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구리 ＣＭＰ 후 캡핑 조성물

  • 기술번호 : KST2015135325
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 코발트 화합물 0.01 M 내지 1 M, 착화제 0.02 M 내지 2 M 및 적어도 2종 이상의 환원제 0.01 M 내지 0.11 M을 포함하고, pH 11 내지 13인 구리 CMP 후 캡핑 조성물이 개시된다.
Int. CL C09K 3/10 (2006.01.01) C23F 11/18 (2006.01.01)
CPC C09K 3/1003(2013.01) C09K 3/1003(2013.01) C09K 3/1003(2013.01) C09K 3/1003(2013.01)
출원번호/일자 1020090107548 (2009.11.09)
출원인 주식회사 케이씨, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1105088-0000 (2012.01.04)
공개번호/일자 10-2011-0050942 (2011.05.17) 문서열기
공고번호/일자 (20120116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.09)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이씨 대한민국 경기도 안성시
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재정 대한민국 서울특별시 서초구
2 서명원 대한민국 경기도 용인시 수지구
3 윤영호 대한민국 경기도 안성시
4 황준하 대한민국 경기도 안성시
5 임영 대한민국 경기도 안성시
6 구효철 대한민국 서울특별시 영등포구
7 임태호 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이씨텍 대한민국 경기 안성시
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0686686-14
2 보정요구서
Request for Amendment		 2009.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0088525-05
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0717162-18
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.04.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.05.06 수리 (Accepted) 9-1-2011-0038414-48
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0270233-50
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0537149-16
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0537152-43
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
10 등록결정서
Decision to grant		 2011.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0768428-47
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.05.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5070900-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.06 수리 (Accepted) 4-1-2017-5176182-94
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5246687-07
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
코발트 화합물 0
2 2
제1항에 있어서, 10 mM 내지 30 mM의 보로하이드라이드 환원제 및 50 mM 내지 70 mM 의 보란 환원제를 포함하는 것을 특징으로 하는 구리 CMP 후 캡핑 조성물
3 3
제1항에 있어서, 상기 코발트 화합물은 수용액 상에서 코발트 이온으로 용해되는 화합물인 것을 특징으로 하는 구리 CMP 후 캡핑 조성물
4 4
제3항에 있어서, 상기 코발트 화합물은 황산코발트(CoSO4) 또는 염화코발트(CoCl2) 인 것을 특징으로 하는 구리 CMP 후 캡핑 조성물
5 5
제2항에 있어서, 상기 보란 환원제는 DMAB, TMAB, tBuNH2·BH3, THF·BH3, C5H5N·BH3, NH3·BH3, 보란, 디보란, 상기 물질의 유도체, 상기 물질의 착물 및 상기 물질의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 구리 CMP 후 캡핑 조성물
6 6
제2항에 있어서, 상기 보로하이드라이드 환원제는 나트륨 보로하이드라이드(NaBH4), 칼슘 보로하이드라이드 및 칼륨 보로하이드라이드(KBH4)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 구리 CMP 후 캡핑 조성물
7 7
구리 배선 공정에 있어서, 구리 표면을 CMP 하는 단계; 및 상기 CMP된 구리 표면에 제1항의 조성물을 이용하여 캡핑하는 단계; 및 세정액에 의한 세정 단계를 포함하는 구리 배선의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 캡핑 단계는 CMP 후 젖은 상태의 구리 표면에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 구리 배선의 제조 방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 CMP 단계, 캡핑 단계 및 세정 단계는 연속 공정에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 구리 배선의 제조 방법
10 10
제7항에 있어서, 상기 캡핑 단계가 상온에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 구리 배선의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.