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희토류계 소결 자석의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015134719
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 희토류계 소결자석의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 제조방법은 a) 희토류계 자석 원료 분말에 제1중희토류화합물을 포함하는 제1도핑물질을 혼합 소결하여 제1도핑된 소결체를 제조하는 제1도핑단계; 및 b) 제1도핑된 소결체 표면에 제2중희토류화합물을 포함하는 제2도핑물질의 코팅층을 형성한 후 열처리하여 제2도핑된 소결체를 제조하는 제2도핑단계;를 포함한다.
Int. CL H01F 1/08 (2006.01) H01F 41/02 (2006.01)
CPC H01F 41/0293(2013.01)H01F 41/0293(2013.01)
출원번호/일자 1020140046847 (2014.04.18)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1548684-0000 (2015.08.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150911) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.04.18)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성래 대한민국 서울특별시 강남구
2 김태훈 대한민국 서울특별시 마포구
3 장태석 대한민국 충청남도 천안시 동남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-0372949-58
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.03.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0170268-73
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0391167-96
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0392111-18
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.04.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0392066-51
6 등록결정서
Decision to grant
2015.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0563508-43
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 희토류계 자석 원료 분말에 중희토류불화물을 포함하는 분말형태의 제1도핑물질을 혼합한 후 소결하여 제1도핑된 소결체를 제조하되, 상기 제1도핑된 소결체는 상기 중희토류불화물로부터 기인하는 제1중희토류 원소를 0
2 2
제 1항에 있어서,상기 제1도핑단계에 의해, 상기 제2도핑단계는 하기 관계식 1을 만족하는 소결자석의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 희토류계 자석 원료 분말은 Nd, B 및 Fe를 함유하는 소결자석의 제조방법
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서,상기 제1도핑된 소결체는 상기 중희토류불화물에서 기인한 제1중희토류 원소를 0
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제 1항에 있어서, 상기 중희토류불화물의 제1중희토류 원소와 중희토류수소화물의 제2중희토류 원소는 서로 독립적으로, Dy, Tb, Ho, Sm, Gd, Er, Tm, Yb, Lu 및 Th에서 하나 또는 둘 이상 선택되는 소결자석의 제조방법
9 9
제 3항에 있어서,상기 희토류계 자석 원료 분말은 Cu, Co, Al 및 Nb에서 하나 또는 둘 이상 선택되는 금속을 더 함유하는 소결자석의 제조방법
10 10
제 1항에 있어서,상기 a) 단계의 소결은 1000 내지 1100℃에서 수행되는 소결자석의 제조방법
11 11
제 1항에 있어서,상기 b) 단계의 열처리는 800 내지 950℃의 제1열처리 및 400 내지 600℃의 제2열처리를 포함하는 다단 열처리인 소결자석의 제조방법
12 12
제 1항 내지 제 3항 또는 청구항 제 5항 또는 청구항 제 8항 내지 청구항 제 11항 중 어느 한 항의 제조 방법으로 제조된 소결자석
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