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액티브 소자를 구비한 ＬＥＤ 디스플레이 장치 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015135432
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 액티브 매트릭스 LED 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 배선을 하층에 형성하고 색소 단위로 형성된 트랜지스터 블럭 수용부 및/또는 LED 블럭 수용부에 공융층을 통한 각 블럭의 체결한 구성을 함으로써, 픽셀 소형화가 가능하고, 전자 이동도가 높은 트랜지스터 블럭을 체결할 수 있어 고휘도, 저소비전력, 높은 신뢰성 및 우수한 광학적 특성이 있고, 디스플레이 기판에 트랜지스터 블럭 수용부 및 LED 블럭 수용부를 형성하고 별도 제조된 단결정 실리콘 트랜지스터 블럭 및 LED 블럭을 유체 자기 어셈블리 방식으로 체결함으로써, 짧은 시간에 효과적으로 AM-LED 디스플레이 장치를 상온에서 제조할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 27/15 (2006.01.01) H01L 33/02 (2010.01.01) G09F 9/33 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020100042869 (2010.05.07)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1058880-0000 (2011.08.17)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20110825) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.05.07)
심사청구항수 34

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병국 대한민국 서울특별시 서초구
2 서창수 대한민국 경기도 화성시
3 유병두 대한민국 서울특별시 관악구
4 홍근기 대한민국 서울특별시 관악구
5 지상엽 대한민국 인천광역시 부평구
6 정재민 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권오준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠*차 ****호 (역삼동)(소중한특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0293850-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.03.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.04.12 수리 (Accepted) 9-1-2011-0030065-20
4 등록결정서
Decision to grant		 2011.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0353024-94
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 버퍼층;상기 버퍼층 상에 색소 단위로 서로 이격되어 양측에 소스/드레인이 각각 형성된 스위칭용 트랜지스터의 액티브층 및 구동용 트랜지스터의 액티브층;상기 스위칭용 트랜지스터의 액티브층 및 상기 구동용 트랜지스터의 액티브층을 덮으며 상기 기판 상에 형성된 제 1 절연막;상기 제 1 절연막 상에 상기 스위칭용 트랜지스터의 소스 및 드레인 사이를 가로 지르며 형성된 스캔 라인;상기 제 1 절연막 상에 상기 스캔 라인과 나란하게 이격되어 형성된 캐소드 라인;상기 제 1 절연막 상에 색소 단위로 상기 스위칭용 트랜지스터의 드레인과 전기적으로 연결되고 상기 구동용 트랜지스터의 소스 및 드레인 사이를 가로 지르며 형성된 스토리지 커패시터의 하부전극;상기 스캔 라인, 상기 캐소드 라인 및 상기 스토리지 커패시터의 하부전극을 덮으며 상기 제 1 절연막 상에 형성된 제 2 절연막;상기 제 2 절연막 상에 상기 스위칭용 트랜지스터의 소스와 전기적으로 연결되며 상기 스캔 라인과 수직하게 형성된 데이터 라인;상기 제 2 절연막 상에 상기 구동용 트랜지스터의 소스와 전기적으로 연결되며 상기 데이터 라인과 나란하게 이격되어 형성된 전원공급 라인;상기 제 2 절연막 상에 색소 단위로 상기 전원공급 라인과 전기적으로 연결되며 상기 스토리지 커패시터의 하부전극과 겹치게 형성된 스토리지 커패시터의 상부전극;상기 제 2 절연막 상에 색소 단위로 상기 구동용 트랜지스터의 드레인과 전기적으로 연결되고 상기 데이터 라인과 상기 전원공급 라인 사이에 형성된 애노드 접속층;상기 제 2 절연막 상에 색소 단위로 상기 데이터 라인, 상기 전원공급 라인, 상기 스토리지 커패시터의 상부전극 및 상기 애노드 접속층 중 적어도 일부를 제 3 절연막으로 가리며 형성된 LED 블럭 수용부;상기 LED 블럭 수용부 내에 상기 캐소드 라인과 상기 애노드 접속층에 전기적으로 각각 연결되고 서로 이격되어 형성된 캐소드 공융층 및 애노드 공융층; 및상기 캐소드 공융층 및 상기 애노드 공융층에 각각 캐소드 전극 및 애느드 전극이 전기적으로 연결되며 상기 LED 블럭 수용부에 체결된 색소 단위의 LED 블럭을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 버퍼층은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막이고,상기 스위칭용 트랜지스터의 액티브층 및 상기 구동용 트랜지스터의 액티브층은 다결정 실리콘막이고,상기 캐소드 공융층 및 상기 애노드 공융층은 상기 스캔 라인, 상기 캐소드 라인, 상기 스토리지 커패시터의 하부전극, 상기 데이터 라인, 상기 전원공급 라인, 상기 스토리지 커패시터의 상부전극 및 상기 애노드 접속층 보다 용융점이 낮은 금속이나 금속 화합물인 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치
3 3
제 1 항에 있어서,상기 LED 블럭이 체결된 상기 기판 상에 박막 봉지층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치
4 4
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 LED 블럭 수용부는 색소에 따라 서로 다른 평면 구조의 개구를 갖고,상기 LED 블럭은 색소에 따라 상기 개구에 대응되는 형상의 LED 기판을 갖는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치
5 5
제 4 항에 있어서,상기 LED 블럭 수용부는 전체적으로 상광하협의 형상을 하고,상기 LED 블럭은 상기 LED 블럭 수용부의 형상에 대응되도록 상기 LED 기판 상에 p형 질소 화합물 반도체층/질소 화합물 활성층/n형 질소 화합물 반도체층/캐소드 전극과 p형 질소 화합물 반도체층/애노드 전극, 또는 n형 질소 화합물 반도체층/질소 화합물 활성층/p형 질소 화합물 반도체층/애노드 전극과 n형 질소 화합물 반도체층/캐소드 전극이 각각 동일한 방향으로 이웃하여 형성된 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치
6 6
제 5 항에 있어서,상기 LED 기판은 사파이어 기판이고,상기 질소 화합물은 AlN, GaN 또는 InN이거나, Al, Ga 및 In 중에서 어느 2개 이상의 원소와 질소가 결합된 것이고,상기 애노드 전극 및 상기 캐소드 전극은 Ti, W, Cr, Au, Ag, Ni 또는 이들의 화합물인 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치
7 7
제 6 항에 있어서,상기 캐소드 공융층 및 상기 애노드 공융층은 Sn, Pb, Bi, In 또는 이들의 화합물로 이루어진 금속이거나, 상기 각 원소에 Ag, Sb, Cu, Zn 및 Mg 중에서 적어도 하나 이상이 첨가된 금속 화합물인 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치
8 8
기판 상에 서로 나란하게 이격되어 형성된 데이터 라인, 스캔 라인 및 캐소드 라인;상기 스캔 라인과 상기 캐소드 라인 사이에 색소 단위로 형성된 스토리지 커패시터의 하부전극;상기 데이터 라인, 상기 스캔 라인, 상기 캐소드 라인 및 상기 스토리지 커패시터의 하부전극을 덮으며 상기 기판 상에 형성된 제 1 절연막;상기 제 1 절연막 상에 상기 데이터 라인과 수직하게 형성된 전원공급 라인;상기 제 1 절연막 상에 색소 단위로 상기 전원공급 라인과 전기적으로 연결되며 상기 스토리지 커패시터의 하부전극과 겹치게 형성된 스토리지 커패시터의 상부전극;상기 제 1 절연막 상에 색소 단위로 상기 전원공급 라인과 일정 거리 이격되어 형성된 애노드 접속층;상기 제 1 절연막 상에 색소 단위로 상기 전원공급 라인, 상기 스토리지 커패시터의 상부전극 및 상기 애노드 접속층 중 적어도 일부를 제 2 절연막으로 가리며 형성된 스위칭용 트랜지스터 수용부, 구동용 트랜지스터 수용부 및 LED 블럭 수용부;상기 스위칭용 트랜지스터 수용부 내에 상기 데이터 라인, 상기 스캔 라인 및 상기 스토리지 커패시터의 하부전극과 전기적으로 각각 연결되고 서로 이격되어 형성된 스위칭용 트랜지스터의 소스 공융층, 게이트 공융층 및 드레인 공융층;상기 구동용 트랜지스터 수용부 내에 상기 스토리지 커패시터의 하부전극, 상기 전원공급 라인 및 상기 애노드 접속층과 전기적으로 각각 연결되고 서로 이격되어 형성된 구동용 트랜지스터의 게이트 공융층, 소스 공융층 및 드레인 공융층;상기 LED 블럭 수용부 내에 상기 캐소드 라인과 상기 애노드 접속층에 전기적으로 각각 연결되고 서로 이격되어 형성된 캐소드 공융층 및 애노드 공융층; 상기 스위칭용 트랜지스터의 소스 공융층, 게이트 공융층 및 드레인 공융층에 각각 소스 전극, 게이트 전극 및 드레인 전극이 전기적으로 연결되며 상기 스위칭용 트랜지스터 수용부에 체결된 색소 단위의 스위칭용 트랜지스터 블럭;상기 구동용 트랜지스터의 소스 공융층, 게이트 공융층 및 드레인 공융층에 각각 소스 전극, 게이트 전극 및 드레인 전극이 전기적으로 연결되며 상기 구동용 트랜지스터 수용부에 체결된 색소 단위의 구동용 트랜지스터 블럭; 및상기 캐소드 공융층 및 상기 애노드 공융층에 각각 캐소드 전극 및 애느드 전극이 전기적으로 연결되며 상기 LED 블럭 수용부에 체결된 색소 단위의 LED 블럭을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치
9 9
제 8 항에 있어서,상기 스위칭용 트랜지스터 및 상기 구동용 트랜지스터는 각각 단결정 실리콘 기판 상에 형성되고,상기 각 공융층은 상기 스캔 라인, 상기 캐소드 라인, 상기 스토리지 커패시터의 하부전극, 상기 전원공급 라인, 상기 스토리지 커패시터의 상부전극, 상기 애노드 접속층, 상기 각 소스 전극, 상기 각 게이트 전극 및 상기 각 드레인 전극 보다 용융점이 낮은 금속이나 금속 화합물인 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치
10 10
제 8 항에 있어서,상기 스위칭용 트랜지스터 블럭, 상기 구동용 트랜지스터 블럭 및 상기 LED 블럭이 체결된 상기 기판 상에 박막 봉지층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치
11 11
제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 LED 블럭 수용부는 색소에 따라 서로 다른 평면 구조의 개구를 갖고,상기 LED 블럭은 색소에 따라 상기 개구에 대응되는 형상의 LED 기판을 갖는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치
12 12
제 11 항에 있어서,상기 스위칭용 트랜지스터 블럭 수용부는 상기 구동용 트랜지스터 블럭 수용부와 평면 구조가 다른 개구를 갖는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치
13 13
제 12 항에 있어서,상기 스위칭용 트랜지스터 블럭 수용부, 상기 구동용 트랜지스터 블럭 수용부 및 상기 LED 블럭 수용부는 각각 전체적으로 상광하협의 형상을 하고,상기 스위칭용 트랜지스터 블럭 및 상기 구동용 트랜지스터 블럭은 상기 각 트랜지스터 블럭 수용부의 형상에 대응되도록 기판, 소스 전극, 게이트 전극 및 드레인 전극이 형성되고,상기 LED 블럭은 상기 LED 블럭 수용부의 형상에 대응되도록 LED 기판 상에 p형 질소 화합물 반도체층/질소 화합물 활성층/n형 질소 화합물 반도체층/캐소드 전극과 p형 질소 화합물 반도체층/애노드 전극, 또는 n형 질소 화합물 반도체층/질소 화합물 활성층/p형 질소 화합물 반도체층/애노드 전극과 n형 질소 화합물 반도체층/캐소드 전극이 각각 동일한 방향으로 이웃하여 형성된 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치
14 14
제 13 항에 있어서,상기 LED 기판은 사파이어 기판이고,상기 질소 화합물은 AlN, GaN 또는 InN이거나, Al, Ga 및 In 중에서 어느 2개 이상의 원소와 질소가 결합된 것이고,상기 각 트랜지스터 블럭의 소스 전극, 게이트 전극 및 드레인 전극, 상기 애노드 전극 및 상기 캐소드 전극은 Ti, W, Cr, Au, Ag, Ni 또는 이들의 화합물인 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치
15 15
제 14 항에 있어서,상기 각 공융층은 Sn, Pb, Bi, In 또는 이들의 화합물로 이루어진 금속이거나, 상기 각 원소에 Ag, Sb, Cu, Zn 및 Mg 중에서 적어도 하나 이상이 첨가된 금속 화합물인 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치
16 16
기판 상에 형성된 전원공급 라인;상기 기판 상에 색소 단위로 상기 전원공급 라인과 수직하게 전기적으로 연결된 스토리지 커패시터의 하부전극;상기 전원공급 라인 및 상기 스토리지 커패시터의 하부전극을 덮으며 상기 기판 상에 형성된 제 1 절연막;상기 제 1 절연막 상에 상기 전원공급 라인과 수직하며 서로 나란하게 이격되어 형성된 데이터 라인 및 스캔 라인;상기 제 1 절연막 상에 색소 단위로 상기 스캔 라인과 이웃하며 상기 스토리지 커패시터의 하부전극과 겹치게 형성된 스토리지 커패시터의 상부전극;상기 제 1 절연막 상에 색소 단위로 상기 스토리지 커패시터의 상부전극과 이웃하게 이격되어 형성된 애노드 접속층;상기 제 1 절연막 상에 색소 단위로 상기 데이터 라인, 상기 스캔 라인, 상기 스토리지 커패시터의 상부전극 및 상기 애노드 접속층 중 적어도 일부를 제 2 절연막으로 가리며 형성된 스위칭용 트랜지스터 수용부, 구동용 트랜지스터 수용부 및 LED 블럭 수용부;상기 스위칭용 트랜지스터 수용부 내에 상기 데이터 라인, 상기 스캔 라인 및 상기 스토리지 커패시터의 상부전극과 전기적으로 각각 연결되고 서로 이격되어 형성된 스위칭용 트랜지스터의 소스 공융층, 게이트 공융층 및 드레인 공융층;상기 구동용 트랜지스터 수용부 내에 상기 스토리지 커패시터의 상부전극, 상기 전원공급 라인 및 상기 애노드 접속층과 전기적으로 각각 연결되고 서로 이격되어 형성된 구동용 트랜지스터의 게이트 공융층, 소스 공융층 및 드레인 공융층;상기 LED 블럭 수용부 내에 상기 애노드 접속층에 전기적으로 연결된 애노드 공융층;상기 스위칭용 트랜지스터의 소스 공융층, 게이트 공융층 및 드레인 공융층에 각각 소스 전극, 게이트 전극 및 드레인 전극이 전기적으로 연결되며 상기 스위칭용 트랜지스터 수용부에 체결된 색소 단위의 스위칭용 트랜지스터 블럭;상기 구동용 트랜지스터의 소스 공융층, 게이트 공융층 및 드레인 공융층에 각각 소스 전극, 게이트 전극 및 드레인 전극이 전기적으로 연결되며 상기 구동용 트랜지스터 수용부에 체결된 색소 단위의 구동용 트랜지스터 블럭;상기 애노드 공융층에 애노드 전극이 전기적으로 연결되며 상기 LED 블럭 수용부에 체결된 색소 단위의 LED 블럭;상기 각 블럭이 체결된 상기 기판 상에 제 3 절연막으로 상기 LED 블럭 일부가 개방되도록 형성된 색소 정의층; 및상기 색소 정의층 상에 개방된 상기 LED 블럭과 전기적으로 연결되도록 형성된 캐소드 라인을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치
17 17
제 16 항에 있어서,상기 스위칭용 트랜지스터 및 상기 구동용 트랜지스터는 각각 단결정 실리콘 기판 상에 형성되고,상기 각 공융층은 상기 전원공급 라인, 상기 스토리지 커패시터의 하부전극, 상기 데이터 라인, 상기 스캔 라인, 상기 스토리지 커패시터의 상부전극, 상기 애노드 접속층, 상기 소스 전극, 상기 게이트 전극 및 상기 드레인 전극 보다 용융점이 낮은 금속이나 금속 화합물인 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치
18 18
제 17 항에 있어서,상기 LED 블럭과 상기 캐소드 라인 사이에는 상기 LED 블럭 일측에 형성된 캐소드 전극을 통하여 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치
19 19
제 16 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 LED 블럭 수용부는 색소에 따라 서로 다른 평면 구조의 개구를 갖고,상기 LED 블럭은 색소에 따라 상기 개구에 대응되는 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치
20 20
제 19 항에 있어서,상기 스위칭용 트랜지스터 블럭 수용부는 상기 구동용 트랜지스터 블럭 수용부와 평면 구조가 다른 개구를 갖는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치
21 21
제 20 항에 있어서,상기 스위칭용 트랜지스터 블럭 수용부, 상기 구동용 트랜지스터 블럭 수용부 및 상기 LED 블럭 수용부는 각각 전체적으로 상광하협의 형상을 하고,상기 스위칭용 트랜지스터 블럭 및 상기 구동용 트랜지스터 블럭은 상기 각 트랜지스터 블럭 수용부의 형상에 대응되도록 기판, 소스 전극, 게이트 전극 및 드레인 전극이 형성되고,상기 LED 블럭은 상기 LED 블럭 수용부의 형상에 대응되도록 밑에서부터 애노드 전극/LED 기판/p형 화합물 반도체/화합물 활성층/n형 화합물 반도체/캐소드 전극 순으로 적층되어 전체적으로 상광하협의 형상을 하거나, 또는 밑에서부터 n형 화합물 반도체/화합물 활성층/p형 화합물 반도체 순으로 적층되어 전체적으로 하광상협의 형상을 한 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치
22 22
제 21 항에 있어서,상기 LED 기판은 SiC 기판이고,상기 화합물 반도체는 GaAs, AlN, GaN 또는 InN이거나, Al, Ga 및 In 중에서 어느 2개 이상의 원소와 질소가 결합된 것이고,상기 각 트랜지스터 블럭의 소스 전극, 게이트 전극 및 드레인 전극, 상기 애노드 전극 및 상기 캐소드 전극은 Ti, W, Cr, Au, Ag, Ni 또는 이들의 화합물인 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치
23 23
제 22 항에 있어서,상기 각 공융층은 Sn, Pb, Bi, In 또는 이들의 화합물로 이루어진 금속이거나, 상기 각 원소에 Ag, Sb, Cu, Zn 및 Mg 중에서 적어도 하나 이상이 첨가된 금속 화합물인 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치
24 24
제 1 항의 LED 디스플레이 장치를 제조하는 방법에 있어서,디스플레이 기판 상에 버퍼층을 증착하고 색소 단위로 스위칭용 트랜지스터의 액티브층 및 구동용 트랜지스터의 액티브층을 형성하는 제 1 단계;상기 기판 전면에 제 1 절연막 및 도전성 물질을 순차 증착하고 상기 도전성 물질을 식각하여 스캔 라인, 캐소드 라인 및 스토리지 커패시터의 하부전극을 형성하는 제 2 단계;상기 기판 전면에 제 2 절연막 및 도전성 물질을 순차 증착하고 상기 도전성 물질을 식각하여 데이터 라인, 전원공급 라인, 스토리지 커패시터의 상부전극 및 애노드 접속층을 형성하는 제 3 단계;상기 기판 전면에 제 3 절연막을 증착하고 식각하여 색소 단위로 LED 블럭 수용부를 형성하고, 상기 LED 블럭 수용부에 캐소드 공융층 및 애노드 공융층을 형성하는 제 4 단계; 및상기 LED 블럭 수용부에 유체 자기 어셈블리 방식으로 색소 단위의 LED 블럭을 체결하는 제 5 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치의 제조방법
25 25
제 24 항에 있어서,상기 제 5 단계 이후에 상기 LED 블럭이 체결된 상기 기판 상에 박막 봉지층을 형성하는 단계를 더 진행하는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치의 제조방법
26 26
제 24 항 또는 제 25 항에 있어서,상기 LED 블럭 수용부 및 상기 LED 블럭은 색소에 따라 형상이 다르게 형성되고,상기 LED 블럭은 상기 제 5 단계의 유체 속에서 중력에 의한 이동이나 유체의 진동에 의하여 자기 형상 인식 방식 또는 친수성과 소수성 특성을 이용하여 대응되는 LED 블럭 수용부에 안착시키고, 상기 유체를 상기 각 공융층만 녹을 수 있는 최저 용융점 상태로 온도를 높였다가 내리면서 안착된 LED 블럭 수용부 내에서 완전히 체결되는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치의 제조방법
27 27
제 26 항에 있어서,상기 LED 블럭 수용부의 형상은 전체적으로 상광하협의 요홈이고, 상기 LED 블럭의 형상은 상기 LED 블럭 수용부의 형상과 대응되도록 형성되고,상기 제 5 단계에서 각 LED 블럭 수용부에 안착된 LED 블럭은 모세관 힘에 의하여 상기 중력이나 유체의 진동에도 다시 나오지 않는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치의 제조방법
28 28
제 8 항의 LED 디스플레이 장치를 제조하는 방법에 있어서,디스플레이 기판 상에 도전성 물질을 증착하고 식각하여 데이터 라인, 스캔 라인, 캐소드 라인 및 스토리지 커패시터의 하부전극을 형성하는 제 1 단계;상기 기판 전면에 제 1 절연막 및 도전성 물질을 순차 증착하고 상기 도전성 물질을 식각하여 전원공급 라인, 스토리지 커패시터의 상부전극 및 애노드 접속층을 형성하는 제 2 단계;상기 기판 전면에 제 2 절연막을 증착하고 식각하여 색소 단위로 스위칭용 트랜지스터 블럭 수용부, 구동용 트랜지스터 블럭 수용부 및 LED 블럭 수용부를 형성하고, 상기 각 수용부 내에 공융층을 형성하는 제 4 단계; 및상기 각 수용부에 유체 자기 어셈블리 방식으로 스위칭용 트랜지스터 블럭, 구동용 트랜지스터 블럭 및 LED 블럭을 체결하는 제 5 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치의 제조방법
29 29
제 28 항에 있어서,상기 제 5 단계 이후에 상기 각 블럭이 체결된 상기 기판 상에 박막 봉지층을 형성하는 단계를 더 진행하는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치의 제조방법
30 30
제 28 항 또는 제 29 항에 있어서,상기 LED 블럭 수용부 및 상기 LED 블럭은 색소에 따라 형상이 다르게 형성되고,상기 각 블럭은 상기 제 5 단계의 유체 속에서 중력에 의한 이동이나 유체의 진동에 의하여 자기 형상 인식 방식 또는 친수성과 소수성 특성을 이용하여 대응되는 수용부에 안착시키고, 상기 유체를 상기 각 공융층만 녹을 수 있는 최저 용융점 상태로 온도를 높였다가 내리면서 안착된 수용부 내에서 완전히 체결되는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치의 제조방법
31 31
제 30 항에 있어서,상기 각 수용부의 형상은 전체적으로 상광하협의 요홈이고, 상기 각 블럭의 형상은 안착될 수용부의 형상과 대응되도록 형성되고,상기 제 5 단계에서 각 LED 블럭 수용부에 안착된 LED 블럭은 모세관 힘에 의하여 상기 중력이나 유체의 진동에도 다시 나오지 않는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치의 제조방법
32 32
제 16 항의 LED 디스플레이 장치를 제조하는 방법에 있어서,디스플레이 기판 상에 도전성 물질을 증착하고 식각하여 전원공급 라인 및 스토리지 커패시터의 하부전극을 형성하는 제 1 단계;상기 기판 전면에 제 1 절연막 및 도전성 물질을 순차 증착하고 상기 도전성 물질을 식각하여 데이터 라인, 스캔 라인, 스토리지 커패시터의 상부전극 및 애노드 접속층을 형성하는 제 2 단계;상기 기판 전면에 제 2 절연막을 증착하고 식각하여 색소 단위로 스위칭용 트랜지스터 블럭 수용부, 구동용 트랜지스터 블럭 수용부 및 LED 블럭 수용부를 형성하고, 상기 각 수용부 내에 공융층을 형성하는 제 4 단계; 상기 각 수용부에 유체 자기 어셈블리 방식으로 스위칭용 트랜지스터 블럭, 구동용 트랜지스터 블럭 및 LED 블럭을 체결하는 제 5 단계;상기 기판 전면에 제 3 절연막을 증착하고 식각하여 체결된 LED 블럭의 일부가 개방되도록 색소 정의층을 형성하는 제 6 단계; 및상기 기판 전면에 투명 또는 반투명 도전성 물질을 증착하여 개방된 LED 블럭과 전기적으로 연결되도록 캐소드 접속층을 형성하는 제 7 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치의 제조방법
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제 32 항에 있어서,상기 LED 블럭 수용부 및 상기 LED 블럭은 색소에 따라 형상이 다르게 형성되고,상기 각 블럭은 상기 제 5 단계의 유체 속에서 중력에 의한 이동이나 유체의 진동에 의하여 자기 형상 인식 방식 또는 친수성과 소수성 특성을 이용하여 대응되는 수용부에 안착시키고, 상기 유체를 상기 각 공융층만 녹을 수 있는 최저 용융점 상태로 온도를 높였다가 내리면서 안착된 수용부 내에서 완전히 체결되는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치의 제조방법
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제 33 항에 있어서,상기 각 수용부의 형상은 전체적으로 상광하협의 요홈이고, 상기 각 블럭의 형상은 안착될 수용부의 형상과 대응되도록 형성되고,상기 제 5 단계에서 각 LED 블럭 수용부에 안착된 LED 블럭은 모세관 힘에 의하여 상기 중력이나 유체의 진동에도 다시 나오지 않는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치의 제조방법
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