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불연속적인 이송 가스 공급을 이용한 분말 적층 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2015135292
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 상온에서 세라믹이나 금속 등의 분말을 고압의 이송기체를 노즐을 통해 기판에 불연속적으로 분사함으로써 기판에 분말을 적층하기 위한 불연속적인 이송 가스 공급을 이용한 분말 적층 장치 및 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 분말 적층 장치는 챔버; 상기 챔버와 연결되어 상기 챔버 내부를 진공 환경으로 조성하는 진공펌프; 상기 챔버 내부에 형성되며, 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 챔버 내부에 형성되며, 상기 기판 상에 소정의 분말을 분사하도록 구성된 분사노즐; 상기 챔버 외부에 형성되며, 소정의 가스를 주입하는 가스주입부; 상기 가스주입부와 상기 분사노즐에 각각 연결되어 상기 가스주입부에서 주입되는 가스가 상기 분사노즐까지 이동할 수 있도록 하는 배관; 상기 배관에 연결되며, 상기 가스가 이동하는 배관에 분말을 공급하는 분말공급부; 및 상기 분말공급부와 상기 가스주입부 사이에 주입되는 가스를 온/오프 제어하는 제어밸브를 포함한다.
Int. CL B32B 37/10 (2006.01.01) B32B 5/16 (2006.01.01) C04B 35/64 (2006.01.01)
CPC B32B 37/10(2013.01) B32B 37/10(2013.01) B32B 37/10(2013.01) B32B 37/10(2013.01)
출원번호/일자 1020090084251 (2009.09.08)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0964060-0000 (2010.06.08)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20100616) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.09.08)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안성훈 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 천두만 대한민국 서울특별시 관악구
3 김민생 대한민국 서울특별시 금천구
4 여준철 대한민국 서울특별시 관악구 남현동 사당군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인명인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층(역삼동, 두원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0550735-53
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0551209-27
3 우선심사신청관련 서류제출서
Submission of Document Related to Request for Accelerated Examination
2009.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2009-0643579-85
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.11.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.11.19 수리 (Accepted) 9-1-2009-0063876-45
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0503984-60
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.02.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0080732-94
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0080734-85
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2010.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0144593-69
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0226900-48
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.04.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0226899-89
12 등록결정서
Decision to grant
2010.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0183820-98
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
챔버; 상기 챔버와 연결되어 상기 챔버 내부를 진공 환경으로 조성하는 진공펌프; 상기 챔버 내부에 형성되며, 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 챔버 내부에 형성되며, 상기 기판 상에 금속 또는 세라믹 분말을 분사하도록 구성된 분사노즐; 상기 챔버 외부에 형성되며, 상기 분말의 운반을 위한 가스를 주입하는 가스주입부; 상기 가스주입부와 상기 분사노즐에 각각 연결되어 상기 가스주입부에서 주입되는 가스가 상기 분사노즐까지 이동할 수 있도록 하는 배관; 상기 배관에 연결되며, 상기 가스가 이동하는 배관에 분말을 공급하는 분말공급부; 및 상기 분말공급부와 상기 가스주입부 사이에 주입되는 가스를 온/오프 제어하는 제어밸브를 포함하며, 상기 분사노즐은 상기 배관에 연결되는 제1개구부, 상기 기판에 분말을 분사하기 위한 제2개구부, 및 상기 제1개구부와 제2개구부 사이에 형성된 노즐목을 포함하고, 상기 제1개구부에서 상기 노즐목까지는 구경이 점차로 감소하고, 상기 노즐목에서 제2개구부까지는 구경이 점차로 증가하거나 유지되는 것을 특징으로 하는 분말 적층 장치
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 분말공급부에서 상기 분말을 300℃로 가열하기 위한 가열부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 분말 적층 장치
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 분사노즐은 상기 기판 면에 대해서 경사 조절할 수 있도록 구성되는 것을 특징으로 하는 분말 적층 장치
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 기판 지지부는 X축, Y축, 및 Z축으로 이동가능하게 형성된 것을 특징으로 하는 분말 적층 장치
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 기판과 노즐 사이에 특정 패턴을 갖는 마스크를 제공하는 마스크 제공부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 분말 적층 장치
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 분말공급부는 제1분말을 공급하는 제1분말공급부 및 제2분말을 공급하는 제2분말공급부를 포함하고, 상기 배관은 상기 제1분말공급부와 연결되는 제1배관, 상기 제2분말공급부와 연결되는 제2배관, 및 상기 제1배관과 제2배관이 통합되는 제3배관을 포함하며, 상기 분사노즐은 상기 제3배관과 연결되는 것을 특징으로 하는 분말 적층 장치
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 분사노즐 및 상기 제어밸브는 각각 복수로 제공되고, 상기 제어밸브의 각각을 제어하여 상기 기판 상에 패턴을 갖도록 분말을 적층하는 것을 특징으로 하는 분말 적층 장치
9 9
분말을 공급하는 제 1 단계; 상온에서 이송 가스를 불연속으로 주입하여 상기 공급된 분말을 분사노즐로 운반하는 제 2 단계; 및 상온 및 대기압 또는 진공상태에서 상기 운반된 분말을 상기 분사노즐을 이용하여 기판상에 분사하는 제 3 단계를 포함하고, 상기 분말의 크기는 0
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 분말은 금속, 세라믹, 또는 상기 금속과 세라믹의 혼합물을 포함하고, 상기 기판은 금속, 세라믹, 또는 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 분말 적층 방법
11 11
제 9 항에 있어서, 상기 분사노즐은 배관에 연결되는 개구부가 상기 기판에 분말을 분사하기 위한 개구부보다 큰 것을 특징으로 하는 분말 적층 방법
12 12
제 9 항에 있어서, 상기 제 3 단계는 상기 기판 면에 대해서 경사진 각으로 상기 분말을 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 분말 적층 방법
13 13
제 9 항에 있어서, 상기 제 3 단계는 상기 기판상에 패턴을 갖도록 분말이 적층되도록 상기 기판을 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 분말 적층 방법
14 14
삭제
15 15
제 9 항에 있어서, 상기 제 1 단계는 제 1 분말을 공급하는 단계 및 제 2 분말을 공급하는 단계를 포함하고, 상기 제 2 단계는 상기 제 1 분말을 제 1 경로로 운반하는 단계, 상기 제 2 분말을 제 2 경로로 운반하는 단계, 및 상기 제 1 분말과 제 2 분말을 혼합하는 단계를 포함하며, 상기 제 3 단계는 상기 혼합된 제 1 분말과 제 2 분말을 하나의 분사노즐을 통해 분사하는 단계를 포함하고, 상기 제 1 분말을 공급하는 단계 및 상기 제 2 분말을 공급하는 단계에서 공급되는 상기 제 1 분말과 상기 제 2 분말의 양을 변경하여 분사되는 제 1 분말과 제 2 분말의 양을 변경함으로써, 상기 기판에 도포되는 제 1 분말과 제 2 분말의 양을 상이하게 하거나 연속적으로 비율을 변화시키는 것을 특징으로 하는 분말 적층 방법
16 16
분말을 공급하는 제 1 단계; 상온에서 이송 가스를 불연속으로 주입하여 상기 공급된 분말을 분사노즐로 운반하는 제 2 단계; 및 상온 및 대기압 또는 진공상태에서 상기 운반된 분말을 상기 분사노즐을 이용하여 기판상에 분사하는 제 3 단계를 포함하고, 상기 분말의 크기는 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국연구재단 서울대학교 산학협력단 선도연구센터육성사업 마이크로 제어계측 기술개발