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기체 차단막 형성 장치 및 그 방법

  • 기술번호 : KST2015134767
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기발광소자, 유기태양전지 등의 유기전자 소자용 수분 및 산소 기체 차단을 위한 기체 차단막 형성 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 특히 고특성 기체 차단막을 형성하기 위해 유기박막과 무기박막을 혼용하여 적층하는 구조의 유/무기 혼성 다층 기체 차단막을 형성함에 있어서 공정의 연속성을 유지하기 위해 하나의 공정용 진공 챔버 내에서 모든 기체 차단막을 형성하며, 이때 사용되는 무기박막의 형성은 스퍼터링 방법 기반의 중성입자 빔 처리 방법을 사용하여 나노 결정 구조의 크기를 단일 무기 박막 내에서 두께별로 연속적으로 변화시켜 고밀도 박막을 형성하며, 완충층 역할의 유기박막 형성은 고분자 유기박막용 액상 재료를 기화하여 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 방법 기반으로 기판 위에 선택적으로 형성함으로써, 생산성과 저원가 특성을 모두 만족시키는 고특성 기체 차단막을 형성할 수 있는 기체 차단막 형성 장치 및 그 방법에 관한 것이다. 본 발명인 기체 차단막 형성 장치를 이루는 구성수단은, 화학 기상 증착 공정과 스퍼터링 공정이 수행되는 공간을 제공하는 진공 챔버, 상기 진공 챔버 내부의 하부에 배치되되, 유/무기 혼성 다층 구조의 기체 차단막이 형성되는 대상체를 장착하고 있는 홀딩 수단, 상기 진공 챔버 내부의 상부에 배치되어 중성입자 빔을 발생시키는 중성입자 빔 발생 수단, 상기 중성입자 빔 발생수단의 양 쪽에 각각 배치되되, 스퍼터링 타겟의 면이 상기 대상체의 면에 경사지도록 장착하고 있는 공동 스퍼터링 수단을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL C23C 14/34 (2006.01) C23C 14/56 (2006.01) C23C 14/20 (2006.01) C23C 16/54 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100078762 (2010.08.16)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1239575-0000 (2013.02.26)
공개번호/일자 10-2012-0016421 (2012.02.24) 문서열기
공고번호/일자 (20130305) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.08.16)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍문표 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 이유종 대한민국 서울특별시 강서구
3 장윤성 대한민국 충청남도 연기군
4 이준영 대한민국 경기도 수원시 팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 나승택 대한민국 서울특별시 서초구 양재천로**길 **, *층 (양재동, 대화빌딩)(무일국제특허법률사무소)
2 조영현 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***(도곡동, 은하수빌딩) *층(특허사무소시선)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 세종산학협력단 세종특별자치시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0524689-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.06.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0060123-28
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0634364-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0257704-37
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0517068-82
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2012-0612387-93
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.09.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0709426-27
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0709404-23
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.12.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0735687-27
11 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2012.12.28 수리 (Accepted) 7-1-2012-0059746-04
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.01.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0074349-27
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0074339-71
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2013.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0088856-83
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
17 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-1046965-79
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
화학 기상 증착 공정과 스퍼터링 공정이 수행되는 공간을 제공하는 진공 챔버;상기 진공 챔버 내부의 하부에 배치되되, 유/무기 혼성 다층 구조의 기체 차단막이 형성되는 대상체를 장착하고 있는 홀딩 수단;상기 진공 챔버 내부의 상부에 배치되어 중성입자 빔을 발생시키기 위하여 음의 전압으로 바이어스되는 평판 형태의 도체 리플렉터를 포함하는 중성입자 빔 발생 수단;상기 도체 리플렉터 아래에 플라즈마 이온을 생성하는 플라즈마 소스; 및상기 중성입자 빔 발생수단의 양 쪽에 각각 배치되되, 스퍼터링 타겟의 면이 상기 대상체의 면에 경사지도록 장착하고 있는 공동 스퍼터링 수단을 포함하여 구성되며,상기 플라즈마 이온이 음의 전압으로 바이어스된 도체 리플렉터에 수직으로 충돌 및 반사되어 중성 입자 빔으로 변환되고, 상기 변환된 중성 입자 빔이 상기 대상체에 형성된 기체 차단막에 공급되는 것을 특징으로 하는 기체 차단막 형성 장치
2 2
청구항 1에 있어서,상기 홀딩 수단과, 상기 중성입자 빔 발생 수단 및 공동 스퍼터링 수단 사이에 배치되되, 플라즈마 내의 전자를 구속하여 음이온들이 상기 대상체로 이동하지 못하도록 하기 위하여 수평 방향으로 자기장을 발생시키는 플라즈마 리미터를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기체 차단막 형성 장치
3 3
청구항 2에 있어서,상기 플라즈마 리미터는, N극 자석과 S극 자석이 결합되어 형성되는 자석 페어들이 상호 이격 배치되어 슬릿을 형성시키는 자석 어레이, 상기 자석 어레이를 고정시키고 상기 챔버 내부에 부착되는 고정틀을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 기체 차단막 형성 장치
4 4
청구항 3에 있어서,상기 홀딩 수단은 상기 챔버 내에서 왕복운동이 가능하게 형성되는 것을 특징으로 하는 기체 차단막 형성 장치
5 5
청구항 4에 있어서,상기 홀딩 수단의 왕복 운동 방향은 상기 슬릿의 장축과 수직한 방향인 것을 특징으로 하는 기체 차단막 형성 장치
6 6
청구항 1 내지 청구항 5 중, 어느 한 항에 있어서,상기 홀딩 수단은 상기 대상체를 가열 및 냉각할 수 있는 온도 조절 유닛을 구비하는 것을 특징으로 하는 기체 차단막 형성 장치
7 7
청구항 1 내지 청구항 5 중, 어느 한 항에 있어서,상기 대상체는 플라스틱 기판 또는 상부에 기능성 코팅층이 형성된 기판인 것을 특징으로 하는 기체 차단막 형성 장치
8 8
청구항 1 내지 청구항 5 중, 어느 한 항에 있어서,상기 대상체는 상부에 유기발광소자 또는 유기태양전지가 형성된 기판인 것을 특징으로 하는 기체 차단막 형성 장치
9 9
하나의 진공 챔버에서 대상체 상에 무기 박막 형성 후 그 상부에 유기 박막을 형성하거나, 유기 박막 형성 후 그 상부에 무기 박막을 형성하는 유/무기 박막 형성 단계;상기 유/무기 박막 형성 단계를 반복 수행하는 유/무기 혼성 다층 박막 형성 단계를 포함하여 구성되며,상기 무기 박막의 일부 또는 전부는 결정 크기가 서로 다른 나노 결정 구조 층들이 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 기체 차단막 형성 방법
10 10
청구항 9에 있어서,상기 유기 박막은 화학 기상 증착 방법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 기체 차단막 형성 방법
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 유기 박막은,액상 고분자 재료를 기화시켜 가스 상태로 상기 진공 챔버 내부에 공급한 후 플라즈마를 이용하여 형성되거나, 액상 고분자 재료를 기화시켜 가스 상태로 상기 진공 챔버 내부에 공급한 후 중성입자 빔을 이용하여 형성되거나, 액상 고분자 재료를 기화시켜 가스 상태로 상기 진공 챔버 내부에 공급한 후 대상체를 가열 또는 냉각시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 기체 차단막 형성 방법
12 12
청구항 9에 있어서,상기 무기 박막은 스퍼터링 방법 및 중성입자 빔 처리 방법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 기체 차단막 형성 방법
13 13
삭제
14 14
청구항 9에 있어서, 상기 나노 결정 구조 층들은,스퍼터링 방법에 의하여 나노 사이즈 두께의 박막을 형성하는 제1 과정, 상기 박막에 대하여 중성입자 빔 처리를 수행하는 제2 과정 및 상기 제1 과정과 제2 과정을 반복 수행하는 제3 과정을 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 기체 차단막 형성 방법
15 15
청구항 14에 있어서,상기 제3 과정을 수행한 후, 상기 무기 박막의 목표 두께를 만들기 위하여 상기 제1 과정을 더 수행하는 것을 특징으로 하는 기체 차단막 형성 방법
16 16
청구항 9에 있어서, 상기 나노 결정 구조 층들은,스퍼터링 방법에 의하여 무기 박막을 형성하면서, 동시에 중성입자 빔 처리를 수행함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 기체 차단막 형성 방법
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2 EP02607516 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP05721831 JP 일본 FAMILY
4 JP25540890 JP 일본 FAMILY
5 US09732419 US 미국 FAMILY
6 US20130161184 US 미국 FAMILY
7 WO2012023760 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
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