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집전체; 및 상기 집전체 상에 배치된 음극활물질층을 포함하며,상기 음극 활물질층이 Sn을 포함하는 복합체 음극활물질 입자; 및 도전성 금속 입자를 포함하며, 상기 도전성 금속이 상기 Sn과 금속간 화합물을 형성할 수 있으며, 상기 도전성 금속 입자의 평균 입경이 10㎛ 이상인 음극
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제 1 항에 있어서, 상기 도전성 금속 입자의 평균입경이 10 내지 100㎛인 음극
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제 1 항에 있어서, 상기 도전성 금속이 Cu, Ni, Co 및 Fe로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 음극
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제 1 항에 있어서, 상기 복합체 음극활물질이 탄소 및 전이금속으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 추가적으로 포함하는 음극
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제 4 항에 있어서, 상기 전이금속이 Fe, Co, Ni, Cu, Ti, V, Nb, Mo, Sb 및 W로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 음극
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6
제 1 항에 있어서, 상기 복합체 음극활물질이 Sn-C(C는 탄소), Sn-M(M은 전이금속), 및 Sn-M-C로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 음극
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7
제 1 항에 있어서, 상기 복합체 음극활물질이 Sn2Fe, Sn2Fe-C, Sn2Co, Sn2Co-C, Sn2Mn, Sn2Ni3, Sn4Ni3, SnSb 및 Sn3Sb2로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 음극
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8
제 1 항에 있어서, 상기 활물질층에 포함된 상기 복합체 음극활물질 입자와 도전성 금속 입자의 중량비가 95:5 내지 70:30인 음극
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9
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항의 음극을 채용한 리튬 전지
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10
Sn을 포함하는 복합체 음극활물질 입자와 도전성 금속 입자를 혼합하는 단계를 포함하며, 상기 도전성 금속 입자의 평균 입경이 10㎛ 이상인 음극 제조방법
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11
제 10 항에 있어서, 상기 도전성 금속 입자의 평균입경이 10 내지 100㎛인 음극 제조방법
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12
제 10 항에 있어서, 상기 도전성 금속이 Cu, Ni, Co 및 Fe로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 음극 제조방법
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13
제 10 항에 있어서, 상기 복합체 음극활물질이 Sn-C(C는 탄소), Sn-M(M은 전이금속), 및 Sn-M-C로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 음극 제조방법
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14
제 13 항에 있어서, 상기 Sn-M-C가 Sn-M 복합체를 탄소계 재료와 40시간 이하의 시간 동안 기계적으로 밀링함에 의하여 제조되는 음극 제조방법
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