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비씨앗 성장과 씨앗 성장으로 제조한 순수 실리카 DDR 제올라이트 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015134601
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비씨앗 성장과 씨앗 성장으로 제조한 순수 실리카 DDR 제올라이트 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 약 14-18의 이상적인 흡착 선택도 및 약 7-9의 이상적인 투과 선택도를 가지므로 우수한 CO2/N2 분리 성능, 특히 물이 존재하는 환경에서도 매우 우수한 분리 성능을 갖는 순수 실리카 DDR 제올라이트를 제공할 수 있고, 불균일하지만 씨드(씨앗)로 사용할 수 있는 순수 실리카 DDR을 비씨앗 성장으로 합성할 수 있으며, 또한 씨드 결정의 형태와 크기에 상관없이 균일한 크기의 다이아몬드 같은 입자로 이루어진 순수 실리카 DDR 제올라이트를 제조할 수 있을 뿐만 아니라 씨드 결정의 양을 조절함으로써 순수 실리카 DDR 제올라이트 입자의 크기를 조절할 수 있으며, 씨드 결정의 종류에 상관없이 씨앗 성장으로 순수 실리카 DDR 제올라이트를 제조할 수 있는 신뢰성 있는 제조방법을 제공할 수 있고 소수성을 가진 순수 실리카 DDR 제올라이트 입자를 구조적으로 완전하게 제조할 수 있는 비씨앗 성장으로 제조한 순수 실리카 DDR 제올라이트 및 비씨앗 성장으로 얻은 순수 실리카 DDR 제올라이트로부터 씨앗 성장으로 제조한 순수 실리카 DDR 제올라이트 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL C01B 39/50 (2006.01) C01B 39/02 (2006.01)
CPC C01B 39/50(2013.01) C01B 39/50(2013.01) C01B 39/50(2013.01)
출원번호/일자 1020140030589 (2014.03.14)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1633429-0000 (2016.06.20)
공개번호/일자 10-2015-0107514 (2015.09.23) 문서열기
공고번호/일자 (20160624) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.03.14)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최정규 대한민국 서울특별시 성북구
2 김은주 대한민국 서울특별시 구로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 신지 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 ***호실(역삼동, 청원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0250044-26
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.09.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2014-0082529-70
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0640924-63
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-1116269-40
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.12.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1230287-14
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-1230281-30
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.04.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0250326-12
10 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2016.05.09 수리 (Accepted) 7-1-2016-0028577-17
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2016-0539565-15
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.06.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0539575-72
13 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.06.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0422403-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
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실리카원 1을 가수분해시키거나 혼합한 후 비씨앗 성장으로 성장시켜 얻은 Si-DDR 제올라이트를 제조하는 제1단계와,실리카원 2와 상기 제1단계에서 제조된 상기 비씨앗 성장으로 얻은 Si-DDR 제올라이트를 첨가한 후 씨앗 성장시켜 얻은 Si-DDR 제올라이트를 제조하는 제2단계를 포함하되,상기 제1단계는,1-아다맨틸 아민(ADA), 에틸렌디아민(EDA)을 혼합한 혼합물을 초음파 처리하는 제1공정과,상기 혼합물에 탈이온수를 첨가하여 혼합시킨 다음 95℃의 실리콘 오일 배스에서 환류시키는 제2공정과,실리카원 1을 상기 제2공정의 혼합물에 첨가하여 합성 용액을 제조한 후 실온에서 가수분해시키거나 혼합하는 제3공정과,반응기에서 상기 합성 용액을 반응시켜 비씨앗 성장으로 얻은 Si-DDR 제올라이트를 제조하는 제4공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 순수 실리카 DDR 제올라이트의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 제2단계는 1-아다맨틸 아민(ADA), 에틸렌디아민(EDA), 탈이온수, 실리카원 2 및 상기 제1단계에서 제조된 상기 비씨앗 성장으로 얻은 Si-DDR 제올라이트를 사용하여 씨앗 성장시켜 얻은 Si-DDR 제올라이트를 제조하는 단계인 것을 특징으로 하는, 순수 실리카 DDR 제올라이트의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 실리카원 1은 모노머 실리카, 흄드 실리카 및 콜로이달 실리카중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 순수 실리카 DDR 제올라이트의 제조방법
15 15
실리카원 1을 가수분해시키거나 혼합한 후 비씨앗 성장으로 성장시켜 얻은 Si-DDR 제올라이트를 제조하는 제1단계와,실리카원 2와 상기 제1단계에서 제조된 상기 비씨앗 성장으로 얻은 Si-DDR 제올라이트를 첨가한 후 씨앗 성장시켜 얻은 Si-DDR 제올라이트를 제조하는 제2단계를 포함하되,상기 제1단계는,1-아다맨틸 아민(ADA), 에틸렌디아민(EDA)을 혼합한 혼합물을 초음파 처리하는 제1공정과,실리카원 1을 실온에서 가수분해시키는 제2공정과,상기 제2공정의 가수분해된 실리카원 1에 상기 제1공정의 혼합물을 첨가하여 교반시켜 합성 용액을 제조하는 제3공정과,반응기에서 상기 합성 용액을 반응시켜 비씨앗 성장으로 얻은 Si-DDR 제올라이트를 제조하는 제4공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 순수 실리카 DDR 제올라이트의 제조방법
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제8항 또는 제15항에 있어서,상기 합성 용액의 최종 몰 조성은 1-100 ADA: 100 SiO2: 10-1,000 EDA: 1,000-100,000 H2O인 것을 특징으로 하는, 순수 실리카 DDR 제올라이트의 제조방법
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제8항 또는 제15항에 있어서,상기 제2단계는,1-아다맨틸 아민(ADA)과 에틸렌디아민(EDA)을 혼합한 혼합물을 초음파 처리하는 제5공정과,상기 제5공정의 혼합물에 탈이온수를 첨가하여 혼합시킨 다음 95℃의 실리콘 오일 배스에서 환류시키는 제6공정과,실리카원 2를 상기 제6공정의 혼합물에 첨가하여 합성 용액을 제조한 후 고온의 실리콘 오일 배스 또는 실온에서 가수분해시키거나 혼합하는 제7공정과,상기 제7공정의 합성 용액에 상기 제1단계에서 제조된 상기 비씨앗 성장으로 얻은 Si-DDR 제올라이트를 첨가하여 혼합하는 제8공정과,반응기에서 상기 제7공정의 합성 용액과 상기 비씨앗 성장으로 얻은 Si-DDR 제올라이트를 반응시켜 씨앗 성장으로 얻은 Si-DDR 제올라이트를 제조하는 제9공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 순수 실리카 DDR 제올라이트의 제조방법
18 18
제8항 또는 제15항에 있어서,상기 제2단계는,1-아다맨틸 아민(ADA), 에틸렌디아민(EDA)을 혼합한 혼합물을 초음파 처리하는 제5공정과,실리카원 2를 실온에서 가수분해시키는 제5-1공정과,상기 제5-1공정의 가수분해된 실리카원 2에 상기 제5공정의 혼합물을 첨가하여 교반시켜 합성 용액을 제조하는 제5-2공정과,상기 제5-2공정의 합성 용액에 상기 제1단계에서 제조된 상기 비씨앗 성장으로 얻은 Si-DDR 제올라이트를 첨가하여 혼합하는 제8공정과,반응기에서 상기 제5-2공정의 합성 용액과 상기 비씨앗 성장으로 얻은 Si-DDR 제올라이트를 반응시켜 씨앗 성장으로 얻은 Si-DDR 제올라이트를 제조하는 제9공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 순수 실리카 DDR 제올라이트의 제조방법
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제8항 또는 제15항에 있어서,상기 실리카원 2는 모노머 실리카, 흄드 실리카 및 콜로이달 실리카 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 순수 실리카 DDR 제올라이트의 제조방법
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제8항 또는 제15항에 있어서,상기 제2단계는 상기 비씨앗 성장으로 얻은 Si-DDR 제올라이트의 씨드 결정의 양과 제조된 상기 씨앗 성장으로 얻은 Si-DDR 제올라이트의 입자 크기는 반비례하는 것을 특징으로 하는, 순수 실리카 DDR 제올라이트의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 고려대학교 산학협력단 Korea CCS 2020사업 이산화탄소 선택적인 실리카 제올라이트 분리막 제조