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커패시터리스 디램의 메모리 셀 구조

  • 기술번호 : KST2015135793
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 동적 유지 특성을 크게 개선한 커패시터리스 메모리 셀 구조체에 관한 것이다. 본 발명의 메모리 셀 구조체는 반도체 기판에 대하여 수직으로 형성된 이미터 영역; 상기 이미터 영역 상에 상기 반도체 기판에 대하여 수직으로 형성된 베이스 영역; 상기 베이스 영역에 대하여 상기 이미터 영역과 반대 방향으로 형성된 컬렉터 영역; 및 상기 베이스 영역 및 상기 컬렉터 영역 사이에 배치된 증폭 영역; 을 포함하며, 상기 증폭 영역은 상기 베이스 영역 및 상기 컬렉터 영역을 형성하는 물질보다 낮은 밴드 갭을 가지는 물질에 의하여 형성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 메모리 셀 구조체는 동적 유지 특성을 개선하기 위하여 쓰기 동작의 바이어스 전압 조건을 낮추면서도 누설 전류를 감소시켜 데이터의 오염 가능성을 최소화할 수 있다.
Int. CL H01L 29/739 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7395(2013.01) H01L 29/7395(2013.01)
출원번호/일자 1020100126619 (2010.12.13)
출원인 광운대학교 산학협력단, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1105712-0000 (2012.01.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120117) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.13)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정인영 대한민국 경기도 남양주시
2 박영준 대한민국 서울특별시 관악구
3 심경석 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 강태훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, ***호 (역삼동, 황산빌딩)(인아이피특허법률사무소)
2 나선균 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, ***호 (역삼동, 황산빌딩)(인아이피특허법률사무소)
3 방영석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, ***호 (역삼동, 황산빌딩)(인아이피특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0817159-17
2 보정요구서
Request for Amendment
2010.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0114435-63
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0032602-32
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2011-5009922-84
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2011-5173743-65
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.09.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.10.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0082598-06
9 등록결정서
Decision to grant
2011.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0696225-64
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-5067673-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5074994-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.05.09 수리 (Accepted) 4-1-2016-5056854-41
16 출원인정보변경(경정)신고서
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2017.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2017-5046666-19
17 출원인정보변경(경정)신고서
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2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
18 출원인정보변경(경정)신고서
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2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
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번호 청구항
1 1
반도체 기판 상에 형성되며, 이미터 영역, 베이스 영역 및 컬렉터 영역을 포함하는 반도체 메모리 셀 구조체에 있어서,상기 베이스 영역의 일부 또는 상기 컬렉터 영역의 전부 또는 일부를 포함하는 영역 중 적어도 일부에 배치되는 증폭 영역;워드 라인 전극; 및상기 워드 라인 전극과 상기 베이스 영역 간에 배치된 절연체 막;을 포함하고,상기 베이스 영역은 상기 이미터 영역에 인접하게 형성되고, 상기 컬렉터 영역은 상기 베이스 영역에 인접하게 형성되는반도체 메모리 셀 구조체
2 2
제1항에 있어서,상기 반도체 기판에 대하여 상기 이미터 영역, 상기 베이스 영역, 상기 증폭 영역 및 상기 컬렉터 영역이 수직 방향으로 형성된 기둥체의 형상을 취하고,상기 이미터 영역은 상기 베이스 영역 및 컬렉터 영역보다 상기 반도체 기판에 가장 근접하게 형성되는 반도체 메모리 셀 구조체
3 3
제1항에 있어서,상기 증폭 영역은 상기 베이스 영역과 상기 컬렉터 영역 사이의 접합면을 포함하도록 배치되는 반도체 메모리 셀 구조체
4 4
제1항에 있어서,상기 반도체 메모리 셀 구조체 가운데 상기 워드 라인 전극과 가장 가까운 영역은 상기 증폭 영역과 겹치지 않는 반도체 메모리 셀 구조체
5 5
제1항에 있어서,상기 이미터 영역은 제어 신호 또는 공급 신호에 연결되고, 상기 컬렉터 영역은 비트 라인에 연결되는 반도체 메모리 셀 구조체
6 6
제1항에 있어서,상기 증폭 영역은상기 베이스 영역을 형성하는 물질보다 낮은 밴드 갭을 가지는 물질에 의하여 형성되는 반도체 메모리 셀 구조체
7 7
제1항에 있어서,상기 증폭 영역은상기 컬렉터 영역과 상기 베이스 영역 사이에서 형성되는 전류에 의한 전자-정공 쌍 발생을 증대시키고, 상기 베이스 영역은 상기 워드라인 또는 상기 베이스 영역에 인가되는 전압 또는 전계에 따라, 상기 전자-정공 쌍 발생과정에 의하여 발생한 반송자를 상기 베이스 영역의 표면에 포획하는 과정에 의하여 데이터를 저장하는 반도체 메모리 셀 구조체
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패밀리정보가 없습니다
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