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트랜지스터로 구현되는 제1 전력 증폭기를 포함하며, 상기 제1 전력 증폭기에는 입력 신호가 입력되는 구동 스테이지,
트랜지스터로 구현되는 제2 전력 증폭기를 포함하며, 입력단이 상기 구동 스테이지의 출력단과 연결되는 메인 스테이지, 및
일단이 상기 구동 스테이지의 출력단에 연결되며 타단이 그라운드에 연결되는 것으로 AC 등가화될 수 있는 제1 LC 공진기 및 일단이 상기 메인 스테이지의 입력단에 연결되며 타단이 그라운드에 연결되는 것으로 AC 등가화될 수 있는 제2 LC 공진기
를 포함하는 E 급 전력 증폭기
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제1항에 있어서,
상기 제1 LC 공진기는 서로 직렬로 연결되는 인덕터 및 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 E 급 전력 증폭기
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3
제2항에 있어서,
상기 제1 LC 공진기는 동작시 짝수 번째 고조파를 차단하고 홀수 번째 고조파를 상기 메인 스테이지로 침투시키는 것을 특징으로 하는 E 급 전력 증폭기
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4
제1항에 있어서,
상기 제1 LC 공진기의 상기 일단과 상기 제2 LC 공진기의 상기 일단 사이에 형성되며 커패시터를 포함하는 DC BLOCK부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 E 급 전력 증폭기
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5
제1항에 있어서,
상기 제2 LC 공진기는 일단이 상기 메인 스테이지의 입력단에 연결되며 타단이 그라운드에 연결되는 인덕터 및 상기 인덕터로부터 상기 메인 스테이지를 바라보았을 때의 입력 커패시턴스 성분이 병렬 연결된 것으로 AC 등가화되는 것을 특징으로 하는 E 급 전력 증폭기
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6
제5항에 있어서,
상기 제2 LC 공진기는 동작시 기본 주파수에서 공진하는 것을 특징으로 하는 E 급 전력 증폭기
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7
제1항에 있어서,
상기 메인 스테이지는,
공통 게이트 트랜지스터와 공통 소스 트랜지스터로 구성되는 일 이상의 캐스코드(cascode) 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 E 급 전력 증폭기
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8
제7항에 있어서,
상기 일 이상의 캐스코드 구조는 차동 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 E 급 전력 증폭기
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9
제7항에 있어서,
상기 구동 스테이지의 출력 신호는 상기 공통 소스 트랜지스터의 게이트로 입력되는 것을 특징으로 하는 E 급 전력 증폭기
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10
제7항에 있어서,
상기 공통 게이트 트랜지스터는 상기 공통 소스 트랜지스터에 비해 두꺼운 산화물 게이트를 갖는 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 E 급 전력 증폭기
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11
제7항에 있어서,
상기 공통 게이트 트랜지스터의 드레인과 소스 사이에 연결되며, 상기 트랜지스터의 게이트 너비로 인해 상기 공통 소스 트랜지스터의 드레인과 소스 사이에 발생하는 기생 커패시턴스 성분을 상쇄시키는 네거티브 커패시턴스(negative capacitance) 성분을 더 포함하는 E 급 전력 증폭기
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12
제11항에 있어서,
상기 네거티브 커패시턴스의 값이 Cn일 때, 상기 네거티브 커패시턴스 성분은, 상기 기생 커패시턴스 성분과 병렬 연결되고 (1-K)·Cn의 커패시턴스 값을 가지는 밀러 커패시턴스(Miller capacitance)로 등가화되되, 상기 K값은 상기 공통 게이트 트랜지스터의 이득 값이고, 상기 (1-K)·Cn값의 절대값은 상기 기생 커패시턴스 값과 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 E 급 전력 증폭기
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13
제1항에 있어서,
상기 구동 스테이지는,
공통 게이트 트랜지스터와 공통 소스 트랜지스터로 구성되는 일 이상의 캐스코드 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 E 급 전력 증폭기
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14
제13항에 있어서,
상기 일 이상의 캐스코드 구조는 차동 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 E 급 전력 증폭기
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15
제13항에 있어서,
상기 공통 소스 트랜지스터의 게이트에 상기 E 급 전력 증폭기의 입력 신호가 입력되는 것을 특징으로 하는 E 급 전력 증폭기
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16
제15항에 있어서,
상기 공통 소스 트랜지스터의 게이트에 입력 벌룬(Input Balun)이 형성되는 것을 특징으로 하는 E 급 전력 증폭기
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제16항에 있어서,
상기 입력 벌룬은 싱글 엔드(single-ended) 구조의 상기 입력 신호를 차동 구조로 변화시켜 상기 일 이상의 캐스코드 구조에 포함되는 상기 공통 소스 트랜지스터의 게이트로 입력하는 것을 특징으로 하는 E 급 전력 증폭기
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