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a) 희토류계 자석 원료 분말에 중희토류불화물을 포함하는 분말형태의 제1도핑물질을 혼합한 후 소결하여 제1도핑된 소결체를 제조하되, 상기 제1도핑된 소결체는 상기 중희토류불화물로부터 기인하는 제1중희토류 원소를 0
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제 1항에 있어서,상기 제1도핑단계에 의해, 상기 제2도핑단계는 하기 관계식 1을 만족하는 소결자석의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 희토류계 자석 원료 분말은 Nd, B 및 Fe를 함유하는 소결자석의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1도핑된 소결체는 상기 중희토류불화물에서 기인한 제1중희토류 원소를 0
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7
삭제
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제 1항에 있어서, 상기 중희토류불화물의 제1중희토류 원소와 중희토류수소화물의 제2중희토류 원소는 서로 독립적으로, Dy, Tb, Ho, Sm, Gd, Er, Tm, Yb, Lu 및 Th에서 하나 또는 둘 이상 선택되는 소결자석의 제조방법
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9
제 3항에 있어서,상기 희토류계 자석 원료 분말은 Cu, Co, Al 및 Nb에서 하나 또는 둘 이상 선택되는 금속을 더 함유하는 소결자석의 제조방법
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10
제 1항에 있어서,상기 a) 단계의 소결은 1000 내지 1100℃에서 수행되는 소결자석의 제조방법
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11
제 1항에 있어서,상기 b) 단계의 열처리는 800 내지 950℃의 제1열처리 및 400 내지 600℃의 제2열처리를 포함하는 다단 열처리인 소결자석의 제조방법
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12
제 1항 내지 제 3항 또는 청구항 제 5항 또는 청구항 제 8항 내지 청구항 제 11항 중 어느 한 항의 제조 방법으로 제조된 소결자석
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