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분말을 이용한 상온에서의 기판상 도선 형성 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2015135327
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 상온에서 예컨대 주석(Sn)을 주성분으로 하는 납땜용 재료나 구리, 금, 은, 백금 등의 전도성 금속 분말을 고압의 이송기체를 노즐을 통해 기판에 분사함으로써 적층함으로써 납땜을 하거나 도선을 형성할 수 있는 분말을 이용한 상온에서 기판상 도선 형성 장치 및 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 분말을 이용한 상온에서의 기판상 도선 형성 장치는 챔버; 상기 챔버와 연결되어 상기 챔버 내부를 진공 환경으로 조성하는 진공펌프; 상기 챔버 내부에 형성되며, 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 챔버 내부에 형성되며, 상기 기판 상에 소정의 분말을 분사하도록 구성된 분사노즐; 상기 챔버 외부에 형성되며, 소정의 가스를 주입하는 가스주입부; 상기 가스주입부와 상기 분사노즐에 각각 연결되어 상기 가스주입부에서 주입되는 가스가 상기 분사노즐까지 이동할 수 있도록 하는 배관; 및 상기 배관에 연결되며, 상기 가스가 이동하는 배관에 분말을 공급하는 분말공급부를 포함하고, 상기 분말은 0.01 내지 20㎛의 크기를 가지며 상기 분사노즐에 의한 분사속도는 200 내지 1500m/sec이다.
Int. CL H05K 3/12 (2006.01.01) H05K 3/34 (2006.01.01)
CPC H05K 3/12(2013.01) H05K 3/12(2013.01)
출원번호/일자 1020090083176 (2009.09.03)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0972689-0000 (2010.07.21)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20100727) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.09.03)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안성훈 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 천두만 대한민국 서울특별시 관악구
3 김민생 대한민국 서울특별시 금천구
4 여준철 대한민국 서울특별시 관악구 남현동 사당군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인명인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층(역삼동, 두원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0544518-66
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0551203-54
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0474320-05
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0032823-81
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0099138-16
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.03.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0171448-33
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0171450-25
8 등록결정서
Decision to grant
2010.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0208963-38
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
챔버; 상기 챔버와 연결되어 상기 챔버 내부의 압력을 10kPa 내지 30kPa하의 저진공 환경으로 조성하는 진공펌프; 상기 챔버 내부에 형성되며, 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 챔버 내부에 형성되며, 상기 기판 상에 소정의 분말을 분사하도록 구성된 분사노즐; 상기 챔버 외부에 형성되며, 소정의 가스를 주입하는 가스주입부; 상기 가스주입부와 상기 분사노즐에 각각 연결되어 상기 가스주입부에서 주입되는 가스가 상기 분사노즐까지 이동할 수 있도록 하는 배관; 및 상기 배관에 연결되며, 상기 가스가 이동하는 배관에 분말을 공급하는 분말공급부를 포함하고, 상기 분말은 0
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 분사노즐과 상기 분말공급부 사이에서 상기 분말을 300℃로 가열하기 위한 가열부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 분말 적층 장치
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 분사노즐은 상기 기판 면에 대해서 경사 조절될 수 있도록 구성되는 것을 특징으로 하는 분말 적층 장치
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 기판 지지부는 X축, Y축, 및 Z축으로 이동가능하게 형성된 것을 특징으로 하는 분말 적층 장치
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 기판과 노즐 사이에 특정 패턴을 갖는 마스크를 제공하는 마스크 제공부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 분말 적층 장치
7 7
분말을 공급하는 제 1 단계; 상온에서 이송 가스를 불연속으로 주입하여 상기 공급된 분말을 분사노즐로 운반하는 제 2 단계; 및 상온 및 진공상태에서 상기 운반된 분말을 상기 분사노즐을 이용하여 기판 상에 분사하여 도선을 형성하는 제 3 단계를 포함하고, 상기 분말의 크기는 0
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 분말은 주석, 구리, 금, 은, 백금, 및 그 혼합물을 포함하는 군으로부터 선택된 금속의 분말이고 상기 기판은 PCB, PET, PMMA를 포함하는 폴리머 기판, 유리 기판, 또는 종이 기판인 것을 특징으로 하는 분말을 이용한 상온에서의 기판상 도선 형성 방법
9 9
삭제
10 10
제 8 항에 있어서, 상기 제 3 단계는 상기 기판에 패턴이 형성되도록 상기 기판을 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 분말을 이용한 상온에서의 기판상 도선 형성 방법
11 11
제 8 항에 있어서, 상기 기판에 패턴이 형성되도록 상기 기판과 상기 분사노즐 사이에 마스크를 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 분말을 이용한 상온에서의 기판상 도선 형성 방법
12 12
제 8 항에 있어서, 상기 제 3 단계는 상기 분말을 분사하여 전기소자와 배선을 연결시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 분말을 이용한 상온에서의 기판상 도선 형성 방법
13 13
제 8 항에 있어서, 상기 제 3 단계는 단선된 배선을 상기 분말을 분사하여 연결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 분말을 이용한 상온에서의 기판상 도선 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국연구재단 서울대학교 산학협력단 선도연구센터육성사업 마이크로 제어계측 기술개발