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제1 타입 결정질 실리콘 기판 상부에 제2 타입 실리콘층을 형성하는 단계;상기 제2 타입 실리콘층 상부에 패시베이션막 또는 반사방지막을 형성하는 단계;상기 패시베이션막 또는 반사방지막 상부에 전면 금속전극을 형성하고, 상기 제1 타입 결정질 실리콘 기판 하부에 후면 금속전극을 순차적으로 형성하는 단계; 및유도전류 장치를 이용하여 상기 전면 금속전극을 선택적으로 열처리(Firing)하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제1 타입 결정질 실리콘 기판과 상기 제2 타입 실리콘층 사이의 계면 에 패시베이션막을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 패시베이션막은 SiO2, SiC, SiNx 및 진성 비정질 실리콘(Intrinsic amorphors-Si) 중 선택되는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 패시베이션막은 5 ~ 100nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전면금속전극은 70 ~ 80중량%의 Ag 분말, 5 ~ 20중량%의 유리 프릿(Glass Frit), 5 ~ 20중량%의 레진(Resin) 및 잔량의 유기 용제를 포함하는 금속 페이스트로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 Ag 분말은 1 ~ 20㎛의 입경을 가지는 플레이크(Flake) 또는 구형입자인 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전면 금속전극은 상기 제2 타입 실리콘층에 접속되는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전면금속전극은 700 ~ 800℃의 온도까지 가열되는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 후면금속전극은 상기 유도전류 장치에 의해서 선택적으로 열처리(Firing)되는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 열처리에 의해서 상기 제1 타입 실리콘 기판 및 상기 후면금속전극 사이의 계면에 전계 형성층(BSF)이 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 열처리는 1,000 ~ 1,000,000 Hz를 갖는 주파수를 사용한 유도전류를 이용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조 방법
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