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양자점 발광 소자 및 이를 이용한 디스플레이

  • 기술번호 : KST2015135545
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 역구조(inverted type)의 양자점 발광 소자를 적용하여, 용액 공정으로 진행하는 양자점 발광층의 형성 후 정공 수송층을 형성함으로써, 양자점 발광층으로의 유입이 용이한 정공 수송층 형성 재료의 선택이 자유로운 양자점 발광 소자 및 이를 이용한 디스플레이와 이들의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 양자점 발광 소자는 기판 상부에 형성된 음극;과, 상기 음극 상에 형성된 양자점 발광층; 및 상기 양자점 발광층 상에 형성된 양극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 51/56 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020100048569 (2010.05.25)
출원인 엘지디스플레이 주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1274068-0000 (2013.06.05)
공개번호/일자 10-2011-0129121 (2011.12.01) 문서열기
공고번호/일자 (20130612) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.07)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영미 대한민국 서울특별시 마포구
2 강호철 대한민국 경기도 고양시 일산서구
3 김호진 대한민국 경기도 파주시
4 이창희 대한민국 서울특별시 송파구
5 차국헌 대한민국 서울특별시 서초구
6 이성훈 대한민국 서울특별시 관악구
7 곽정훈 대한민국 서울특별시 동작구
8 배완기 대한민국 서울특별시 관악구
9 이동구 대한민국 경상남도 함안군
10 임재훈 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2 박영복 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
2 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0333283-52
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0873759-38
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.10.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.11.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0086339-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0054431-52
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.03.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0244025-38
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0244026-84
13 등록결정서
Decision to grant		 2013.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0337712-92
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 음극;상기 음극 상에 형성된, 2-6족 또는 3-5족의 나노 반도체 화합물을 포함한 양자점 발광층; 및 상기 양자점 발광층 상에 형성된 양극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자
2 2
제 1항에 있어서,상기 음극과 상기 양자점 발광층 사이에 전자 수송층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자
3 3
제 1항에 있어서,상기 양자점 발광층과 상기 양극 사이에 정공 수송층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서,상기 나노 반도체 화합물은 카드뮴셀레나이드(CdSe), 카드뮴설파이드(CdS), 카드뮴텔레라이드(CdTe), 징크셀레나이드(ZnSe), 징크텔레라이드(ZnTe), 징크설파이드(ZnS), 머큐리텔레라이드(HgTe), 인듐 아세나이드(InAs),및 인듐 포스포러스(InP) 및 갈륨 아세나이드(GaAs) 중 어느 하나인 것을 특징으로 한 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자
6 6
제 3항에 있어서,상기 정공 수송층은 CBP, α-NPD, TCTA 중 DNTPD 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자
7 7
제 3항에 있어서,상기 정공 수송층은 NiO 또는 MoO3인 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자
8 8
제 2항에 있어서,상기 전자 수송층은 ZnO, TiO2, WO3 및 SnO2 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자
9 9
제 2항에 있어서,상기 전자 수송층은 TPBI 또는 TAZ인 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자
10 10
제 8항에 있어서,상기 전자 수송층은 가교결합 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자
11 11
기판 상에 형성된 투명한 음극;상기 음극 상에 형성된, 2-6족 또는 3-5족의 나노 반도체 화합물을 포함한 양자점으로 이루어진 양자점 발광층;상기 발광층 상에 양극; 및상기 음극과 접속된 박막 트랜지스터를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 디스플레이
12 12
기판 상에 형성된 음극;상기 음극 상에 형성된, 2-6족 또는 3-5족의 나노 반도체 화합물을 포함한 양자점으로 이루어진 양자점 발광층;상기 발광층 상에, 투명한 양극; 및상기 음극과 접속된 박막 트랜지스터를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 디스플레이
13 13
제 1 기판 상에 형성된 음극;상기 음극 상에 형성된, 2-6족 또는 3-5족의 나노 반도체 화합물을 포함한 양자점으로 이루어진 양자점 발광층;상기 발광층 상에, 투명한 양극; 상기 음극과 접속되어, 상기 제 1 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터; 및 상기 제 1 기판과 대향되며, 컬러 필터층을 갖는 제 2 기판을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 디스플레이
14 14
기판 상에 음극을 형성하는 단계;상기 음극 상에, 전자 수송층을 형성하는 단계;상기 전자 수송층 상에, 용액 공정으로, 2-6족 또는 3-5족의 나노 반도체 화합물을 포함한 양자점 발광층을 형성하는 단계; 상기 양자점 발광층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계; 및 상기 정공 수송층 상에 양극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자의 제조 방법
15 15
기판 상에 음극을 형성하는 단계;상기 음극 상에, 전자 수송층을 형성하는 단계;상기 전자 수송층 상에, 용액 공정으로, 2-6족 또는 3-5족의 나노 반도체 화합물을 포함한 복수개의 양자점을 채운 양자점 발광층을 형성하는 단계; 상기 양자점 발광층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계; 상기 정공 수송층 상에 양극을 형성하는 단계; 및상기 음극과 접속된 박막 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 디스플레이의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102280546 CN 중국 FAMILY
2 CN105244448 CN 중국 FAMILY
3 US08552416 US 미국 FAMILY
4 US20110291071 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102280546 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN105244448 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 US2011291071 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US8552416 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.