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입자상물질 센서유닛

  • 기술번호 : KST2015135808
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예에 따른 입자상물질 센서유닛은 배기가스가 지나는 배기라인, 및 상기 배기라인의 일측에 설치되어, 상기 배기가스에 포함된 입자상물질이 인접하여 지날 때 신호를 발생시키는 피엠센서를 포함하고, 상기 피엠센서는, 그 전면부에 돌출되어 형성되고, 설정된 폭간격과 설정된 길이간격을 두고 배열되는 돌출부, 그 후면부에는 양단에서 공급되는 전류에 의해서 열을 발생시켜, 상기 전면부에 부착된 입자상물질을 태워 제거하는 히터전극, 및 상기 히터전극과 인접하여 상기 신호를 외부로 전달하기 위한 센싱전극패드를 포함한다.따라서, 디젤매연필터(DPF)의 매연(soot)과 같은 입자상물질의 포집량이나 배기가스에 포함된 입자상물질의 양을 정밀하게 판단함으로써 강화되는 배기가스 규제에 효과적으로 대응할 수 있다.
Int. CL F01N 3/021 (2006.01.01) F01N 11/00 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020110132255 (2011.12.09)
출원인 현대자동차주식회사, 기아자동차주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1305198-0000 (2013.09.02)
공개번호/일자 10-2013-0065409 (2013.06.19) 문서열기
공고번호/일자 (20130926) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.09)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 현대자동차주식회사 대한민국 서울특별시 서초구
2 기아자동차주식회사 대한민국 서울특별시 서초구
3 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이진하 대한민국 서울특별시 서초구
2 조지호 대한민국 경기 용인 수지구
3 전국진 대한민국 서울 서초구
4 강성찬 대한민국 서울 동작구
5 장근호 대한민국 경기 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 현대자동차주식회사 서울특별시 서초구
2 기아자동차주식회사 서울특별시 서초구
3 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0981623-94
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.09.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.10.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5222831-58
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.11.06 수리 (Accepted) 9-1-2012-0083726-67
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2013-0000510-63
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2013-0000509-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.04.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0220422-46
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.05.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0460963-40
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0460962-05
11 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0515068-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2016-5009725-79
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.18 수리 (Accepted) 4-1-2017-5150878-54
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.09.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5179063-18
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5148973-60
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2019-5150191-76
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
배기가스가 지나는 배기라인; 및 상기 배기라인의 일측에 설치되어, 상기 배기가스에 포함된 입자상물질이 인접하여 지날 때 신호를 발생시키는 피엠센서; 를 포함하고,상기 피엠센서는, 전하를 띤 상기 입자상물질이 근처를 지나갈 때, 상기 입자상물질에 의해 유도 전하가 발생하는 정전유도방식이고, 상기 피엠센서는, 그 전면부에 돌출되어 형성되고, 설정된 폭간격과 설정된 길이간격을 두고 배열되는 돌출부; 그 후면부에는 양단에서 공급되는 전류에 의해서 열을 발생시켜, 상기 전면부에 부착된 입자상물질을 태워 제거하는 히터전극; 및 상기 히터전극과 인접하여 상기 신호를 외부로 전달하기 위한 센싱전극패드; 를 포함하고, 상기 피엠센서는,상기 전면부와 상기 후면부 사이의 중간층을 형성하는 실리콘전극층; 및상기 실리콘전극층을 덮도록 상기 전면부와 상기 후면부에 형성되는 절연층; 을 포함하고, 상기 실리콘전극층에는 상기 돌출부와 대응하여 돌출전극이 형성되고, 상기 절연층은 상기 돌출전극을 일정한 두께로 커버하는 것을 특징으로 하는 입자상물질 센서유닛
2 2
삭제
3 3
제1항에서, 상기 히터전극은 'ㄹ'자 모양의 지그 제그 모양으로 형성되는 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 입자상물질 센서유닛
4 4
삭제
5 5
제1항에서, 상기 절연층은,상기 실리콘전극층을 덮도록 형성되는 산화물층; 및상기 산화물층을 덮도록 형성되는 질화물층; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 입자상물질 센서유닛
6 6
제1항에서, 상기 돌출부의 형상은 직육면체, 정육면체, 구형, 삼각뿔, 사각뿔, 및 원뿔 중 어느 하나의 일부분의 형태를 가지도록 형성되는 입자상물질 센서유닛
7 7
실리콘전극층을 클리닝하는 단계; 실리콘전극층의 전면부 전체에 식각방지층을 형성하는 단계; 상기 식각방지층에서 일정패턴을 제거하는 단계; 제거된 상기 식각방지층을 통해서 상기 실리콘전극층 전면부를 일정한 깊이로 식각하는 단계; 상기 식각방지층을 제거하여 상기 실리콘전극층의 전면부에 돌출전극을 형성하는 단계; 상기 돌출전극을 포함하여 상기 실리콘전극층의 전면부와 후면부 전체에 절연층을 형성하는 단계; 상기 실리콘전극층의 후면부에 형성된 상기 절연층에서 센싱전극패드가 형성된 부분을 선택적으로 제거하는 단계; 상기 실리콘전극층의 후면부 전체에 히터전극과 대응하여 패턴닝된 부분이 제거된 피알(PR)층을 형성하는 단계; 상기 피알층 위와 상기 실리콘전극층 위에 피티층을 형성하는 단계; 및 상기 피알층을 제거하여 상기 실리콘전극층 위에 상기 피티층으로 형성된 상기 센싱전극패드와 상기 히터전극을 형성하는 단계; 를 포함하고, 상기 피티층을 형성하는 단계에서, 상기 피티층은 Pt성분을 포함하고, 상기 절연층을 형성하는 단계는, 상기 실리콘전극층의 전면부와 후면부 전체에 산화물층과 질화물층을 순차적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 입자상물질 센서유닛의 제조방법
8 8
제7항에서, 상기 식각방지층은 Al 스퍼터링(sputtering) 또는 TEOS 성분을 증착(deposition) 하여 형성하는 것을 특징으로 하는 입자상물질 센서유닛의 제조방법
9 9
제7항에서, 상기 식각방지층에서 일정패턴을 제거하는 단계에서, 패턴닝된 마스크를 이용하여 상기 식각방지층을 선택적으로 감광시키고, 식각액을 이용하여 감광된 부분을 제거하는 것을 특징으로 하는 입자상물질 센서유닛의 제조방법
10 10
삭제
11 11
제7항에서, 상기 피알(PR)층을 형성하는 단계에서, 상기 피알층의 패턴닝된 부분이 제거된 부분은 네거티브슬로프를 가지는 것을 특징으로 하는 입자상물질 센서유닛의 제조방법
12 12
삭제
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103163048 CN 중국 FAMILY
2 JP25122439 JP 일본 FAMILY
3 US09759675 US 미국 FAMILY
4 US20130145821 US 미국 FAMILY
5 US20140345362 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103163048 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN103163048 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 DE102012105533 DE 독일 DOCDBFAMILY
4 JP2013122439 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2013145821 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US2014345362 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US9759675 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.