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표면에 요철이 형성된 기판을 준비하는 단계;상기 요철의 요부 중 일부를 비정질화하는 단계; 및상기 기판 상에 에피택셜층을 성장시키는 단계를 포함하는 에피택셜층의 성장 방법
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제1 항에 있어서,상기 요철의 요부 중 일부를 비정질화하는 단계는,상기 기판의 표면에 마스크를 도포하는 단계와,상기 마스크의 일부를 제거하여, 상기 요철의 요부 중 일부를 노출시키는 단계와,상기 노출된 기판의 요부를 처리하여 비정질화하는 단계를 포함하여 이루어지는 에피택셜층의 성장 방법
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제2 항에 있어서,상기 마스크를 도포하는 단계는,실리콘 산화물을 상기 기판의 요부와 철부를 덮도록 도포하는 에피택셜층의 성장 방법
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제2 항에 있어서,상기 마스크를 제거하는 단계는,상기 기판의 철부 중 적어도 일부를 덮는 마스크를 건식 식각 방법으로 제거하는 에피택셜층의 성장 방법
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제2 항에 있어서,상기 비정질화 단계는,상기 기판의 노출된 철부에 이온을 주입하여 이루어지는 에피택셜층의 성장 방법
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제5 항에 있어서,상기 기판은 사파이어 기판이고, 상기 이온을 주입하는 단계는 상기 기판에 질소를 주입하는 에피택셜층의 성장 방법
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제5 항에 있어서,상기 이온을 상기 기판의 철부의 표면으로부터 적어도 100 나노미터의 깊이로 주입하는 에피택셜층의 성장 방법
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제5 항에 있어서,상기 이온을 1×1017개/cm3의 밀도로 주입하는 에피택셜층의 성장 방법
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제5 항에 있어서,상기 이온을 상기 요철의 철부의 상부면과 수직하게 주입하는 에피택셜층의 성장 방법
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제2 항에 있어서,상기 마스크를 제거하고, 상기 기판을 세정하고 건조하는 단계를 더 포함하는 에피택셜층의 성장 방법
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제2 항에 있어서,상기 마스크를 도포하는 단계는,상기 에피택셜층과 동일한 조성으로 마스크를 성장시키는 에피택셜층의 성장 방법
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제2 항에 있어서,실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물로 상기 마스크를 도포하는 에피택셜층의 성장 방법
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표면에 요철이 형성된 기판;상기 요철의 철부의 상부에 형성된 비정질층; 및상기 기판의 상부에 형성된 에피택셜층을 포함하는 반도체 구조물
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제13 항에 있어서,상기 기판은 사파이어 기판이고, 상기 에피택셜층은 GaN층이며, 상기 비정질층은 상기 기판에 질소 이온이 주입되어 형성된 반도체 구조물
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제13 항에 있어서,상기 비정질층의 두께는 100 나노미터 이상인 반도체 구조물
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제13 항에 있어서,상기 비정질층 내에는 이온이 1×1017/cm3이상의 밀도로 주입된 반도체 구조물
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제13 항에 있어서,상기 비정질층의 두께는 상기 요철의 철부의 상부 영역에서 가장 두꺼운 반도체 구조물
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