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선택적 원자층 증착 방법으로서, 기판 상에 전도체 물질로 패턴을 형성하는 단계; 상기 패턴에 전류를 인가하여 저항열을 발생시키는 단계; 및전구체 및 반응체의 소스가스는 주입하여 상기 패턴 상에 또는 상기 패턴을 제외한 영역에 박막을 증착하는 단계를 포함하되, 상기 박막의 증착 영역은 상기 저항열을 통한 상기 패턴의 온도에 따라 결정되는 선택적 원자층 증착 방법
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제1항에 있어서, 상기 전도체 물질은 금속, 반도체, 탄소 화합물, 그래핀(graphine), 고온전도폴리머, 전도성 나노 파티클, 탄소나노튜브 중 적어도 하나를 포함하는 선택적 원자층 증착 방법
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제1항에 있어서,상기 전류의 인가에 따른 저항열은 상기 소스가스의 종류에 의해 결정되는 선택적 원자층 증착 방법
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선택적 원자층 증착 장치로서, 진공 상태가 유지되는 챔버;상기 챔버 내에 위치하며, 전도체 물질로 형성된 패턴에 전류를 인가하는 전류 인가부; 및상기 챔버 내의 패턴 상에 또는 패턴을 제외한 영역에 박막 형성을 위한 전구체 및 반응체 소스가스를 주입하는 소스가스 주입부를 포함하되,상기 박막의 증착 영역은 상기 저항열을 통한 상기 패턴의 온도에 따라 결정되는 선택적 원자층 증착 장치
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제4항에 있어서, 상기 전도체 물질은 금속, 반도체, 탄소 화합물, 그래핀(graphine), 고온전도폴리머, 전도성 나노 파티클, 탄소나노튜브 중 적어도 하나를 포함하는 선택적 원자층 증착 장치
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제4항에 있어서,상기 전류의 인가에 따른 저항열은 상기 소스가스의 종류에 의해 결정되는 선택적 원자층 증착 장치
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