는 커버 글라스 기판을 포함하되, 상기 캐비티 격벽층은 상기 웨이퍼의 상기 일측면에 드라이 필름을 이용하여 포토리소그래피 공정으로 형성한다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 33/42 (2010.01) H01L 33/36 (2010.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020130077913 (2013.07.03) |
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1508574-0000 (2015.03.30) |
| 공개번호/일자 | 10-2015-0004649 (2015.01.13) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20150407) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2013.07.03) |
| 심사청구항수 | 33 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 고려대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김태근 | 대한민국 | 경기 성남시 분당구 |
| 2 | 김희동 | 대한민국 | 서울 성북구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인엠에이피에스 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 고려대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2013.07.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0599555-40 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2014.03.06 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2014.04.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0028475-47 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
| 6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.04.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0296508-12 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.06.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0599603-89 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.06.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0599602-33 |
| 9 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.10.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0714419-41 |
| 10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.12.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1228000-91 |
| 11 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.12.17 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-1228001-36 |
| 12 | 등록결정서 Decision to grant |
2015.03.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0198811-11 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 반도체 소자에 있어서,반도체 층, 상기 반도체층에 일면이 접촉된 투명전극,상기 투명전극의 타면에 접촉된 금속 전극 패드 및상기 금속 전극 패드와 투명전극 사이에 형성된 전류 확산층을 포함하되,상기 전류 확산층은 CNT층 또는 그래핀층을 포함하며,상기 투명전극은 저항 변화 물질로 이루어진 것이고, 상기 저항 변화 물질에 전자 포밍(electro-forming) 과정을 통해 형성된 전도성 필라멘트를 통해 전도성을 갖는 것인 반도체 소자 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 전도성 필라 멘트는 상기 투명전극의 타면에 접촉된 포밍용 금속 전극을 통해 인가된 임계 전압 이상의 전압에 의하여 형성된 것인 반도체 소자 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 투명전극은 상기 반도체층과 오믹(ohmic) 접촉되는 것인 반도체 소자 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서,상기 반도체층은 n형 또는 p형으로 도핑된 것인 반도체 소자 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서,상기 투명전극은 투명한 Oxide 계열의 물질, 투명한 Nitride 계열의 물질, 투명한 폴리며 계열의 물질, 및 투명한 나노 물질들 중 하나 이상의 물질로 형성된 것인 반도체 소자 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서,상기 투명전극과 반도체층 사이에 형성된 전류 확산층을 더 포함하되,상기 전류 확산층은 CNT층 또는 그래핀층을 포함하는 반도체 소자 |
| 8 |
8 삭제 |
| 9 |
9 반도체 소자 제조 방법에 있어서,반도체층을 제공하는 단계;상기 반도체층의 일면에 투명전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 투명전극을 형성하는 단계는상기 반도체층과 일면이 접촉하도록 저항 변화 물질층을 형성하는 단계;상기 저항 변화 물질층의 상부에 포밍용 금속 전극을 형성하는 단계;상기 저항 변화 물질층에 전자 포밍(electro-forming) 과정을 통해 전도성 필라멘트를 형성하는 단계;상기 포밍 단계의 수행 후 상기 포밍용 금속 전극을 제거하는 단계;상기 저항 변화 물질층의 상부에 전류 확산층을 형성하는 단계; 및상기 전류 확산층의 상부에 금속 전극 패드를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 전류 확산층은 CNT층 또는 그래핀층을 포함하는 반도체 소자 제조 방법 |
| 10 |
10 제 9 항에 있어서,상기 전도성 필라멘트를 형성하는 단계는 상기 포밍용 금속 전극을 통해 임계 전압 이상의 전압을 인가하는 것인 반도체 소자 제조 방법 |
| 11 |
11 제 9 항에 있어서,상기 포밍용 금속 전극을 형성하는 단계는상기 저항 변화 물질층의 상부에 포토레지스트를 적층하는 단계;상기 포토레지스트에 전극 패턴을 형성하는 단계;상기 전극 패턴에 금속을 증착하는 단계 및상기 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조 방법 |
| 12 |
12 삭제 |
| 13 |
13 제 9 항에 있어서,상기 반도체층의 일면에 저항 변화 물질층을 형성하기 전에 상기 반도체층의 일면에 결합되는전류 확산층을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 전류 확산층은 CNT층 또는 그래핀층을 포함하는 반도체 소자 제조 방법 |
| 14 |
14 반도체 소자 제조 방법에 있어서,기판을 제공하는 단계;상기 기판상에 투명전극을 형성하는 단계 및상기 투명전극의 일면을 반도체층과 접촉시키는 단계를 포함하되,상기 투명전극을 형성하는 단계는상기 기판과 일면이 접촉하도록 저항 변화 물질층을 형성하는 단계;상기 저항 변화 물질층의 상부에 포밍용 금속 전극을 형성하는 단계;상기 저항 변화 물질층에 전자 포밍(electro-forming) 과정을 통해 전도성 필라멘트를 형성하는 단계;상기 포밍 단계의 수행 후 상기 포밍용 금속 전극을 제거하는 단계;상기 저항 변화 물질층의 상부에 전류 확산층을 형성하는 단계; 및상기 전류 확산층의 상부에 금속 전극패드를 형성하는 단계를 포함하되,상기 전류 확산층은 CNT 층 또는 그래핀층을 포함하는 반도체 소자 제조 방법 |
| 15 |
15 제 14 항에 있어서,상기 투명전극의 일면을 반도체층과 접촉시키는 단계는상기 투명전극으로부터 상기 기판을 제거하는 단계 및상기 기판이 제거된 투명전극의 일면을 상기 반도체층과 접촉시키는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조 방법 |
| 16 |
16 제 14 항에 있어서,상기 투명전극의 일면을 반도체층과 접촉시키는 단계는상기 기판과 접촉된 투명전극의 타면에 상기 반도체층을 접촉시키는 단계 및상기 투명전극으로부터 상기 기판을 제거하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조 방법 |
| 17 |
17 제 14 항에 있어서,상기 전도성 필라멘트를 형성하는 단계는 상기 포밍용 금속 전극을 통해 임계 전압 이상의 전압을 인가하는 것인 반도체 소자 제조 방법 |
| 18 |
18 제 14 항에 있어서,상기 포밍용 금속 전극을 형성하는 단계는상기 저항 변화 물질층의 상부에 포토레지스트를 적층하는 단계;상기 포토레지스트에 전극 패턴을 형성하는 단계;상기 전극 패턴에 금속을 증착하는 단계 및상기 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조 방법 |
| 19 |
19 삭제 |
| 20 |
20 제 9 항 또는 제 14 항에 있어서,상기 투명전극은 상기 반도체층과 오믹(ohmic) 접촉되는 것인 반도체 소자 제조 방법 |
| 21 |
21 제 9 항 또는 제 14 항에 있어서,상기 반도체층은 n형 또는 p형으로 도핑된 것인 반도체 소자 제조 방법 |
| 22 |
22 제 9 항 또는 제 14 항에 있어서,상기 투명전극은 투명한 Oxide 계열의 물질, 투명한 Nitride 계열의 물질, 투명한 폴리며 계열의 물질, 및 투명한 나노 물질들 중 하나 이상의 물질로 형성된 것인 반도체 소자 제조 방법 |
| 23 |
23 삭제 |
| 24 |
24 삭제 |
| 25 |
25 삭제 |
| 26 |
26 삭제 |
| 27 |
27 발광 소자에 있어서,서브 마운트 기판,접합층을 통해 상기 서브 마운트 기판과 결합된 반사층,상기 반사층과 결합된 투명전극,상기 투명전극 상부에 결합된 제 2 반도체층,상기 제 2 반도체층의 상부에 형성된 활성층,상기 활성층의 상부에 형성된 제 1 반도체층, 및상기 제 1 반도체층 상부에 형성된 전극 패드를 포함하되,상기 투명전극은 저항 변화 물질로 이루어진 것이고, 상기 저항 변화 물질에 전자 포밍(electro-forming) 과정을 통해 형성된 전도성 필라멘트를 통해 전도성을 갖는 것인 발광 소자 |
| 28 |
28 발광 소자에 있어서,서브 마운트 기판,접합층을 통해 상기 서브 마운트 기판과 결합된 반사층,상기 반사층과 결합된 제 2 반도체층,상기 제 2 반도체층의 상부에 형성된 활성층,상기 활성층의 상부에 형성된 제 1 반도체층, 상기 제 1 반도체층 상부에 형성된 투명전극,상기 투명전극 상부에 형성된 전극 패드를 포함하되,상기 투명전극은 저항 변화 물질로 이루어진 것이고, 상기 저항 변화 물질에 전자 포밍(electro-forming) 과정을 통해 형성된 전도성 필라멘트를 통해 전도성을 갖는 것인 발광 소자 |
| 29 |
29 제 27 항 또는 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 투명전극의 일면 또는 타면에 결합된 전류 확산층을 더 포함하되,상기 전류 확산층은 상기 투명전극과 결합된 CNT 층 또는 그래핀층을 포함하는 것인 발광 소자 |
| 30 |
30 제 27 항에 있어서,상기 투명전극은 상기 제 2 반도체층과 오믹(ohmic) 접촉되는 것인 반도체 소자 |
| 31 |
31 제 28 항에 있어서,상기 투명전극은 상기 제 1 반도체층과 오믹(ohmic) 접촉되는 것인 반도체 소자 |
| 32 |
32 삭제 |
| 33 |
33 삭제 |
| 34 |
34 발광 소자 제조 방법에 있어서,기판상에 제 1 반도체층, 활성층 및 제 2 반도체층을 형성하는 단계,상기 제 2 반도체층 상에 투명전극을 형성하는 단계;상기 투명전극의 상부에 반사층을 형성하는 단계;상기 반사층의 상부에 접합층을 형성하는 단계;상기 접합층에 서브 마운트 기판을 결합하는 단계;상기 기판을 제거하여 상기 제 1 반도체층을 노출시키는 단계;상기 제 1 반도체층의 상부에 전극 패드를 형성하는 단계를 포함하되,상기 투명전극을 형성하는 단계는상기 제 2 반도체층과 일면이 접촉하도록 저항 변화 물질층을 형성하는 단계 및상기 저항 변화 물질층에 전자 포밍(electro-forming) 과정을 통해 전도성 필라멘트를 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조 방법 |
| 35 |
35 발광 소자 제조 방법에 있어서,기판상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층과 일면이 접촉하도록 저항 변화 물질층을 형성하는 단계;상기 저항 변화 물질층 상에 제 1 반도체층, 활성층 및 제 2 반도체층을 형성하는 단계,상기 제 2 반도체층 상에 반사층을 형성하는 단계;상기 반사층의 상부에 접합층을 형성하는 단계;상기 접합층에 서브 마운트 기판을 결합하는 단계;상기 기판을 제거하여 상기 저항 변화 물질층을 노출시키는 단계;상기 저항 변화 물질층에 전도성 필라멘트를 형성하는 단계를 수행하여 투명전극을 형성하는 단계;상기 투명전극의 상부에 전극 패드를 형성하는 단계를 포함하되,상기 투명전극을 형성하는 단계는상기 저항 변화 물질층에 전자 포밍(electro-forming) 과정을 통해 전도성 필라멘트를 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조 방법 |
| 36 |
36 제 34 항 또는 제 35 항에 있어서,상기 투명전극의 일면 또는 타면에 결합된 전류 확산층을 형성하는 단계를 더 포함하되,상기 전류 확산층은 CNT 층 또는 그래핀층을 포함하는 것인 발광 소자 제조 방법 |
| 37 |
37 삭제 |
| 38 |
38 삭제 |
| 39 |
39 삭제 |
| 40 |
40 삭제 |
| 41 |
41 삭제 |
| 42 |
42 삭제 |
| 43 |
43 삭제 |
| 44 |
44 삭제 |
| 45 |
45 삭제 |
| 46 |
46 수광 소자에 있어서,광전 변환층,광전 변환층의 일면에 접촉된 투명전극 및상기 광전 변환층의 타면에 접촉된 대향 전극을 포함하되,상기 투명전극은 저항 변화 물질로 이루어진 것이고, 상기 저항 변화 물질에 전자 포밍(electro-forming) 과정을 통해 형성된 전도성 필라멘트를 통해 전도성을 갖는 것인 수광 소자 |
| 47 |
47 수광 소자에 있어서,기판,상기 기판의 상부에 형성된 제 1 반도체층,상기 제 1 반도체층의 상부에 형성된 활성층,상기 활성층의 상부에 형성된 제 2 반도체층, 상기 제 2 반도체층의 상부에 형성된 투명전극,상기 제 1 반도체층과 접촉하도록 형성된 제 1 전극 패드, 및 상기 투명전극의 상부에 접촉된 제 2 전극 패드를 포함하되,상기 투명전극은 저항 변화 물질로 이루어진 것이고, 상기 저항 변화 물질에 전자 포밍(electro-forming) 과정을 통해 형성된 전도성 필라멘트를 통해 전도성을 갖는 것인 수광 소자 |
| 48 |
48 제 47 항에 있어서,상기 제 1 전극 패드는 상기 제1 반도체층, 상기 활성층, 상기 제 2 반도체층 및 상기 투명전극을 수직한 방향으로 식각하여 노출된 제 1 반도체층의 소정 영역에 접촉하도록 형성된 것인 수광 소자 |
| 49 |
49 제 46 항 내지 제 48 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 투명전극의 일면 또는 타면에 결합된 전류 확산층을 더 포함하되, 상기 전류 확산층은 CNT 층 또는 그래핀층을 포함하는 것인 수광 소자 |
| 50 |
50 수광 소자의 제조 방법에 있어서,기판 상에 대향 전극을 형성하는 단계;상기 대향 전극 상에 광전 변환층을 형성하는 단계 및상기 광전 변환층 상에 투명전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 광전 변환층과 일면이 접촉하도록 저항 변화 물질층을 형성하는 단계 및상기 저항 변화 물질층에 전자 포밍(electro-forming) 과정을 통해 전도성 필라멘트를 형성하는 단계를 포함하는 수광 소자 제조 방법 |
| 51 |
51 수광 소자 제조 방법에 있어서,기판상에 제 1 반도체층, 활성층 및 제 2 반도체층을 형성하는 단계,상기 제 2 반도체층 상에 투명전극을 형성하는 단계;상기 제 1 반도체층, 활성층, 제 2 반도체층 및 투명전극을 수직방향으로 식각하여 상기 제 1 반도체층을 노출시키는 단계; 및상기 제 1 반도체층의 상부에 접촉하는 제 1 전극 패드 및 상기 투명전극의 상부에 접촉하는 제 2 전극 패드를 각각 형성하는 단계를 포함하되,상기 투명전극을 형성하는 단계는상기 제 2 반도체층과 일면이 접촉하도록 저항 변화 물질층을 형성하는 단계 및상기 저항 변화 물질층에 전자 포밍(electro-forming) 과정을 통해 전도성 필라멘트를 형성하는 단계를 포함하는 수광 소자 제조 방법 |
| 52 |
52 제 51 항에 있어서,상기 투명전극의 일면 또는 타면에 결합된 전류 확산층을 형성하는 단계를 더 포함하되, 상기 전류 확산층은 CNT 층 또는 그래핀층을 포함하는 것인 수광 소자 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | WO2015002473 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | WO2015002473 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1508574-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20130703 출원 번호 : 1020130077913 공고 연월일 : 20150407 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20150325 청구범위의 항수 : 33 유별 : H01L 33/42 발명의 명칭 : 투명전극을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 666,000 원 | 2015년 03월 31일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 536,200 원 | 2018년 01월 08일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 383,000 원 | 2019년 02월 11일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 383,000 원 | 2020년 01월 28일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2013.07.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0599555-40 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 | 2014.03.06 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 | 2014.04.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0028475-47 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
| 6 | 의견제출통지서 | 2014.04.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0296508-12 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.06.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0599603-89 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.06.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0599602-33 |
| 9 | 의견제출통지서 | 2014.10.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0714419-41 |
| 10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.12.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1228000-91 |
| 11 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.12.17 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-1228001-36 |
| 12 | 등록결정서 | 2015.03.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0198811-11 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제정보가 없습니다 |
|---|
중요키워드
| [KST2019023360][고려대학교] | 수직형 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [KST2017016546][고려대학교] | 광 추출 효율 개선을 위한 LED 소자(light emitting diodes for enhancing light extraction efficiency) | 새창보기 |
| [KST2016014528][고려대학교] | 발광소자, 이를 포함하는 발광소자 패키지, 및 이를 포함하는 조명시스템(LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE HAVING THE SAME, AND LIGHT SYSTEM HAVING THE SAME) | 새창보기 |
| [KST2021001217][고려대학교] | 발광소자 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2018006710][고려대학교] | 페로브스카이트 발광소자(PEROVSKITE LIGHT EMITTING DEVICE) | 새창보기 |
| [KST2015132076][고려대학교] | 질화물 반도체 발광소자 | 새창보기 |
| [KST2017007564][고려대학교] | 질화물계 발광 소자 및 이의 제조방법(n-type nitride-based light emitting device and method of manufacturing the same) | 새창보기 |
| [KST2015012508][고려대학교] | 투명 전극을 구비하는 수직형 발광소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2019020101][고려대학교] | 발광 소자 | 새창보기 |
| [KST2016012297][고려대학교] | p형 반도체 박막 구조물의 형성 방법 및 이를 이용한 p형 오믹 전극의 제조 방법(METHOD OF FORMING A P-TYPE SEMICONDUCTOR THIN LAYERED STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING A P-TYPE OHMIC ELECTRODE) | 새창보기 |
| [KST2015133924][고려대학교] | 수직형 발광 소자의 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2017007770][고려대학교] | 전극 구조물, 이의 형성 방법 및 이를 포함하는 반도체 발광 소자(ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FORMING THE SAME AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING THE SAME) | 새창보기 |
| [KST2018000822][고려대학교] | 발광창 전극 구조가 구비된 고효율 발광다이오드 제작 방법(High Efficiency Light Emitting Diode Having Optical Functionalized Electrodes) | 새창보기 |
| [KST2021001759][고려대학교] | 발광소자 패키지 | 새창보기 |
| [KST2023003055][고려대학교] | 발광소자-박막트랜지스터 인테그레이션 구조 | 새창보기 |
| [KST2020014223][고려대학교] | 페로브스카이트막, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 광전소자 | 새창보기 |
| [KST2018006713][고려대학교] | 페로브스카이트 발광소자(PEROVSKITE LIGHT EMITTING DEVICE) | 새창보기 |
| [KST2016016289][고려대학교] | 전극 구조물 및 이를 포함하는 발광 다이오드(ELECTRODE STRUCTURE AND LIGHT EMITTING DIODE INCLUDING THE SAME) | 새창보기 |
| [KST2019004078][고려대학교] | 마이크로 발광소자용 반사전극, 이를 구비한 마이크로 발광소자 및 마이크로 발광소자용 반사전극의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2018015101][고려대학교] | 마이크로 발광소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2019023336][고려대학교] | p-type 반도체층 구조물 및 이를 포함하는 자외선 발광 소자 | 새창보기 |
| [KST2018007312][고려대학교] | 발광 소자 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2021000659][고려대학교] | 발광소자 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2017017878][고려대학교] | 복수 n 콘택 구조가 구비된 발광 다이오드 소자(Light Emitting Diode With Multiple n Contact Structure) | 새창보기 |
| [KST2019023365][고려대학교] | 광추출효율 향상을 위한 전극을 구비한 발광 다이오드 소자 | 새창보기 |
| [KST2021006654][고려대학교] | 페로브스카이트막, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 광전소자 | 새창보기 |
| [KST2023008902][고려대학교] | 정렬 도선을 포함하는 LED칩 정렬 기판, 이를 포함하는 LED칩 수직 정렬 어셈블리, 및 이를 이용하는 LED칩 수직 정렬 방법 | 새창보기 |
| [KST2024000321][고려대학교] | LED 로드가 선택적으로 정렬된 LED 수직 정렬 구조체 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
| 심판사항 정보가 없습니다 |
|---|